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紫光国芯:DRAM芯片设计技术处于世界先进水平

  •   紫光国芯周一在全景网投资者互动平台上回答投资者提问时介绍,DDR4与DDR3相比,单条容量有很大提高,可以实现较高的容量。另外,频率和带宽都有明显提高。工艺的提高也会降低工作电压,有利于更低的功耗。   同时,关于公司在国内业界、排名情况,紫光国芯介绍,公司的DRAM芯片设计技术处于世界先进水平,国内稀缺,但目前产品产量很小,市场份额不大。   针对投资者关于公司DDR4存储器芯片相比DDR3优势的询问,紫光国芯作出上述回应。   1月26日紫光国芯在互动平台表示,公司西安子公司从事DRAM存储
  • 关键字: 紫光国芯  DRAM  

2018年内存产业DRAM/NAND Flash恐是两样情

  •   2017年,整体内存产业不论DRAM或NAND Flash,都度过了一个黄金好年,那么2018年可否持续荣景呢? 综合目前业界的看法,DRAM热度可望延续,供不应求态势依旧,但NAND部分,恐怕就不会那么乐观了,由于大厂3D NAND良率大跃进,供给过剩问题已经提前在2017年第四季引爆,至少2018年上半年恐怕都不会太理想, 最快2018年第二季供需平衡,第三季再度供给吃紧,届时产业由悲转喜。   DRAM无新增产能   首先就DRAM部分,以大方向来说,2018年在Fab端并无新增产能,顶多就
  • 关键字: DRAM  NAND   

南亚科:DRAM上半年还会涨

  •   南亚科总经理李培瑛16日表示,今年上半年DRAM价格持续看涨,但涨幅会收敛些,下半年则仍待观察三星、 SK海力士二大韩厂实际增产内容才能做明确分析。 目前来看,韩国二大厂都表明将依市场需求增产,分析DRAM产业到明年都可维持健康稳定。   李培瑛表示,服务器和标准型DRAM今年市场需求持续强劲,南亚科内部预估,今年DRAM位需求增幅约20%至25%,搭配云端数据中心对服务器DRAM需求同步畅旺,以及高端手机搭载DRAM容量攀升到4GB~6GB, 以及冬季奥运来临,刺激电视与机顶盒等需求,带动利基型D
  • 关键字: 南亚科  DRAM  

上演第二梯队大逆袭 武汉存储产业隐现“国家队效应”

  •   武汉东湖高新区未来三路与高新大道交汇处,一个被称为“黄金大道”的T字形结构的芯屏组合的产业聚集区已悄然形成。而这其中的“1号工程”正是在中国存储器产业已掀起“巨浪”的长江存储科技责任有限公司(以下简称“长江存储”)。   2018年1月17日,阴冷两天的武汉再度放晴,而长江存储的一期工厂已经竣工,已然组建的研发团队正在东湖高新区(以下简称“高新区”)的另一处办公地址加紧推进研发工作
  • 关键字: 集成电路  DRAM  

RAM、SRAM、SSRAM、DRAM、FLASH、EEPROM......都是什么鬼?

  •   RAM(Random Access Memory) 随机存储器。存储单元的内容可按需随意取出或存入,且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。这种存储器在断电时将丢失其存储内容,故主要用于存储短时间使用的程序。   按照存储信息的不同,随机存储器又分为静态随机存储器(Static RAM,SRAM)和动态随机存储器(Dynamic RAM,DRAM)。   SRAM(Static RAM)不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。   SSRAM(Synchronous SRAM)即同步静态随机存
  • 关键字: SRAM  DRAM  

IC Insights:DRAM今年价格将开始下滑

  •   研调机构IC Insights发布最新报告指出,DRAM厂于2017年第4季的销售金额将创下历史新高峰,预估达到211亿美元,较2016年第4季的128亿美元大增65%。IC Insights表示,据历史经验来看,DRAM产业在不久的将来,可能经历长期间的景气向下格局,因随着DRAM产能增加,今年价格将开始下滑,跌势更恐达2年之久。   回顾2017年,受惠于数据中心需求,带动服务器DRAM明显升温,同时智能手机与其他移动装置产品采用低功耗高密度DRAM也同步成长,2017年DRAM价格报价一路上扬
  • 关键字: DRAM  

揭露DRAM和电容炒货内幕,三星兜底策略纵容涨价

  • 缺货涨价固然有产能不足的因素,但原厂联合渠道商炒货,是其中更为重要的潜在影响因素。
  • 关键字: DRAM  三星  

两大新技术加持 三星二代10纳米DRAM量产抢商机

  •   抢攻DRAM市场商机,三星电子(Samsung Electronics)宣布量产其第二代10奈米等级(1y-nm) 8Gb DDR4 DRAM。 该组件采用高敏感度的单元数据感测系统(Cell Data Sensing System)及「空气间隔」(Air Spacer)解决方案,以达更高效能、更低功耗,以及更小的体积。   DRAM市场表现强劲,IC Insights预估,2017年DRAM市场将激增74%,为1994年以来最大增幅;未来DRAM预计将成为至今半导体产业内最大的单一产品类别,产值高
  • 关键字: 三星  DRAM  

两大新技术加持 三星二代10纳米DRAM量产抢商机

  •   抢攻DRAM市场商机,三星电子(Samsung Electronics)宣布量产其第二代10奈米等级(1y-nm) 8Gb DDR4 DRAM。 该组件采用高敏感度的单元数据感测系统(Cell Data Sensing System)及「空气间隔」(Air Spacer)解决方案,以达更高效能、更低功耗,以及更小的体积。   DRAM市场表现强劲,IC Insights预估,2017年DRAM市场将激增74%,为1994年以来最大增幅;未来DRAM预计将成为至今半导体产业内最大的单一产品类别,产值高
  • 关键字: DRAM  DDR4   

明年上半年DRAM吃紧、NAND恐供大于求

  • DRAM 与 NAND Flash 市场今年都处于供不应求状态,产品价格同步高涨,而明年上半年将转为供过于求。
  • 关键字: NAND  DRAM  

明年上半年DRAM吃紧、NAND恐供大于求

  •   内存明年市况恐将不同调,DRAM市场仍将持续吃紧,NAND Flash市场则将于明年上半年转为供过于求。   DRAM 与 NAND Flash 市场今年都处于供不应求状态,产品价格同步高涨,只是业界普遍预期,明年 DRAM 与 NAND Flash 市况恐将不同调。   内存模块厂创见指出,DRAM 市场供货持续吃紧,价格未见松动迹象。 NAND Flash 方面,随着 3D NAND Flash 技术日益成熟,生产良率改善,可望填补供货缺口。   另一内存模块厂威刚表示,短期内全球 DRAM
  • 关键字: DRAM  NAND  

5nm工艺可能无法实现?存储器除了3D NAND还有其他选择?看这4个技术老兵怎么说

  •   5nm以下的工艺尺寸缩减逻辑;DRAM、3DNAND和新型存储器的未来;太多可能解决方案带来的高成本。   近日,外媒SE组织了一些专家讨论工艺尺寸如何继续下探、新材料和新工艺的引入带来哪些变化和影响,专家团成员有LamResearch的首席技术官RickGottscho、GlobalFoundries先进模块工程副总裁MarkDougherty、KLA-Tencor的技术合伙人DavidShortt、ASML计算光刻产品副总裁GaryZhang和NovaMeasuringInstruments的首
  • 关键字: 5nm  DRAM  

再进一步,三星发布最强10nmDRAM芯片

  •   根据三星最新财报显示,三星Q3净利润更是高达98.7亿美元,增长145%,季度净利直逼苹果,成为世界最赚钱的两家公司之一。而耀眼财报的背后,其半导体业务起着举足轻重的作用。   昨日半导体产业曝出一条最大新闻——“ 三星电子全球首发第二代10纳米级DRAM产品。”   三星在声明中称,这是全球第一个第二代10纳米级8Gb DDR4 DRAM芯片,拥有强化的节能效率和资料处理效能,将锁定云端运算中心、移动设备和高速绘图卡等高阶大数据处理的电子设备。
  • 关键字: 三星  DRAM  

三星DRAM“霸主”地位难撼动!已开发出全球最小DRAM内存芯片

  •   继 2016 年 2 月三星使用第一代 10nm 制程工艺生产出了 8Gb DDR4 芯片之后,三星电子今日又宣布已开始通过第二代 10nm 制程工艺生产 8Gb DDR4 芯片。另据路透社报道,三星开发的 8Gb DDR4 芯片是“全球最小”的 DRAM 芯片。   据悉,和第一代 10nm 工艺相比,三星第二代 10nm 工艺的产能提高了 30%,有助于公司满足全球客户不断飙升的 DRAM 芯片需求。此外,第二代 10nm 芯片不仅比第一代快 10%,同时功耗又降低了 1
  • 关键字: 三星  DRAM  

第四季DRAM销售额预估年增65%,明年首季确定再涨

  •   DRAM 内存市场近期严重供不应求,造成全球内存龙头三星将于 2018 年第 1 季价格再上调 3% 至 5%。 而另一家内存大厂 SK 海力士也将调涨约 5%。 除此之外,有部分供应链透露,2018 年第 2 季的价格恐也将不乐观,价格将续涨 5% 以上。 因此,在需求太强劲的情况下,此波 DRAM 价格从 2016年下半年以来,每季都呈现上涨的态势。 如果加上 2018 年第 1 季持续涨价,报价已经连续 7 季走扬,堪称 DRAM 史上时间最长的多头行情。   事实上,当前的第 4 季是传统
  • 关键字: DRAM  DDR4   
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dram介绍

DRAM(Dynamic Random-Access Memory),即动态随机存储器最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据,DRAM使用电容存储,所以 必须隔一段时间刷新(refresh)一次,如果存储单元没有被刷新,存储的数据就会丢失。 它的存取速度不快,在386、486时期被普遍应用。 动态RAM的工作原理 动态RAM也是由许多基本存储元按照行和列来组 [ 查看详细 ]

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