用于高端逻辑半导体量产的EUV(Extreme
Ultra-Violet，极紫外线光刻)曝光技术的未来蓝图逐渐“步入”我们的视野，从7nm阶段的技术节点到今年(2019年，也是从今年开始)，每2年~3年一个阶段向新的技术节点发展。 高端逻辑半导体的技术节点和对应的EUV曝光技术的蓝图。 也就是说，在EUV曝光技术的开发比较顺利的情况下，5nm的量产日程时间会大约在2021年，3nm的量产时间大约在2023年。关于更先进的2nm的技术节点，还处于模糊阶段，据预测，其量产时间最快也是在2026
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ASML EUV
日前，有消息称，比利时研究机构Imec和微影设备制造商ASML计划成立一座联合研究实验室，共同探索在后3nm逻辑节点的奈米级元件制造蓝图。此次双方这项合作是一项为期五年计划的一部份，分为两个阶段： 首先是开发并加速极紫外光(EUV)微影技术导入量产，包括最新的EUV设备准备就绪。 其次将共同探索下一代高数值孔径(NA)的EUV微影技术潜力，以便能够制造出更小型的奈米级元件，从而推动3nm以后的半导体微缩。 极紫外光(EUV)微影技术 EUV光刻也叫极紫外光刻，它以波长为10-14 nm的极紫外
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ASML EUV
继联电在2017年进行高阶主管大改组，并宣布未来经营策略将着重在成熟制程之后，格芯也在新执行长Tom Caulfield就任半年多后，于日前宣布无限期暂缓7nm制程研发，并将资源转而投入在相对成熟的制程服务上。 引入EUV工艺是半导体7nm工艺的关键转折点 众所周知，目前半导体领域，7nm工艺是一个重要节点。而7nm工艺是半导体制造工艺引入EUV技术的关键转折，这是摩尔定律可以延续到5nm以下的关键，引入EUV工艺可以大幅提升性能，缩减曝光步骤、光罩数量等制造过程，节省时间和成本。 不过引入EU
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三星 EUV
全球一号代工厂台积电宣布了有关极紫外光刻(EUV)技术的两项重磅突破，一是首次使用7nm EUV工艺完成了客户芯片的流片工作，二是5nm工艺将在2019年4月开始试产。今年4月开始，台积电第一代7nm工艺(CLN7FF/N7)投入量产，苹果A12、华为麒麟980、高通“骁龙855”、AMD下代锐龙/霄龙等处理器都正在或将会使用它制造，但仍在使用传统的深紫外光刻(DUV)技术。 而接下来的第二代7nm工艺(CLNFF+/N7+)，台积电将首次应用EUV，不过仅限四个非关键层，以降低风险、加速投产，也借
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5nm EUV
半导体业界为EUV已经投入了相当庞大的研发费用，因此也不难理解他们急于收回投资。虽然目前还不清楚EUV是否已经100%准备就绪，但是三星已经迈出了实现大规模量产的第一步。
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三星 EUV 3nm
引领技术开发的少数芯片制造商认定，极紫外光(EUV)微影技术将在明年使得半导体元件的电晶体密度更进一步向物理极限推进，但才刚失去全球半导体产业龙头宝座的英特尔(Intel)，似乎放弃了继续努力在采用EUV的脚步上领先;该公司在1990年代末期曾是第一批开始发展EUV的IC厂商。 曾是电子工程师的市场研究机构Bernstein分析师Mark Li表示，英特尔不会在短时间内导入EUV，该公司仍在克服量产10纳米制程的困难，因此其7纳米制程还得上好几年，何时会用上EUV更是个大问题。 在此同时，三星(S
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英特尔 EUV
业界领先的特种化学及先进材料解决方案的公司Entegris(纳斯达克：ENTG)日前发布了下一代EUV 1010光罩盒，用于以极紫外(EUV)光刻技术进行大批量IC制造。Entegris的EUV 1010是与全球最大的芯片制造设备制造商之一的ASML密切合作而开发的，已在全球率先获得ASML的认证，用于NXE:3400B等产品。 随着半导体行业开始更多地使用EUV光刻技术进行先进技术制程的大批量制造(HVM)，对EUV光罩无缺陷的要求比以往任何时候都要严格。Entegris的EUV 1010光罩盒已
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Entegris EUV ASML
先前李在镕涉入政治关说丑闻的负面影响尚未完全消除，设法恢復各界对三星的信赖也是李在镕须解决的课题。
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三星 EUV
为进一步提升在中国市场晶圆代工领域的竞争力，6月14日，三星电子在中国上海召开 “2018三星晶圆代工论坛(Samsung Foundry Forum 2018)”(SFF)，这是SFF首次在中国举行，中国半导体市场的影响力可见一斑。 本次论坛上，三星电子晶圆代工事业部战略市场部部长、副社长裵永昌带领主要管理团队，介绍了晶圆代工事业部升级为独立业务部门一年来的发展成果，以及未来发展路线图和服务，首次发布了FinFET、GAA等晶体管构造与EUV曝光技术的使用计划，以及3纳米芯片高端工艺的发展路线图，
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EUV，晶圆
联发科高分贝宣布旗下首款5G Modem芯片，代号为曦力(Helio)M70的芯片解决方案将在2019年现身市场的动作，台面上或是为公司将积极进军全球5G芯片市场作热身，但台面下，已决定采用台积电7纳米EUV制程技术设计量产的M70 5G Modem芯片解决方案，却是联发科为卡位台积电最新主力7纳米制程技术产能，同时向苹果(Apple)iPhone订单招手的关键大绝，在高通(Qualcomm)还在三星电子(SAMSUNG)、台积电7纳米制程技术犹疑之间，联发科已先一步表达忠诚，而面对高通、苹果专利讼诉
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台积电，EUV
据《日经亚洲评论》(Nikkei Asian Review)15日援引消息人士的话称，中国芯片加工企业中芯国际(SMIC)向全球最大的芯片设备制造商——荷兰ASML订购了首台最先进的EUV(极紫外线)光刻机，价值1.2亿美元。目前，业内已达成共识，必须使用EUV光刻机才能使半导体芯片进入7nm，甚至5nm时代。今天，中芯国际方面对观察者网表示，对此事不做评论。 消息称，这台几乎相当于中芯国际去年全部净利润的设备，将于2019年前交付。 ASML发言人对《日经亚洲评论》表示，该企业对包括中国客户在内
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中芯 EUV
据知情人士透露，中国最大的晶圆代工厂中芯国际已经订购了一台EUV设备，在中美两国贸易紧张的情况下，此举旨在缩小与市场领先者的技术差距，确保关键设备的供应。EUV是当前半导体产业中最先进也最昂贵的芯片制造设备。
中芯国际的首台EUV设备购自荷兰半导体设备制造商ASML，价值1.2亿美元。尽管中芯目前在制造工艺上仍落后于台积电等市场领导者两到三代，此举仍突显了该公司帮助提升中国本土半导体制造技术的雄心壮志，也保证了在最先进的光刻设备方面的供应。目前包括英特尔、三星、台积电等巨头都在购买该设备，以确保
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中芯 EUV
种种迹象表明，2018年将是移动处理器、半导体等行业迎来转折的一年，多种技术经历多年沉淀后会在今年完成应用，然后在2019年爆发。
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台积电 芯片 EUV
载具对于曝光机发挥保护、运送和存储光罩等功能十分重要。家登精密多年来致力于研究曝光机载具，并为全球最大的半导体设备制造商ASML提供载具相关技术。
我们主要研究EUV的配套技术，例如EUV的载具以及EUV的配套光罩，是7nm向5nm进阶的突破口。随着5nm技术的升级，EUV的重要性逐渐凸显出来，而载具的研究也越发紧迫。过去几年，家登精密一直专心做一件事，那就是载具的配套研究。去年，我们的技术产品已经达到国际先进水平，这是一个值得自豪的成绩。未来，7nm工艺逐渐向5nm升级，技术的研究会越来越困难
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ASML EUV
2017年，三星在半导体事业中的投资达到了260亿美元，创下历史新高，这主要得益于其存储芯片的巨大需求。
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三星 EUV
euv介绍
在半导体行业，EUV一般指EUV光刻，即极紫外光刻。
极紫外光刻（英语：Extreme ultra-violet，也称EUV或EUVL）是一种使用极紫外（EUV）波长的光刻技术。
EUV光刻采用波长为10-14纳米的极紫外光作为光源，可使曝光波长一下子降到13.5nm,它能够把光刻技术扩展到32nm以下的特征尺寸。
根据瑞利公式（分辨率=k1·λ/NA），这么短的波长可以提供极高 [
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