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格芯技术大会携最新技术突出中国市场重要地位

  • 近日,格芯2017技术大会(GLOBALFOUNDRIES Technology Conference或GTC)于上海举行,格芯盛邀数百位半导体行业领导者、客户、研究专家与核心媒体齐聚一堂,并精心为与会者准备了公司的核心业务、市场推进方向与创新成果,以及包括制程工艺、设计实现、IP、射频以及生态圈的发展等方面的最新进展,共同聚焦格芯面向5G互联时代的技术解决方案。作为格芯的年度技术盛会,本次大会格芯分享的技术主题十分广泛,包括FDX®设计和生态系统、IoT,5G/网络和汽车解决方案智能应用,FDX®、Fi
  • 关键字: GTC  FDSOI  FINFET  制程  

详解先进的半导体工艺之FinFET

  • 详解先进的半导体工艺之FinFET-FinFET称为鳍式场效晶体管(FinField-EffectTransistor;FinFET)是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管。
  • 关键字: FinFET  半导体工艺  

三星推11纳米FinFET,宣布7nm将全面导入EUV

  •   随着台积电宣布全世界第一个 3 奈米制程的建厂计划落脚台湾南科之后,10 奈米以下个位数制程技术的竞争就正式进入白热化的阶段。 台积电的对手三星 29 日也宣布,将开始导入 11 奈米的 FinFET,预计在 2018 年正式投产之外,也宣布将在新一代的 7 奈米制程上全面采用 EUV 极紫外线光刻设备。   根据三星表示,11 奈米 FinFET 制程技术「11LPP (Low Power Plus)」是现今 14 奈米和 10 奈米制程的融合,一方面采用 10 奈米制程 BEOL (后端制程),
  • 关键字: 三星  FinFET  

FD SOI生态持续完善,与FinFET分庭抗礼局势形成

  •   FD SOI技术在物联网蓬勃发展的大环境下,以其低功耗、集成射频和存储、高性能等优势获得业界各方重视;在以芯原、Globalfoundries(格芯)、三星等为代表的企业的推动下,该产业链正逐步得到完善。此外,在中国大力发展集成电路的当口,FD-SOI技术还给中国企业带去更多的发展空间和机遇,如何充分利用FD-SOI技术优势,实现差异化创新成了众IC设计企业的探讨重点。此外,5G网络与物联网的不断进化,对RF技术革新的强烈需求,对RF SOI技术带来更广大的市场前景。   FD SOI生态系统逐步完
  • 关键字: FinFET  物联网  

格芯发布为IBM系统定制的14纳米FinFET技术

  •   格芯(GLOBALFOUNDRIES)正在提供其为IBM的下一代服务器系统处理器定制的量产14纳米高性能(HP)技术。这项双方共同开发的工艺专为IBM提供所需的超高性能和数据处理能力,从而在大数据和认知计算的时代为IBM的云、商业和企业解决方案提供支持。IBM在9月13日宣布推出IBM Z产品。  14HP是业内唯一将三维FinFET晶体管架构结合在SOI衬底上的技术。该技术采用了17层金属层结构,每个芯片上有80多亿个晶体管,通过嵌入式动态随机存储器(DRAM)以及其它创新功能,达到比前代
  • 关键字: 格芯  FinFET  

格芯为高性能应用推出全新12纳米 FinFET技术

  •   格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布计划推出全新12纳米领先性能(12LP)的FinFET半导体制造工艺。该技术预计将提高当前代14纳米 FinFET产品的密度和性能,同时满足从人工智能、虚拟现实到高端智能手机、网络基础设施等最具计算密集型处理需求的应用。  这项全新的12LP技术与当前市场上的16 /14纳米 FinFET解决方案相比,电路密度提高了15%,性能提升超过10%。这表明12LP完全可与其它晶圆厂的12纳米 FinFET产品竞争。这项技术
  • 关键字: 格芯  FinFET  

MOS器件的发展与面临的挑战

  • 随着集成电路工艺制程技术的不断发展,为了提高集成电路的集成度,同时提升器件的工作速度和降低它的功耗,MOS器件的特征尺寸不断缩小,MOS器件面临一系列的挑战。
  • 关键字: MOS  FinFET  

模拟技术的困境

  •   在这样一个对数字电路处理有利的世界中,模拟技术更多地用来处理对它们不利的过程。但这个现象可能正在改变。  我们生活在一个模拟世界中,但数字技术已经成为主流技术。混合信号解决方案过去包含大量模拟数据,只需要少量的数字信号处理,这种方案已经迁移到系统应用中,在系统中第一次产生了模数转换过程。  模拟技术衰落有几个原因,其中一些是建立在自身缺陷上的。摩尔定律适用于数字电路而不是模拟电路;晶体管可以而且必须做得更小,这有利于数字电路。但这对模拟晶体管的影响并不大,反而器件尺寸越小,模拟器件特性往往越差。器件的
  • 关键字: 摩尔定律  FinFET  

格芯交付性能领先的7纳米FinFET技术在即

  •   格芯今日宣布推出其具有7纳米领先性能的(7LP)FinFET半导体技术,其40%的跨越式性能提升将满足诸如高端移动处理器、云服务器和网络基础设施等应用的需求。设计套件现已就绪,基于7LP技术的第一批客户产品预计于2018年上半年推出,并将于2018年下半年实现量产。  2016年9月,格芯曾宣布将充分利用其在高性能芯片制造中无可比拟的技术积淀,来研发自己7纳米FinFET技术的计划。由于晶体管和工艺水平的进一步改进,7LP技术的表现远优于最初的性能目标。与先前基于14纳米FinFET技术的产品相比,预
  • 关键字: 格芯  FinFET  

SoC系统开发人员:FinFET对你来说意味着什么?

  • 大家都在谈论FinFETmdash;mdash;可以说,这是MOSFET自1960年商用化以来晶体管最大的变革。几乎每个人mdash;mdash;除了仍然热心于全耗尽绝缘体硅薄膜(FDSOI)的人,都认为20 nm节点以后,FinFET将成为SoC的未来。但是对于要使用这些SoC的系统开发人员而言,其未来会怎样呢?
  • 关键字: SoC  Synopsys  FinFET  

ALD技术在未来半导体制造技术中的应用

  • 由于低温沉积、薄膜纯度以及绝佳覆盖率等固有优点,ALD(原子层淀积)技术早从21世纪初即开始应用于半导体加工制造。DRAM电容的高k介电质沉积率先采用此技术,但近来ALD在其它半导体工艺领域也已发展出愈来愈广泛的应用。
  • 关键字: ALD  半导体制造  FinFET  PVD  CVD  

FinFET布局和布线要经受各种挑战

  •   随着高级工艺的演进,电路设计团队在最先进的晶片上系统内加载更多功能和性能的能力日益增强。与此同时,他们同样面临许多新的设计挑战。多重图案拆分给设计实施过程带来了许多重大布局限制,另外为降低功耗和提高性能而引入 FinFET 晶体管使之更加复杂,因为它对摆设和布线流程带来了更多的限制。下面就随模拟电子小编一起来了解一下相关内容吧。   FinFET布局和布线要经受各种挑战   随着高级工艺的演进,电路设计团队在最先进的晶片上系统内加载更多功能和性能的能力日益增强。与此同时,他们同样面临许多新的设
  • 关键字: FinFET  

英特尔推全新低功耗FinFET技术 22纳米制程战场烟硝起

  •   英特尔(Intel)宣布将在2017年底之前启动全新22纳米鳍式场效电晶体(FinFET)制程22 FFL,相关开发套件(PDK)在接下来几个月也将陆续到位,市场上认为22 FFL的推出,显然是针对GlobalFoundries等业者以全空乏绝缘上覆硅(FD-SOI)为移动装置及物联网(IoT)应用所生产之同类芯片而来。   据EE Times Asia报导,英特尔称自家22 FFL是市场上首款为低功耗IoT应用及移动装置产品而开发出来的FinFET技术,能打造出高效能及低功耗的电晶体,漏电流(le
  • 关键字: 英特尔  FinFET  

传梁孟松加盟中芯国际 两岸半导体技术战一触即发

  •   继网罗到蒋尚义这位台湾半导体大将后,大陆半导体产业又有新动作。据报道,传大陆行业领头羊中芯国际要将梁孟松收入麾下,梁孟松或于 5 月出任中芯国际 CTO 或 COO。和蒋尚义一样,梁孟松同样来自台积电技术研发高层,他曾任台积电资深研发处长。   之前蒋尚义加入中芯时,已经是半导体行业的一枚重磅炸弹了,毕竟无论是从他 40 多年的行业经验还是在台积电的任职时间来看,他都堪称元老。在台积电,蒋尚义参与主导了从0.25微米、0.18微米直至16纳米制程技术的研发,张忠谋曾感激他为“台积电16年
  • 关键字: 中芯国际  FinFET  

FinFET之父胡正明谈人才培育

  •   潘文渊文教基金会日前举行“潘文渊奖”颁奖典礼,2016年的得奖人是加州大学柏克莱分校讲座教授胡正明,他曾回台担任台积电首任技术长,也是工研院院士,他所研发的3D鳍式晶体管(FinFET)突破物理极限,堪称半导体工业40多年来的最大变革。   胡正明目前仍深耕学术教育,为产学研界培育众多优秀人才。 在颁奖典礼中,胡正明与清华大学前校长刘炯朗以“创新人才培育─迈向科技新世代”为题进行高峰论坛,两人提出许多深具启发性的见解。   肯定自己 解决问题就是创新
  • 关键字: FinFET  
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finfet介绍

FinFET称为鳍式场效晶体管(FinField-effecttransistor;FinFET)是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管,闸长已可小于25奈米,未来预期可以进一步缩小至9奈米,约是人类头发宽度的1万分之1。由于此一半导体技术上的突破,未来芯片设计人员可望能够将超级计算机设计成只有指甲般大小。 FinFET源自于目前传统标准的晶体管—场效晶体管 (Field-ef [ 查看详细 ]

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