首页  资讯  商机   下载  拆解   高校  招聘   杂志  会展  EETV  百科   问答  电路图  工程师手册   Datasheet  100例   活动中心  E周刊阅读   样片申请
EEPW首页 >> 主题列表 >> dram

南亚科技:首款 1C nm 制程 DRAM 内存产品 16Gb DDR5 明年初试产

  • IT之家 5 月 30 日消息,综合台媒《工商时报》《经济日报》报道,南亚科技在昨日的年度股东常会上表示,其首款 1C nm 制程 DRAM 内存产品 16Gb DDR5 颗粒将于明年初进入试产阶段。南亚科技目前已在进行 1B nm 制程的 DRAM 试产,涵盖 8/4Gb DDR4 内存和 16Gb DDR5 内存。南亚科技表示其首批 DDR5 内存将在下半年少量试产,明年进一步提升产量。此外南亚科技还在 1B nm 节点规划了 16Gb DDR5 迭代版本、16Gb LPDDR5 内存、16
  • 关键字: 南亚科技  内存  DRAM  

美光计划投资约300亿元在日本新建DRAM厂

  • 据日媒报道,美光科技计划投入6000亿-8000亿日圆(约合人民币277-369亿元)在日本广岛县兴建新厂,用于生产DRAM芯片。这座新厂房将于2026年初动工,并安装极紫外光刻(EUV)设备。消息称最快2027年底便可投入营运。报道称,此前,日本政府已批准多达1920亿日圆补贴,支持美光在广岛建厂并生产新一代芯片。去年,日本经济产业省曾表示,将利用这笔经费协助美光科技生产芯片,这些芯片将是推动生成式AI、数据中心和自动驾驶技术发展的关键。
  • 关键字: 美光  DRAM  日本  EUV  

HBM火热效应 DRAM下半年 可望供不应求

  • 三星、SK海力士及美光等国际内存巨擘,皆积极投入高带宽内存(HBM)制程,法人表示,在产能排挤效应下,下半年DRAM产品恐供不应求,预期南亚科、威刚及十铨等业者受惠。据TrendForce研究,DRAM原厂提高先进制程投片,产能提升将集中今年下半年,预期1alpha nm(含)以上投片,至年底将占DRAM总投片比重约40%。由于HBM获利表现佳,加上需求续增,生产排序最优先。以HBM最新发展进度来看,2024年HBM3e将是市场主流,集中在2024年下半年出货。SK海力士依旧是主要供货商,与美光均采1be
  • 关键字: HBM  DRAM  TrendForce  

三星和SK海力士计划今年下半年将停产DDR3

  • 近两年,DRAM市场已经开始从DDR4内存向DDR5内存过渡,此外在存储器市场经历低迷后,供应商普遍减少了DDR3内存的生产并降低了库存水平。DDR3内存的市场需求量进一步减少,更多地被DDR4和DDR5内存所取代。据市场消息称,全球头部DRAM供货商三星、SK海力士将在下半年停止供应DDR3内存,全力冲刺高带宽内存(HBM)与主流DDR5规格内存。随着三星和SK海力士停产DDR3内存,很可能带动DDR3内存的价格上涨,预计涨幅最高可达20%。三星已经通知客户将在本季度末停产DDR3;而SK海力士则在去年
  • 关键字: 三星  SK海力士  内存  DRAM  HBM  

SK 海力士、三星电子:整体 DRAM 生产线已超两成用于 HBM 内存

  • IT之家 5 月 14 日消息,据韩媒 Hankyung 报道,两大存储巨头 SK 海力士、三星电子在出席本月早前举行的投资者活动时表示,整体 DRAM 生产线中已有两成用于 HBM 内存的生产。相较于通用 DRAM,HBM 内存坐拥更高单价,不过由于 TSV 工艺良率不佳等原因,对晶圆的消耗量是传统内存的两倍乃至三倍。内存企业唯有提升产线占比才能满足不断成长的 HBM 需求。正是在这种“产能占用”的背景下,三星电子代表预计,不仅 HBM 内存,通用 DRAM(如标准 DDR5)的价格年内也不会
  • 关键字: 海力士  三星  DRAM  

第二季DRAM合约价涨幅上修至13~18%;NAND Flash约15~20%

  • 据TrendForce集邦咨询最新预估,第二季DRAM合约价季涨幅将上修至13~18%;NAND Flash合约价季涨幅同步上修至约15~20%,全线产品仅eMMC/UFS价格涨幅较小,约10%。403地震发生前,TrendForce集邦咨询原先预估,第二季DRAM合约价季涨幅约3~8%;NAND Flash为13~18%,相较第一季涨幅明显收敛,当时从合约价先行指标的现货价格就可看出,现货价已出现连续走弱,上涨动能低落、交易量降低等情况。究其原因,主要是除了AI以外的终端需求不振,尤其笔电、智能手机
  • 关键字: DRAM  NAND Flash  TrendForce  

2025年HBM价格调涨约5~10%,占DRAM总产值预估将逾三成

  • 根据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示,受惠于HBM销售单价较传统型DRAM(Conventional DRAM)高出数倍,相较DDR5价差大约五倍,加上AI芯片相关产品迭代也促使HBM单机搭载容量扩大,推动2023~2025年间HBM之于DRAM产能及产值占比均大幅向上。产能方面,2023~2024年HBM占DRAM总产能分别是2%及5%,至2025年占比预估将超过10%。产值方面,2024年起HBM之于DRAM总产值预估可逾20%,至2025年占比有机会逾三成。2024年HBM
  • 关键字: HBM  DRAM  TrendForce  

SK海力士计划在清州M15X工厂新建DRAM生产基地

  • 自SK海力士官网获悉,4月24日,SK海力士宣布,为应对AI半导体需求的急剧增长,计划扩大AI基础设施核心组件HBM等下一代DRAM的生产能力。SK海力士表示,若理事会批准该计划,三星电子将在忠北清州M15X工厂建立新的DRAM生产基地,并投资5.3万亿韩元用于建设新工厂。该工厂计划于4月底开始建设,目标是在2025年11月完工,并进行早期批量生产。随着设备投资的逐步增加,新生产基地的长期总投资将超过20万亿韩元。(图源:SK海力士官网)SK海力士总经理郭鲁正(Kwak Noh-Jung)称,M15X将成
  • 关键字: SK海力士  AI  DRAM  

存储大厂技术之争愈演愈烈

  • AI、大数据等应用催生海量存储数据需求,也对存储技术提出了更高要求,这一背景下,存储大厂技术竞争愈演愈烈。闪存方面,大厂聚焦层数突破。近期,韩媒报道,三星电子预计将于本月晚些时候量产第九代V-NAND闪存,该公司已于2022年量产了236层第八代V-NAND闪存,即将量产的第九代V-NAND闪存将继续使用双闪存堆栈的结构,层数将达到290层。另据业界预测,三星未来第十代V-NAND层数有望达到430层,届时三星将换用三堆栈结构。而更遥远的未来,三星、铠侠两家厂商透露将发力1000层闪存。三星计划2030年
  • 关键字: 存储器  DRAM  TrendForce  

美光:预计台湾地区地震对本季度 DRAM 内存供应造成中等个位数百分比影响

  • IT之家 4 月 12 日消息,美光于 10 日向美国证券交易委员会 SEC 递交 8-K 重大事项公告,预计本月初的台湾地区地震对其二季度 DRAM 内存供应造成“中等个位数百分比”的影响。美光在台湾地区设有桃园和台中两座生产据点。根据 TrendForce 集邦咨询此前报告,地震导致当时桃园产线上超六成的晶圆报废。美光在公告中表示美光全体员工安然无恙,设施、基建和生产工具未遭受永久性损害,长期 DRAM 内存供应能力也没有遇到影响。直至公告发稿时,美光尚未在震后全面恢复 DRAM 生产,但得
  • 关键字: DRAM  闪存  美光  

3D DRAM进入量产倒计时

  • 在 AI 服务器中,内存带宽问题越来越凸出,已经明显阻碍了系统计算效率的提升。眼下,HBM 内存很火,它相对于传统 DRAM,数据传输速度有了明显提升,但是,随着 AI 应用需求的发展,HBM 的带宽也有限制,而理论上的存算一体可以彻底解决「存储墙」问题,但该技术产品的成熟和量产还遥遥无期。在这样的情况下,3D DRAM 成为了一个 HBM 之后的不错选择。目前,各大内存芯片厂商,以及全球知名半导体科研机构都在进行 3D DRAM 的研发工作,并且取得了不错的进展,距离成熟产品量产不远了。据首尔半导体行业
  • 关键字: 3D DRAM  

加注西安工厂 美光期待引领创芯长安

  • 怎么证明企业对某个市场的未来充满信心?频繁来华喊口号还是推定制芯片?一边提升销售预期一边减少研发团队?或者是缩减产能加大宣传力度?商业行为还真是要靠真金白银才能体现诚意,对中国市场最有信心的表示当然是加大中国市场的投资力度。 3月27日,美光科技举办了新厂房动工奠基仪式,宣告2023年6月公布的美光西安工厂价值43亿元人民币的扩建工程正式破土动工,该项目是2020年以来国外半导体企业在国内最大的工厂投资建设工程。据悉,这个项目除了加建新厂房,还会引入全新产线,制造更广泛的产品解决方案,例如移动DRAM、N
  • 关键字: 美光  DRAM  

三星否认将 MR-MUF 堆叠方案引入 HBM 生产,称现有 TC-NCF 方案效果良好

  • IT之家 3 月 14 日消息,据韩媒 NEWSIS 报道,三星电子否认了近日路透社的说法,表示并未考虑使用 MR-RUF 方式生产 HBM 内存。HBM 由多层 DRAM 堆叠而成,目前连接各层 DRAM 的键合工艺主要有两个流派:SK 海力士使用的 MR-RUF 和三星使用的 TC-NCF。MR-RUF 即批量回流模制底部填充,通过回流焊一次性粘合,然后同时用模塑料填充间隙;而 TC-NCF 中文称热压非导电薄膜,是一种在各 DRAM 层间填充非导电薄膜(NCF)的热压键合方式。随着 HBM
  • 关键字: 三星  MR-RUF  DRAM  HBM  

又一存储大厂DRAM考虑采用MUF技术

  • 韩国媒体 TheElec报道,三星正在考虑在其下一代 DRAM 中应用模压填充(MUF)技术。三星最近测试了一种用于 3D 堆栈 (3DS) 存储器的MUF 技术,与 TC NCF 相较其传输量有所提升。据悉,MUF 是一种在半导体上打上数千个微小的孔,然后将上下层半导体连接的硅穿孔 (TSV) 技术后,注入到半导体之间的材料,它的作用是将垂直堆栈的多个半导体牢固地固定并连接起来。而经过测试后获得的结论,MUF 不适用于高频宽存储器 (HBM),但非常适合 3DS RDIMM,而目前 3DS RD
  • 关键字: 存储  DRAM  MUF技术  

三星发布其首款36GB HBM3E 12H DRAM,满足人工智能时代的更高要求

  • 三星电子今日宣布,公司成功发布其首款12层堆叠HBM3E DRAM——HBM3E 12H,这是三星目前为止容量最大的HBM产品。                                                      &n
  • 关键字: 三星  HBM3E  DRAM  人工智能  
共1805条 1/121 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » ›|

dram介绍

DRAM(Dynamic Random-Access Memory),即动态随机存储器最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据,DRAM使用电容存储,所以 必须隔一段时间刷新(refresh)一次,如果存储单元没有被刷新,存储的数据就会丢失。 它的存取速度不快,在386、486时期被普遍应用。 动态RAM的工作原理 动态RAM也是由许多基本存储元按照行和列来组 [ 查看详细 ]

热门主题

关于我们 - 广告服务 - 企业会员服务 - 网站地图 - 联系我们 - 征稿 - 友情链接 - 手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
备案 京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案:1101082052    京公网安备11010802012473