首页  资讯  商机   下载  拆解   高校  招聘   杂志  会展  EETV  百科   问答  电路图  工程师手册   Datasheet  100例   活动中心  E周刊阅读   样片申请
EEPW首页 >> 主题列表 >> finfet

finfet 文章

MOS器件的发展与面临的挑战

  • 随着集成电路工艺制程技术的不断发展,为了提高集成电路的集成度,同时提升器件的工作速度和降低它的功耗,MOS器件的特征尺寸不断缩小,MOS器件面临一系列的挑战。
  • 关键字: MOS  FinFET  

模拟技术的困境

  •   在这样一个对数字电路处理有利的世界中,模拟技术更多地用来处理对它们不利的过程。但这个现象可能正在改变。  我们生活在一个模拟世界中,但数字技术已经成为主流技术。混合信号解决方案过去包含大量模拟数据,只需要少量的数字信号处理,这种方案已经迁移到系统应用中,在系统中第一次产生了模数转换过程。  模拟技术衰落有几个原因,其中一些是建立在自身缺陷上的。摩尔定律适用于数字电路而不是模拟电路;晶体管可以而且必须做得更小,这有利于数字电路。但这对模拟晶体管的影响并不大,反而器件尺寸越小,模拟器件特性往往越差。器件的
  • 关键字: 摩尔定律  FinFET  

格芯交付性能领先的7纳米FinFET技术在即

  •   格芯今日宣布推出其具有7纳米领先性能的(7LP)FinFET半导体技术,其40%的跨越式性能提升将满足诸如高端移动处理器、云服务器和网络基础设施等应用的需求。设计套件现已就绪,基于7LP技术的第一批客户产品预计于2018年上半年推出,并将于2018年下半年实现量产。  2016年9月,格芯曾宣布将充分利用其在高性能芯片制造中无可比拟的技术积淀,来研发自己7纳米FinFET技术的计划。由于晶体管和工艺水平的进一步改进,7LP技术的表现远优于最初的性能目标。与先前基于14纳米FinFET技术的产品相比,预
  • 关键字: 格芯  FinFET  

SoC系统开发人员:FinFET对你来说意味着什么?

  • 大家都在谈论FinFETmdash;mdash;可以说,这是MOSFET自1960年商用化以来晶体管最大的变革。几乎每个人mdash;mdash;除了仍然热心于全耗尽绝缘体硅薄膜(FDSOI)的人,都认为20 nm节点以后,FinFET将成为SoC的未来。但是对于要使用这些SoC的系统开发人员而言,其未来会怎样呢?
  • 关键字: SoC  Synopsys  FinFET  

ALD技术在未来半导体制造技术中的应用

  • 由于低温沉积、薄膜纯度以及绝佳覆盖率等固有优点,ALD(原子层淀积)技术早从21世纪初即开始应用于半导体加工制造。DRAM电容的高k介电质沉积率先采用此技术,但近来ALD在其它半导体工艺领域也已发展出愈来愈广泛的应用。
  • 关键字: ALD  半导体制造  FinFET  PVD  CVD  

FinFET布局和布线要经受各种挑战

  •   随着高级工艺的演进,电路设计团队在最先进的晶片上系统内加载更多功能和性能的能力日益增强。与此同时,他们同样面临许多新的设计挑战。多重图案拆分给设计实施过程带来了许多重大布局限制,另外为降低功耗和提高性能而引入 FinFET 晶体管使之更加复杂,因为它对摆设和布线流程带来了更多的限制。下面就随模拟电子小编一起来了解一下相关内容吧。   FinFET布局和布线要经受各种挑战   随着高级工艺的演进,电路设计团队在最先进的晶片上系统内加载更多功能和性能的能力日益增强。与此同时,他们同样面临许多新的设
  • 关键字: FinFET  

英特尔推全新低功耗FinFET技术 22纳米制程战场烟硝起

  •   英特尔(Intel)宣布将在2017年底之前启动全新22纳米鳍式场效电晶体(FinFET)制程22 FFL,相关开发套件(PDK)在接下来几个月也将陆续到位,市场上认为22 FFL的推出,显然是针对GlobalFoundries等业者以全空乏绝缘上覆硅(FD-SOI)为移动装置及物联网(IoT)应用所生产之同类芯片而来。   据EE Times Asia报导,英特尔称自家22 FFL是市场上首款为低功耗IoT应用及移动装置产品而开发出来的FinFET技术,能打造出高效能及低功耗的电晶体,漏电流(le
  • 关键字: 英特尔  FinFET  

传梁孟松加盟中芯国际 两岸半导体技术战一触即发

  •   继网罗到蒋尚义这位台湾半导体大将后,大陆半导体产业又有新动作。据报道,传大陆行业领头羊中芯国际要将梁孟松收入麾下,梁孟松或于 5 月出任中芯国际 CTO 或 COO。和蒋尚义一样,梁孟松同样来自台积电技术研发高层,他曾任台积电资深研发处长。   之前蒋尚义加入中芯时,已经是半导体行业的一枚重磅炸弹了,毕竟无论是从他 40 多年的行业经验还是在台积电的任职时间来看,他都堪称元老。在台积电,蒋尚义参与主导了从0.25微米、0.18微米直至16纳米制程技术的研发,张忠谋曾感激他为“台积电16年
  • 关键字: 中芯国际  FinFET  

FinFET之父胡正明谈人才培育

  •   潘文渊文教基金会日前举行“潘文渊奖”颁奖典礼,2016年的得奖人是加州大学柏克莱分校讲座教授胡正明,他曾回台担任台积电首任技术长,也是工研院院士,他所研发的3D鳍式晶体管(FinFET)突破物理极限,堪称半导体工业40多年来的最大变革。   胡正明目前仍深耕学术教育,为产学研界培育众多优秀人才。 在颁奖典礼中,胡正明与清华大学前校长刘炯朗以“创新人才培育─迈向科技新世代”为题进行高峰论坛,两人提出许多深具启发性的见解。   肯定自己 解决问题就是创新
  • 关键字: FinFET  

胡正明续写摩尔传奇 FinFET/FD-SOI厂商如何押宝?

  •   近日格罗方德12英寸晶圆厂落户中国成都引起业界关注,为何?因为FD-SOI技术。   众所周知,当栅极长度逼近20nm大关时,对电流控制能力急剧下降,漏电率相应提高。FinFET与FD-SOI恰是半导体微缩时代续命的高招。   尽管FinFET与FD-SOI师出同门,但是,两者却被“阵营化”,FinFET阵营占据绝对优势。格罗方德是为数不多的FD-SOI技术坚守与推动者了。FD-SOI能是否叫板FinFET?希望格罗方德12英寸晶圆厂能给出答案。   今天我们就来谈谈Fi
  • 关键字: FinFET  FD-SOI  

SOI与finFET工艺对比 中国需要发展谁才正确

  • 中国半导体业发展可能关键不在于方向在那里?而是确定方向之后,如何踏实去干,去解决一个一个难题。任何进步没有捷径,其中骨干企业的责任尤为重要。
  • 关键字: SOI  finFET  

高通总裁谈服务器芯片:更低功耗实现相同性能

  •   2016年12月7日,高通宣布在服务器领域的最新进展:其首款10nm服务器芯片Qualcomm Centriq 2400开始商用送样,预计在2017年下半年实现商用。作为Qualcomm Centriq系列的首款产品,Centriq 2400采用最先进的10nm FinFET制程技术,这也是全球首款10nm处理器芯片,最高可配置48个核心。   高通官方介绍,Qualcomm Centriq 2400系列主打QDT的ARMv8可兼容定制内核——Qualcomm® Fa
  • 关键字: 高通  FinFET  

中国微电子所在FinFET工艺上的突破有何意义?

  •   最近,中国微电子所集成电路先导工艺研发中心在下一代新型FinFET逻辑器件工艺研究上取得重要进展。微电子所殷华湘研究员的课题组,利用低温低阻NiPt硅化物在新型FOI FinFET上实现了全金属化源漏(MSD),能显著降低源漏寄生电阻,从而将N/PMOS器件性能提高大约30倍,使得驱动性能达到了国际先进水平。   基于本研究成果的论文被2016年IEEE国际电子器件大会(IEDM)接收,并在IEDM的关键分会场之一——硅基先导CMOS 工艺和制造技术(PMT)上,由张青竹
  • 关键字: FinFET  摩尔定律  

中国突破半导体新工艺 先要从这位美籍华人讲起

  • 由于技术和商业上的原因,摩尔定律也失去了效力,而且受制于光刻技术、硅材料的极限等因素,芯片制程提升很可能会遭遇瓶颈,这种情况下胡正明教授的FinFET研究就尤为重要。
  • 关键字: 半导体  FinFET  

格罗方德展示基于先进14nm FinFET工艺技术的业界领先56Gbps长距离SerDes

  •   格罗方德公司今天宣布,已证实运用14纳米FinFET工艺在硅芯片上实现真正长距离56Gbps SerDes性能。作为格罗方德高性能ASIC产品系列的一部分,FX-14™ 具有56Gbps SerDes,致力于为提高功率和性能的客户需求而生,亦为应对最严苛的长距离高性能应用需求而准备。  格罗方德56Gbps SerDes 内核同时支持 PAM4 和 NRZ 信号传导,可补偿超过35dB的插入损耗,因而无须在目前极
  • 关键字: 格罗方德  FinFET  
共99条 1/7 1 2 3 4 5 6 7 »   

finfet介绍

FinFET称为鳍式场效晶体管(FinField-effecttransistor;FinFET)是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管,闸长已可小于25奈米,未来预期可以进一步缩小至9奈米,约是人类头发宽度的1万分之1。由于此一半导体技术上的突破,未来芯片设计人员可望能够将超级计算机设计成只有指甲般大小。 FinFET源自于目前传统标准的晶体管—场效晶体管 (Field-ef [ 查看详细 ]

热门主题

FPGA    DSP    MCU    示波器    步进电机    Zigbee    LabVIEW    Arduino    RFID    NFC    STM32    Protel    GPS    MSP430    Multisim    滤波器    CAN总线    开关电源    单片机    PCB    USB    ARM    CPLD    连接器    MEMS    CMOS    MIPS    EMC    EDA    ROM    陀螺仪    VHDL    比较器    Verilog    稳压电源    RAM    AVR    传感器    可控硅    IGBT    嵌入式开发    逆变器    Quartus    RS-232    Cyclone    电位器    电机控制    蓝牙    PLC    PWM    汽车电子    转换器    电源管理    信号放大器    树莓派    linux   
关于我们 - 广告服务 - 企业会员服务 - 网站地图 - 联系我们 - 征稿 - 友情链接 - 手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
备案 京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案:1101082052    京公网安备11010802012473