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三星推11纳米FinFET,宣布7nm将全面导入EUV

作者:时间:2017-10-07来源:technews

  随着台积电宣布全世界第一个 3 奈米制程的建厂计划落脚台湾南科之后,10 奈米以下个位数制程技术的竞争就正式进入白热化的阶段。 台积电的对手 29 日也宣布,将开始导入 11 奈米的 ,预计在 2018 年正式投产之外,也宣布将在新一代的 7 奈米制程上全面采用 EUV 极紫外线光刻设备。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/201710/365089.htm

  根据表示,11 奈米 制程技术「11LPP (Low Power Plus)」是现今 14 奈米和 10 奈米制程的融合,一方面采用 10 奈米制程 BEOL (后端制程),可以大大缩小芯片面积。 另一方面,也沿用 14 奈米 LPP 制程的部分元素。 未来,的 11LPP 制程技术将填补 14 奈米与、10 奈米制程之间的空白,号称可在同等晶体管数量和功耗下,比 14LPP 制程技术提升 15% 的性能,或者降低 10% 的功耗。 另外,还可以使得晶体管的密度也有所提升。

  至于,三星于 2016 年 10 月开始投产 10 奈米制程技术「10LPE (10nm Low Power Early)」。 而目前已经完成研发,达到即将投产的下一代「10LPP (10nm Low Power Plus)」状态,主要将可协助生产更高规格的智能型手机芯片。 而三星的 14 奈米制程技术部分,则将以主流、低功耗和紧致型的芯片生产为主。 目前,三星还在积极开发增加新一代的 14LPU、10LPU 制程版本。

  另外,三星还表示,未来还一路准备了 9 奈米、8 奈米、7 奈米、6 奈米、5 奈米制程技术,其中 7 奈米的 7LPP 版本还将会全面加入 EUV 极紫外光刻设备制程,而且确认将在 2018 年下半年试产。 不过,也另有报导表示,在那之前的 2018 年上半年,三星会首先在 8LPP 制程的特定制程上开始使用 EUV。

 

  三星指出,2014 年以来,已经使用 EUV 技术处理了接近 20 万片晶圆,并取得了丰硕成果。 比如 256Mb SRAM 的产品良率已经达到了 80%。 而也因为三星有晶圆代工,DRAM,NAND Flash 的制造与生产能力,又在内存产品的市占率上独占鳌头。 使得,三星具有雄厚的本钱可以使用 EUV 的设备。 但是,这也使得其他竞争厂商产生庞大的成本压力。 因为, EUV 的价值不斐,要能够有效率的应用以增加收入,这对其他内存厂商来说是一件具备压力的事情。



关键词: 三星 FinFET

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