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美光宣布量产第3代10纳米级制程DRAM

  • 根据国外科技媒体《Anandtech》的报导指出,日前美系存储器大厂美光科技(Micron)正式宣布,将采用第3代10纳米级制程(1Znm)来生产新一代DRAM。而首批使用1Znm制程来生产的DRAM将会是16GB的DDR4及LPDDR4X存储器。对此,市场预估,美光的该项新产品还会在2019年底前,在美光位于中国台湾台中的厂区内建立量产产线。
  • 关键字: 美光  10纳米  DRAM  

日韩贸易战与东芝跳电影响DRAM/NAND短期价格走势,长期须关注原厂库存水位

  • Jul. 16, 2019 ---- 集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出,继6月中旬东芝断电事件后,日本政府近日宣布从7月4日起,开始管控向南韩出口3种生产半导体、智能手机与面板所需的关键材料,造成存储器产业下游模组厂出现提高报价状况,然而,由于目前DRAM和NAND Flash库存水位仍高,加上并非完全禁止原物料出货,仅是申请流程延长,短期结构性供需反转的可能性低。日韩贸易战的爆发使得业界盛传存储器价格将反转,集邦咨询分析指出,因DRAM价格已历经连续三个季度快速下滑,下游
  • 关键字: 日韩贸易战  东芝  DRAM/NAND  

国际半导体遭遇寒冬 中国存储方队逆势扩张

  •   在中美贸易摩擦有所缓和之际,日前紫光集团宣布组建DRAM集团,让市场注意力集中到国内存储器布局上。当前国际存储寡头垄断的格局下,国内存储方队既要面对技术、团队等方面的叠代差距,又要面对当前国际半导体市场势弱,存储大幅降价的风险,迎难而上,逆势扩张。  国际半导体产业降温  6月30日晚间,紫光集团宣布了组建DRAM事业群的计划,并配套部署人事安排,深化和完善紫光集团“从芯到云”产业链的建设。而如果放眼国际,此时紫光集团布局DRAM可谓迎难而上,逆势扩张。  据美国半导体行业协会官网最新统计,5月全球半
  • 关键字: 半导体  存储  DRAM  

美光正在为DDR5扩大产能 并迅速转向更先进工艺技术

  • 在近日与投资者和金融分析师召开的收益电话会议上,美光对其长期未来及对其产品的强劲需求表示了信心,该公司还概述了扩大产能的计划,并迅速转向更先进的工艺技术。
  • 关键字: 美光  DDR5  DRAM  

紫光集团组建DRAM事业群

  • 6月30日,紫光集团发布公告称,决定组建紫光集团DRAM事业群,全力加速发展国产内存。
  • 关键字: 紫光  DRAM  闪存  

DRAM颗粒6月现货价逼近生产成本 跌势趋缓讯号浮现

  • DRAM价格第2季大幅走跌,根据供应链透露,6月起DRAM颗粒现货价格再度走跌,主流交易规格的8Gb颗粒正式跌破3美元关卡。
  • 关键字: 三星电子  SK海力士  美光  南亚科  DRAM  

红「芯」势力崛起 三星DRAM事业的危机与中转

  • 半导体无所不在,举凡汽车、家电、手机到战斗机,皆少不了半导体这玩意。半导体为韩国最具代表性产业,占外销总金额的20%。然而2018年底存储器荣景告终、价格走跌,除了让三星电子(Samsung Electronics)存储器事业陷入危机外,韩国经济前景也跟著蒙上阴影。面对中国大陆DRAM力拚崛起,及工业4.0革命可能带来的爆炸性需求,三星半导体事业将采取何种策略令人好奇。
  • 关键字: 三星  DRAM  SDI  

三星18nm工艺内存芯片曝缺陷 明年全面挺进16nm

  • 作为占据全球DRAM内存芯片过半市场的超级巨头,三星电子的一举一动都影响着整个行业。前几年内存价格持续暴涨,三星赚得盆满钵满,最近日子就不太好过了,一季度营业利润暴跌了超过60%。
  • 关键字: DRAM  16nm  三星电子  

MRAM技术新突破!台湾清大团队发表新磁性翻转技术

  •   全球各半导体大厂如三星、东芝、英特尔等摩拳擦掌竞相投入磁阻式随机存取存储器(MRAM),准备在后摩尔定律世代一较高下。台湾清华大学研究团队最新发表以自旋流操控铁磁-反铁磁纳米膜层的磁性翻转,研究成果已于今年2月19日刊登于材料领域顶尖期刊《自然材料》(NatureMaterials)。  MRAM为非挥发性存储器技术,断电时利用纳米磁铁所存储的数据不会流失,是“不失忆”的存储器。其结构如三明治,上层是自由翻转的铁磁层,可快速处理数据,底层则是钉锁住的铁磁层,可用作存储数据,两层中则有氧化层隔开。  其
  • 关键字: MRAM  DRAM  

集邦咨询:DRAM均价受库存尚未去化完成影响,跌势恐将持续至下半年

  •   Mar. 25, 2019 ---- 集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出,受库存过高影响,DRAM第一季合约价跌幅持续扩大,整体均价已下跌逾20%。然而价格加速下跌并未刺激需求回温,预计在库存尚未去化完成的影响下,DRAM均价跌势恐将持续至第三季。  根据DRAMeXchange调查,DRAM供应商累积的库存水位在第一季底已经普遍超过六周 (含wafer bank),而买方的库存水位虽受到不同产品别的影响略有增减,但平均至少达五周,在服务器以及PC客户端甚至超过七周。  进
  • 关键字: 集邦咨询  DRAM  

中国半导体产业发展面临瓶颈,因素在于美国管制与韩国垄断

  •   根据韩国媒体《BusinessKorea》的报导指出,中国一直企望发展半导体产业,但在近期受到韩国存储器大厂三星与SK海力士在市场垄断与持续技术精进下,加上美国对知识产权的严密保护,其目的将难以达成。  报导指出,2018年10月份,在中国NANDFlash快闪存储器技术上领先的长江存储(YMTC)发布了自行研发的32层堆叠产品之后,当时就宣布将在2020年时跳过64层及96层堆叠的产品,直接发展128层堆叠的产品。由于韩国的存储器龙头厂三星,早在2014年就已经推出了32层堆叠的NANDFlash快
  • 关键字: DRAM  NANDFlash  

手机存储芯片价格狂跌 海外巨头“围剿”中国厂商阴谋论成真?

  • 近日,半导体产业市场调研品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)公布的最新的存储芯片行业调研报告显示,DRAM跌价幅度超过预期,创8年以来最大跌幅。一度被调侃为“价格跑赢了房价”的内存条,如今突然迎来8年来最大跌幅,国际巨头对中国厂商“围剿”的争议也再次出现。
  • 关键字: 存储  DRAM  

DRAM价格暴跌 韩国前景“一片乌云”

  •   根据据韩媒《韩鲜日报》报导,DRAM的价格接连下跌,零售的计算机用DRAM价格最终也下跌到5万韩元以下,这样的走势比预期要快许多,预计今年出口的前景也不乐观。  在韩国电子产品价格比较网“Danawa”上,本月6日三星电子DDR48GBPC4-21300DRAM价格是4万8900韩元,已经下跌到5万韩元以下,与去年4月9万9270韩元的高点相比下跌了50.7%。  B2B(企业间交易)市场价格指标也呈暴跌的趋势,据市调公司DRAMeXchange指出,2月底的DDR48Gb的固定交易价格是比起今年1月
  • 关键字: DRAM  SK海力士  

DRAM大幅跌价 三星的半导体老大位置悬了

  •   据市调机构DRAMeXchange公布的调查报告指,今年以来DRAM内存价格大幅下跌,其估算一季度的跌幅从预期的25%扩大至30%,这对于依靠存储芯片取得了全球半导体老大位置的三星来说显然不是好消息,其或因存储芯片价格持续下跌导致位置不保。  存储芯片价格持续上涨助三星取代Intel  自2016年以来,受PC、智能手机等产品对存储芯片需求不断扩大,PC正将机械硬盘转换为速度更快的SSD硬盘、DRAM内存的容量在不断增大,智能手机的闪存和内存容量也在不断扩大,存储芯片价格进入了快速上涨的阶段。  作为
  • 关键字: 三星  DRAM  

集邦咨询:第一季DRAM合约价大幅下修,创8年以来最大跌幅

  •   Mar. 5, 2019 ---- 根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新调查,由于供过于求的市况,DRAM产业大部分交易已经改为月结价(Monthly Deals),2月份更罕见出现价格大幅下修。目前季跌幅从原先预估的25%调整至逼近30%,是继2011年以来单季最大跌幅。  DRAMeXchange指出,从市场面来观察,整体合约价自去年第四季开始下跌,随后库存水位持续攀升。近期DRAM原厂库存(含wafer bank)普遍来到至少一个半月的高水位。同时,Intel低
  • 关键字: DRAM  
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dram介绍

DRAM(Dynamic Random-Access Memory),即动态随机存储器最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据,DRAM使用电容存储,所以 必须隔一段时间刷新(refresh)一次,如果存储单元没有被刷新,存储的数据就会丢失。 它的存取速度不快,在386、486时期被普遍应用。 动态RAM的工作原理 动态RAM也是由许多基本存储元按照行和列来组 [ 查看详细 ]

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