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库存难减 DRAM价Q4恐再跌13~18%

  • 市调机构表示,在高通胀影响下,消费性产品需求疲软且旺季不旺,第三季DRAM位消耗与出货量持续呈现季减,各终端买方因需求明显下滑而推迟采购,导致供货商库存压力进一步升高。同时,各DRAM供货商为求增加市占的策略不变,市场上已有「第三、四季合并议价」或「先谈量再议价」的情形,导致第四季DRAM价格续跌13%~18%。标准型DRAM方面,由于笔电需求疲弱,OEM厂仍将着重去化DRAM库存,而DRAM供应端在营业利益仍佳的前提下,未有实际减产情形,故位产出仍持续升高,供货商库存压力日益明显。以DDR4与DDR5来
  • 关键字: 集邦  DRAM  NAND  

集邦:明年DRAM需求位成长8.3%创新低 NAND跌价带动搭载容量成长

  • 根据集邦科技指出,2023年DRAM市场需求位成长仅8.3%,是历年来首度低于10%,远低于供给位成长约14.1%,分析至少2023年的DRAM市况在供过于求的情势下仍相当严峻,价格恐将持续下滑。至于NAND Flash仍是供过于求,但价格下跌应有助于搭载容量提升。从各类应用来看,高通膨持续冲击消费市场需求,故优先修正库存是品牌的首要目标,尤其前两年面对疫情造成的上游零组件缺料问题,品牌超额下订,加上通路销售迟缓,使得目前笔电整机库存去化缓慢,造成2023年笔电需求将进一步走弱。标准型PC DRAM方面,
  • 关键字: 集邦  DRAM  NAND  

美光车规级内存和存储解决方案: 助力理想L9智能旗舰SUV打造卓越智能座舱体验

  • 全球汽车内存领先供应商Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司,纳斯达克股票代码:MU)今日宣布其车规级高性能LPDDR5 DRAM内存和基于3D TLC NAND技术的UFS 3.1产品已被应用于理想汽车最新推出的全尺寸智能旗舰SUV车型——理想L9。美光LPDDR5和UFS 3.1解决方案可助力理想L9的高级驾驶辅助系统(ADAS)实现最高L4级自动驾驶。得益于美光完整的产品组合,理想L9智能座舱系统还集成了美光车规级LPDDR4和UFS 2.1技术,为用户提供出色的娱乐和用
  • 关键字: 美光  智能座舱  DRAM  UFS  ADAS  域控制器  车载信息娱乐系统  

DRAM 内存加速降价,6 月报价环比下跌 10% 创 1 年半新低

  • IT之家 7 月 18 日消息,日经新闻表示,半导体存储芯片之一的 DRAM 正在加速降价,作为上代产品的 DDR3 型的 4GB 内存连续 2 个月下跌。指标产品的 6 月大单优惠价环比下跌 1 成,创出 1 年半以来新低。从作为指标的 8GB DDR4 内存来看,6 月报价约 2.7 美元每个,环比下跌 0.3 美元(10%),而容量较小的 4GB 内存约为 2.18 美元 / 个,环比下跌 10%,同比下跌 32%,处于 2020 年 12 月以来的最低水平。分析师认为,PC 和智能手机的
  • 关键字: DRAM  市场  

DRAM能否成为半导体市场预测晴雨表?

  •   在今年Gartner的半导体市场分析报告中指出,从历史角度来看,存储市场一直规律的处于2~3年的周期波动中。2021年DRAM市场存在一个供不应求的情况,使得价格上涨,但在2022年下半年会恢复并且进入供过于求的周期,这个周期会导致存储市场价格的整体下滑。下面我们来具体分析都存在哪些因素导致DRAM的周期波动。1.地缘问题导致消费市场向下修正  俄乌战争打破欧洲和平局面,导致能源价格大幅提升,整体社会的消费水平降低,企业和消费者会减少很多不必要的开支。早在4月底,美国商务部公布的数据显示,美国一季度G
  • 关键字: DRAM  半导体  市场  

潜力无限的汽车存储芯片

  •   随着智能化、电动化浪潮的推进,汽车芯片的含量成倍提升,电动车半导体含量约为燃油车2倍,智能车为8-10倍。需求增量端2020年全球约需要439亿颗汽车芯片,2035年增长为1285亿颗。价值增量端,2020年汽车芯片价值量为339亿美元,2035年为893亿美元。可见芯片将成为汽车新利润增长点,有望成为引领半导体发展新驱动力。  汽车芯片从应用环节可以分为5类:主控芯片、存储芯片、功率芯片、模拟芯片、传感器芯片等,以存储芯片为例,2022年全球汽车存储芯片市场规模约52亿美元,国内汽车存储芯片市场规模
  • 关键字: 北京君正  兆易创新  DRAM  NAND  

美光面向数据中心客户推出 DDR5 服务器 DRAM, 推动下一代服务器平台发展

  • 关键优势:● 随着 CPU 内核数量不断增加,改进后的内存架构相比 DDR4[1] 可将带宽提高近一倍,进而提高效率● JEDEC 速度提高至 4800MT/s[2],比 DDR4 快 1.5 倍[3]● 得益于高达 64GB 的模组容量,能够支持内存密集型工作负载[4]● DDR5 的创新架构改进和模组内建电源管理功能,有助于优化系统整体运行性能 内存和存储解决方案领先供应商 Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司)今日宣布
  • 关键字: 美光  数据中心  DRAM  DDR5  

中国DRAM和NAND存储技术和产业能赶超韩国吗?

  • 近日,韩国进出口银行海外经济研究所(OERI)推算,韩国和中国在存储芯片领域的技术差距为:DRAM的差距约为 5年,NAND 的差距约为2年。该研究院分析,中国DRAM制造企业长鑫存储2022年将推进第二代10nm(1y或16nm至17nm)DRAM的量产。三星电子等韩国企业计划在今年年末或明年批量生产第5代10nm(1b或12nm-13nm)DRAM。考虑到每一代的技术差距为2年-2年半,两国之间的技术差距超过5年。据该研究院推测,在NAND闪存领域,中国与韩国的技术差距约为2年。中国存储芯片企业长江存
  • 关键字: DRAM  NAND  

中国SSD行业企业势力全景图

  • 全球范围看,2021-2023年存储芯片的市场规模将分别达到1552亿美元、1804亿美元及2196亿美元,增幅分别达到22.5%、16.2%和21.7%。其中,2021年DRAM市场规模约占56%,NAND Flash市场规模约占41%(IC Insights数据)。另外,根据CFM 闪存市场预计,2021年全球存储市场规模将达1620亿美元,增长29%,其中DRAM为945亿美元,NAND Flash为675亿美元。这两个调研机构的数据相近,相差100亿美元。目前,全球储存芯片市场主要被韩国、欧美以及
  • 关键字: 存储芯片  DRAM  NAND Flash  

2022半导体储存器市场调研 半导体储存器行业前景及现状分析

  •   国内半导体储存器行业市场前景及现状如何?半导体存储器行业是全球集成电路产业规模最大的分支:半导体行业分为集成电路、光电器件、分立器件、传感器等子行业,根据功能的不同,集成电路又可以分为存储器、逻辑电路、模拟电路、微处理器等细分领域。2022半导体储存器市场调研半导体储存器行业前景及现状分析  国内开始布局存储产业规模化,中国大陆的存储器公司陆续成立,存储产业也取得明显的进展。在半导体国产化的大趋势下,国内存储器行业有望迎来新的发展和机遇。  半导体储存器行业产业链下游涵盖智能手机、平板电脑、计算机、网
  • 关键字: 存储  DRAM  市场  

TrendForce:DRAM原厂降价意愿提高 第三季跌至近10%

  • 根据TrendForce最新研究显示,尽管今年上半年的整体消费性需求快速转弱,但先前DRAM原厂议价强势,并未出现降价求售迹象,使得库存压力逐渐由买方堆栈至卖方端。在下半年旺季需求展望不明的状态下,部分DRAM供货商已开始有较明确的降价意图,尤其发生在需求相对稳健的服务器领域以求去化库存压力,此情况将使第三季DRAM价格由原先的季跌3至8%,扩大至近10%,若后续引发原厂竞相降价求售的状况,跌幅恐超越一成。PC OEM仍处于连续性下修出货展望,且综观各家DRAM库存水位平均超过两个月以上,除非有极大的价格
  • 关键字: TrendForce  DRAM  

TrendForce:第三季DRAM价格预估下跌3~8%

  • 据TrendForce研究,尽管有旺季效应和DDR5渗透率提升的支撑,第三季DRAM市场仍不敌俄乌战事、高通膨导致消费性电子需求疲弱的负面影响,进而使得整体DRAM库存上升,成为第三季DRAM价格下跌3~8%的主因,且不排除部分产品别如PC与智能型手机领域恐出现超过8%的跌幅。PC DRAM方面,在需求持续走弱情况下,引发PC OEMs下修整年出货目标,同时也造成DRAM库存快速飙升,第三季PC OEMs仍将着重在调整与去化DRAM库存,采购力道尚难回温。同时,由于整体DRAM产业仍处于供过于求,因此即便
  • 关键字: TrendForce  DRAM  

SK海力士将向英伟达供应业界首款HBM3 DRAM

  • SK海力士宣布公司开始量产 HBM3 -- 拥有当前业界最佳性能的 DRAM。拥有当前业界最佳性能的 HBM3 DRAM 内存芯片,从开发成功到量产仅用七 个月HBM3将与NVIDIA H100 Tensor Core GPU搭配,以实现加速计算(accelerated computing)SK海力士旨在进一步巩固公司在高端 DRAM 市场的领导地位* HBM (High Bandwidth Memory,高带宽存储器):是由垂直堆叠在一起的 DRAM 芯片组合而成的高价值、高性能内存
  • 关键字: SK海力士  英伟达  HBM3  DRAM   

3D DRAM技术是DRAM的的未来吗?

  • 5月25日,有消息传出,华为将在VLSI Symposium 2022期间发表其与中科院微电子研究所合作开发的 3D DRAM 技术。随着“摩尔定律”走向极限,DRAM芯片工艺提升将愈发困难。3D DRAM就成了各大存储厂商突破DRAM工艺极限的新方案。DRAM工艺的极限目前,DRAM芯片最先进的工艺是10nm。据公开资料显示,三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出货;美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM产品的量产。那么,10nm是DRAM工艺的极限吗?在回答这个问题之前,我
  • 关键字: DRAM  3D DRAM  华为  三星  美光  制程  纳米  

利基型DRAM持续扩产 华邦电 抢攻AIoT、元宇宙

  • 内存大厂华邦电日前宣布扩大利基型DDR3产出,争取韩系DRAM厂退出后的市占率,推升营收及获利续创新高。华邦电自行开发的20奈米DRAM制程,将于明年导入至高雄厂量产,为长远发展奠定良好的基础与成长动能,同时满足5G基地台、人工智能物联网(AIoT)、电动车及车用电子、元宇宙等产业大趋势强劲需求。华邦电第一季迎来利基型DRAM价格回升,SLC NAND及NOR Flash价格回稳,季度营收265.14亿元为历史次高,归属母公司税后净利年增近1.9倍达45.59亿元并创下历史新高,每股净利1.15元优于预期
  • 关键字: DRAM  华邦电  AIoT  元宇宙  
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dram介绍

DRAM(Dynamic Random-Access Memory),即动态随机存储器最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据,DRAM使用电容存储,所以 必须隔一段时间刷新(refresh)一次,如果存储单元没有被刷新,存储的数据就会丢失。 它的存取速度不快,在386、486时期被普遍应用。 动态RAM的工作原理 动态RAM也是由许多基本存储元按照行和列来组 [ 查看详细 ]

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