- IT之家 3 月 14 日消息,据韩媒 NEWSIS 报道,三星电子否认了近日路透社的说法,表示并未考虑使用 MR-RUF 方式生产 HBM 内存。HBM 由多层 DRAM 堆叠而成,目前连接各层 DRAM 的键合工艺主要有两个流派:SK 海力士使用的 MR-RUF 和三星使用的 TC-NCF。MR-RUF 即批量回流模制底部填充,通过回流焊一次性粘合,然后同时用模塑料填充间隙;而 TC-NCF 中文称热压非导电薄膜,是一种在各 DRAM 层间填充非导电薄膜(NCF)的热压键合方式。随着 HBM
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三星 MR-RUF DRAM HBM
- 韩国媒体 TheElec报道,三星正在考虑在其下一代 DRAM 中应用模压填充(MUF)技术。三星最近测试了一种用于 3D 堆栈 (3DS) 存储器的MUF 技术,与 TC NCF 相较其传输量有所提升。据悉,MUF 是一种在半导体上打上数千个微小的孔,然后将上下层半导体连接的硅穿孔 (TSV)
技术后,注入到半导体之间的材料,它的作用是将垂直堆栈的多个半导体牢固地固定并连接起来。而经过测试后获得的结论,MUF 不适用于高频宽存储器
(HBM),但非常适合 3DS RDIMM,而目前 3DS RD
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存储 DRAM MUF技术
- 三星电子今日宣布,公司成功发布其首款12层堆叠HBM3E DRAM——HBM3E 12H,这是三星目前为止容量最大的HBM产品。 &n
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三星 HBM3E DRAM 人工智能
- 从目前公开的DRAM(内存)技术来看,业界认为,3D DRAM是DRAM技术困局的破解方法之一,是未来内存市场的重要发展方向。3D DRAM与3D NAND是否异曲同工?如何解决尺寸限制等行业技术痛点?大厂布局情况?如何理解3D DRAM?DRAM(内存)单元电路是由一个晶体管和一个电容器组成,其中,晶体管负责传输电流,使信息(位)能够被写入或读取,电容器则用于存储位。DRAM广泛应用于现代计算机、显卡、便携式设备和游戏机等需要低成本和高容量内存的数字电子设备。DRAM开发主要通过减小电路线宽来提高集成度
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3D DRAM 存储
- 据 IDC 预测,从 2021 年到 2027 年,作为数字孪生的新型物理资产和流程建模的数量将从 5% 增加到 60%。尽管将资产行为中的关键要素数字化并非一种全新概念,但数字孪生技术从精确传感到实时计算,再到将海量数据转为深度洞察,从多方面进一步推动了设备和运营系统优化,从而实现扩大规模并缩短产品上市时间。此外,启用人工智能/机器学习 (AI/ML) 模型将有助于提高流程效率、减少产品缺陷,实现出色的整体设备效率 (OEE)。当我们了解了上述需求的复杂性和面临的挑战,就能意识到内存与存储对于实现数字孪
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数字孪生 DRAM 机器学习
- 三星称其已经在美国硅谷开设了一个新的内存研发(R&D)机构,专注于下一代3D DRAM芯片的开发。该机构将在设备解决方案部门美国分部(DSA)的硅谷总部之下运营,由三星设备解决方案部门首席技术官、半导体研发机构的主管Song Jae-hyeok领导。全球最大的DRAM制造商自1993年市场份额超过东芝以来,三星在随后的30年里,一直是全球最大的DRAM制造商,市场份额要明显高于其他厂商,但仍需要不断开发新的技术、新的产品,以保持他们在这一领域的优势。三星去年9月推出了业界首款且容量最高的32 Gb
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三星 内存 DRAM 芯片 美光
- 韩国存储器大厂SK海力士透露,因市况好转,考虑在第一季增产部分特殊DRAM,市场担心稼动率回升,破坏以往存储器大厂减产提价共识,恐不利后续DRAM涨势。观察16日存储器族群股价,包括钰创、华邦电、南亚科、点序、十铨、品安、晶豪科等,股价跌幅逾2%,表现较大盘弱势。惟业界人士认为,包括三星、SK海力士及美光等三大原厂产能,多往1-alpha/beta先进制程升级,以满足获利较佳DDR5及高带宽存储器(HBM)需求,预期利基型DRAM后市仍呈正向趋势。SK海力士执行长郭鲁正先前在2024年拉斯韦加斯消费性电子
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存储器 DRAM TrendForce
- TrendForce集邦咨询表示,2024年第一季DRAM合约价季涨幅约13~18%,其中Mobile DRAM持续领涨。目前观察,由于2024全年需求展望仍不明朗,故原厂认为持续性减产仍有其必要,以维持存储器产业的供需平衡。PC
DRAM方面,由于DDR5订单需求尚未被满足,同时买方预期DDR4价格会持续上涨,带动买方拉货动能延续,然受到机种逐渐升级至DDR5影响,对DDR4的位元采购量不一定会扩大。不过,由于DDR4及DDR5的售价均尚未达到原厂目标,加上买方仍可接受第一季续涨,故预估整体PC
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存储厂商 DRAM TrendForce
- 1月1日消息,据供应链最新消息称,SSD产品九个季度以来首次上涨,而厂商拟2024年1-3月后持续要求涨价。数据显示,2023年10-12月期间SSD代表性产品TLC 256GB批发价为每台25.5美元左右、容量较大的512GB价格为每台48.5美元,皆较前一季度(2023年7-9月)上涨9%,也都是九个季度以来(2021年7-9月以来)首度上涨。自2023下半年以来,存储芯片价格一直在上涨。虽然DRAM价格上涨较为温和,约20%,但NAND闪存价格在过去两个月飙升了60%-70%。调研机构TrendFo
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SSD 涨价 DRAM
- 12月22日消息,据报道,Adroit Market Research预计,全球汽车半导体行业将以每年10%的速度增长,到2032年将达到1530亿美元,2023年至2032年复合年增长率 (CAGR) 为10.3%。报告显示,半导体器件市场将从2022年的$43B增长到2028年的$84.3B,复合年增长率高达11.9%。目前的市场表明,到2022年,每辆汽车的半导体器件价值约为540美元,在ADAS、电气化等汽车行业大趋势下,到2028年,该数字将增长至约912美元。电动化和ADAS是技术变革的主要驱
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汽车电子 半导体 ADAS 碳化硅 DRAM MCU
- IT之家 12 月 21 日消息,根据韩媒 ETNews 报道,三星和 SK 海力士都计划 2024 年增加半导体设备投资。三星计划投资 27 万亿韩元(IT之家备注:当前约 1482.3 亿元人民币),比 2023 年投资预算增加 25%;而 SK 海力士计划投资 5.3 万亿韩元(当前约 290.97 亿元人民币),比今年的投资额增长 100%。报道中指出,三星和 SK 海力士在增加半导体设备投资之外,还提高了 2024 年的产能目标。报道称三星将 DRAM 和 NAND
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存储 DRAM NAND Flash
- IT之家 12 月 20 日消息,集邦咨询近日发布报告,预估 2024 年第 1 季度 Mobile DRAM 及 NAND Flash(eMMC / UFS)环比增长 18-23%,而且不排除进一步拉高的情况。集邦咨询表示 2024 年第 1 季中国智能手机 OEM 的生产规划依然稳健,由于存储器价格涨势明确,带动买方积极扩大购货需求,以建设安全且相对低价的库存水位。集邦咨询认为买卖双方库存降低,加上原厂减产效应作用,这两大因素促成这一波智能手机存储器价格的强劲涨势。集邦咨询认为明年第 1 季
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存储 DRAM NAND Flash
- 处理器,无论是 CPU、GPU、FPGA,还是 NPU,要想正常运行,都离不开 RAM,特别是 DRAM(动态随机存取存储器),它已经成为各种系统(PC,手机,数据中心等)中内存的代名词。根据应用不同,系统对芯片面积和功耗有不同要求,因此,DRAM 被分成标准 DDR(双倍数据速率)、LPDDR、GDDR 等,当然,主要就是这三类。其中,DDR 是相对于 SDR(单数据速率)而言的,将 I/O 时钟加倍了,主要为 PC 和数据中心的 CPU 服务,目前已经发展到 DDR5;LPDDR 是低功耗的 DDR,
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DRAM 封装技术 HBM
- 本文总结和更新了 DRAM 的产品、发展和技术趋势。
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DRAM
- IT之家 12 月 5 日消息,根据市场调查机构集邦咨询公布的最新报告,2023 年第 3 季度全球 DRAM 产业规模合计营收 134.8 亿美元,环比增长 18.0%。集邦咨询表示由于下半年需求缓步回温,买方重启备货动能,让各原厂营收皆有所增长。展望今年第 4 季度,供给方面,原厂涨价态度明确,预估第四季 DRAM 合约价上涨约 13~18%;需求方面的回温程度则不如过往旺季,整体而言,DRAM 行业出货增长幅度有限。三家主流厂商情况细分到各家品牌,三大原厂营收皆有所成长
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DRAM 闪存
dram介绍
DRAM(Dynamic Random-Access Memory),即动态随机存储器最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据,DRAM使用电容存储,所以 必须隔一段时间刷新(refresh)一次,如果存储单元没有被刷新,存储的数据就会丢失。 它的存取速度不快,在386、486时期被普遍应用。
动态RAM的工作原理 动态RAM也是由许多基本存储元按照行和列来组 [
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