终端市场需求低迷，近期市场传出台积电将宣布调降今年资本支出，恐冲击艾司摩尔（ASML）及应用材料等设备厂出货，甚至传出艾司摩尔极紫外光（EUV）机台被砍单消息，不过业界普遍认为可能性不高，原因在于EUV机台交期长达12～15个月，且中长期来看EUV产能仍供不应求。 ASML预计19日举行法人说明会，可望针对EUV曝光机已接订单（backlog）变化提出说明。半导体生产链仍在进行库存调整，市场传出台积电可能在法人说明会中下修全年资本支出，加上内存厂放慢扩产计划，将导致EUV曝光机订单减少或延后，受此消息影响
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EUV 机台 ASML
3 月 8 日，ASML 发表声明回应荷兰政府即将出台的半导体设备出口管制措施。ASML 称，这些新的出口管制措施侧重于先进的芯片制造技术，包括最先进的沉积设备和浸润式光刻系统，ASML 将需要申请出口许可证才能发运最先进的浸润式 DUV 系统。ASML 强调，这些管制措施需要一定时间才能付诸立法并生效。3 月 9 日，外交部例行记者会上，有媒体提问，据报道，荷兰外贸与发展合作大臣施赖纳马赫尔向荷议会致函称，出于国家安全考虑，荷兰将于今年夏天之前对其芯片出口实施限制性措施。中方对此有何评论？外交部发言人毛
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光刻机 EUV DUV
晶圆制造工具正变得更加专用于 Si/SiGe 堆栈、3D NAND 和键合晶圆对。
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2nm EUV
众所周知，当前全球只有ASML一家能够生产EUV光刻机，甚至可以说很长一段时间内，全球也只有ASML能够生产光刻机，不会有第二家。原因在于ASML把EUV光刻机的路堵住了，这条路别人是走不通的。ASML与全球众多的供应链，形成了捆绑关系，像蔡司等与ASML形成了利益共同体，EUV光刻机中，蔡司等厂商至关重要，掌握核心科技，缺少这些供应链，其它厂商不可能制造出EUV光刻机。所以，目前众多的其它光刻机企业，并不打算走EUV光刻机这条路，在另寻它路。同样的，国产光刻机基本上也走不通EUV这条路，只能另寻他路，而
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ASML EUV 光刻机
据报道，荷兰和日本已与美国达成协议，共同限制向中国出口芯片制造工具，这将进一步削弱中国半导体行业的发展，因为除了限制中国制造商使用 EUV 光刻机外，进一步限制其使用浸没式 DUV 光刻机。但在美国对中国发起的严格出口限制中，中国半导体企业是否可以利用任何关键漏洞来缓冲冲击？这似乎是一个值得仔细研究的问题。近年来，美国加大了对中国半导体产业发展的打压力度。不仅设计了各种策略和行动，还动员了盟友的参与。在 2022 年 10 月对向中国出口先进芯片制造工具和技术实施全面出口限制后，美国急于让拥有 ASML
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EUV DUV 深紫外光刻机
说到光刻机大家难免会想到三个厂商，荷兰的ASML公司、尼康和佳能。而光刻机就是制造芯片的核心装备。现如今光刻机领域的核心地位就是荷兰的ASML，他与台积电合作，共同突破了沉浸式DUV光刻机，也正因为此动作，才奠定了ASML在光刻机领域的核心地位。后续ASML又推出了更加高端的EUV光刻机，而且还是独家垄断生产。这就进一步使得ASML成为行业的巨头。随着科技的不断发展，市场就要越来越追求高性能以及高要求，ASLM造成的长时间垄断，导致其他同行没有办法发展。在他自身无法突破的前提下，他的路是越走越窄。在全球范
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光刻机 ASML DUV EUV
最新消息显示，尽管全球经济将放缓，但三星仍计划扩大DRAM与晶圆代工的晶圆产能，明年在其P3晶圆厂新设至少10台极紫外光刻设备（EUV），用于生产最新的12nm级内存芯片，而三星目前仅有40台EUV光刻机。
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三星 EUV 光刻机
据报道，三星首次引入韩国本土公司东进世美肯（Dongjin Semichem）研发的EUV光刻胶（EUV PR）进入其量产线，这也是三星进行光刻胶本土量产的首次尝试。在2019年经历与日本的光刻胶等关键原料的供应风波之后，三星就在尝试将关键原料的供应本土化，经过三年的努力，韩国实现了光刻胶本地化生产。在日本限制出口、三星尝试重构EUV光刻胶的供应链之后，东进世美肯就已开始研发EUV光刻胶，并在去年通过了三星的可靠性测试，随后不到一年就被应用于三星的大规模生产线。不过，EUV光刻胶可用于3-50道程序，目前
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三星 韩国 EUV 光刻胶
都知道光刻机单台成本非常的贵，但是你知道有多贵吗？一台数亿美元的光刻机让我们看到了一款硬件设备的价格极限，然而，ASML CEO Peter Wennink最新接受媒体采访时透露，他们正在全力研制划时代的新光刻机high-NA EUV设备，而高NA EUV光刻机系统的单台造价将在300亿到350亿欧元之间，约合人民币2195到2561亿元。这个价格什么概念，一搜顶级航母的价格差不多在100亿美元左右，而这台硬件设备可以买三艘顶级航母，而ASML目前在售的双工件台EUV光刻机不过数亿美元，作为下一代产品身价
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光刻机 ASML EUV
近日，据国家知识产权局官网消息，华为技术有限公司于11月15日公布了一项于光刻技术相关的专利，专利申请号为202110524685X。集成电路制造中，光刻覆盖了微纳图形的转移、加工和形成环节，决定着集成电路晶圆上电路的特征尺寸和芯片内晶体管的数量，是集成电路制造的关键技术之一。随着半导体工艺向7nm及以下节点的推进，极紫外(extreme
ultraviolet，EUV)光刻成为首选的光刻技术。相关技术的EUV光刻机中采用强相干光源在进行光刻时，相干光经照明系统分割成的多个子光束具有固定的相位关系，当
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EUV 光刻 华为
本周美光宣布，采用全球先进1β(1-beta)制造工艺的DRAM内存芯片已经送样给部分手机制造商、芯片平台合作伙伴进行验证，并做好了量产准备。1β工艺可将能效提高约15％，存储密度提升35％以上，单颗裸片(Die)容量高达16Gb(2GB)。一个值得关注的点是，美光称，1β绕过了EUV（极紫外光刻）工具，而依然采用的是DUV（深紫外光刻）。这意味着相较于三星、SK海力士，美光需要更复杂的设计方案。毕竟，DRAM的先进性很大程度上取决于每平方毫米晶圆面积上集成更多更快半导体的能力，各公司目前通过不断缩小电路
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美光 EUV 光刻技术
本周美光宣布，采用全球最先进1β(1-beta)制造工艺的DRAM内存芯片已经送样给部分手机制造商、芯片平台合作伙伴进行验证，并做好了量产准备。 1β工艺可将能效提高约15％，存储密度提升35％以上，单颗裸片(Die)容量高达16Gb(2GB)。 一个值得关注的点是，美光称，1β绕过了EUV（极紫外光刻）工具，而依然采用的是DUV（深紫外光刻）。 这意味着相较于三星、SK海力士，美光需要更复杂的设计方案。毕竟，DRAM的先进性很大程度上取决于每平方毫米晶圆面积上集成更多更快半导体的能力，各公司目
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美光 DRAM 内存芯片 光刻机 EUV
近期，全球半导体龙头设备企业阿斯麦（ASML）、泛林（LAM）公布了其最新一季度财报，阿斯麦方面，最新一季度销售额和利润均超出市场预期，其新的净预订额也创下了纪录。此外阿斯麦CEO Peter Wennink表示，ASML有望继续向中国出货非EUV光刻机；泛林方面，当季公司营收创下历史新高，官方表示，2023年晶圆厂设备支出将下滑。ASML：有望继续向中国出货非EUV光刻机10月19日，光刻机大厂阿斯麦公布了2022年第三季度财报。数据显示，ASML第三季度净营收同比增长10%至58亿欧元，超出此前业界预
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ASML EUV 光刻机 泛林
euv介绍
在半导体行业，EUV一般指EUV光刻，即极紫外光刻。
极紫外光刻（英语：Extreme ultra-violet，也称EUV或EUVL）是一种使用极紫外（EUV）波长的光刻技术。
EUV光刻采用波长为10-14纳米的极紫外光作为光源，可使曝光波长一下子降到13.5nm,它能够把光刻技术扩展到32nm以下的特征尺寸。
根据瑞利公式（分辨率=k1·λ/NA），这么短的波长可以提供极高 [
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