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格罗方德12LP+ FinFET解决方案针对AI进行优化

  • 半导体代工厂格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)宣布,旗下最先进的FinFET解决方案「12LP+」已通过技术验证,目前准备投入生产。 格罗方德的差异化「12LP+」解决方案主要针对AI训练以及推论应用进行优化。本解决方案建立于验证过的平台上,具有强大的制造生态系统,可为芯片设计师带来高效能的开发体验,及快速的上市时间。 为达到性能、功耗和面积的组合,12LP+导入了若干新功能,包含更新后的标准组件库、用于2.5D封装的中介板,与一个低功耗的0.5V Vmin SRAM记忆单元,以支持AI处理器与内
  • 关键字: 格罗方德  12LP+  FinFET  AI  

微缩实力惊人 台积3纳米续沿用FinFET晶体管制程

  • 由于世界前两大的半导体厂都相继宣布投入GAA的怀抱,因此更让人笃定,也许3纳米将会是GAA的时代了,因为至3纳米制程,FinFET晶体管就可能面临瓶颈,必须被迫进入下个世代。
  • 关键字: 微缩  台积电  3纳米  FinFET  

燧原科技推出搭载基于格芯12LP平台的“邃思”芯片的人工智能训练解决方案云燧T10

  • 在燧原科技(燧原)发布云燧T10之际,燧原与格芯(GLOBALFOUNDRIES)近日共同宣布推出针对数据中心培训的高性能深度学习加速卡解决方案,其核心“邃思”(DTU)基于格芯12LP®FinFET平台及2.5D 封装技术,为云端人工智能训练平台提供高算力、高能效比的数据处理。燧原的“邃思”(DTU)利用格芯12LP  FinFET平台拥有141亿个晶体管,采用先进的2.5D封装技术,支持PCIe 4.0接口和燧原 Smart Link高速互联。支持CNN/RNN等各种网络模型和丰富的数据类型
  • 关键字: FinFET  2.5D  

新思科技和台积合作在其5纳米 FinFET 强化版N5P制程技术上开发DesignWare IP核产品组合

  • 台积公司5奈米 FinFET 强化版(N5P)制程技术上开发的DesignWare PHY IP核包括USB、DisplayPort、DDR、LPDDR、HBM、PCI Express、Ethernet、MIPI和HDMI台积公司N5P工艺上开发的DesignWare基础IP核包括高速、面积优化和低功耗的嵌入式存储器、逻辑库和一次性可编程非易失性存储器。STAR Memory System™采用针对5nm FinFET晶体管缺陷的新算法,可有效测试、修复和诊断嵌入式存储器新思科技(Synopsys, In
  • 关键字: 新思  台积合   FinFET 强化版N5P  

格芯针对人工智慧应用推出12LP+ FinFET解决方案

  • 晶圆代工大厂格芯(GLOBALFOUNDRIES)宣布,与IC设计厂SiFive正在合作研发将高频宽存储器(HBM2E)运用于格芯最近宣布的12LP+FinFET解决方案,以扩展高性能DRAM。12LP+FinFET解决方案将提供2.5D封装设计服务,可加速人工智能(AI)应用上市时间。
  • 关键字: 格芯  人工智慧应用  12LP+ FinFET  

Mentor 扩展解决方案以支持 TSMC 5nm FinFET 和 7nm FinFET Plus 工艺技术

  •   Mentor, a Siemens business 今日宣布 Mentor Calibre® nmPlatform 和 Analog FastSPICE™ (AFS™) Platform 获得 TSMC 的 7nm FinFET Plus 和最新版本的 5nm FinFET 工艺的认证。此外,Mentor 还继续扩展 Xpedition™ Package Designer 和 Xpedition Substrate Integrator 产品的功能,以支持 TSMC 的高级封装产品。  TSMC 设
  • 关键字: Mentor  FinFET   

格芯扩展FinFET产品新特性为全面实现未来智能系统

  •   格芯是全球领先的全方位服务半导体代工厂,为世界上最富有灵感的科技公司提供独一无二的设计、开发和制造服务。2018年9月25日, 格芯在其年度全球技术大会(GTC)上,继在300mm平台上面向下一代移动应用推出8SW RF SOI客户端芯片后,格芯宣布计划在其14/12nm FinFET产品中引入全套新技术,这是公司加强差异化投资的全新侧重点之一,功能丰富的半导体平台为下一代计算应用提供具有竞争力的性能和可扩展性。新工艺技术旨在为快速增长市场(如超大规模数据中心和自动驾驶汽车)应用提供更好的可扩展性和性
  • 关键字: 格芯  FinFET  

GF宣布将在既有14/12纳米FinFET制程节点基础上,向外扩展应用领域

  •   自从28纳米制程节点向下转进以来,就剩下四大晶圆代工厂商持续巩固先进制程:台积电、三星电子(SamsungElectronics)、GlobalFoundries(GF)以及英特尔(Intel)。但在这四大厂商转进16/14纳米先进制程过程中,又以GF历经最多波折,但最终,GF寻求向三星取得14纳米制程授权,更成功将该节点制程落实在自家晶圆厂。随后包括超微(AMD)旗下RyzenCPU与PolarisGPU系列产品的成功,均可说是GF旗下晶圆厂14纳米制程终于达到良率开出顺利,并且改善制程足以提供更明
  • 关键字: GF  FinFET  

格芯终止7nm FinFET工艺研发,接下来要发大招?

  • 和其他晶圆厂一样,格芯正在迎来各种各样的挑战。
  • 关键字: 格芯  7nm  FinFET  

FinFET对动态功耗的影响

  • 现在主要的代工厂都在生产FinFET晶体管,这些FinFET以创纪录的速度实现了从设计到现货产品的转变。FinFET的发展普及一直都比较稳定,因为与平面器件相
  • 关键字: FinFET  动态功耗  

中芯国际14纳米FinFET制程开始客户导入,Q2营收同比增长18.6%

  •   9日中芯国际集成电路制造有限公司公布截至2018年6月30日止第二季度的综合经营业绩。中芯国际第二季度销售额为8.907亿美元,与上一季度环比增长7.2%,与去年同比增长18.6%。欣喜的是,14纳米FinFET制程开始进入到客户导入阶段,可以预见量产目标已不遥远。14纳米FinFET制程如果正式量产,对于中芯国际来说将是一个历史性的时刻。不仅可以确保其遥遥领先于国内的竞争对手,更是可以拉近其和国际芯片大厂之间的距离。  根据中芯国际财报,第二季度不含技术授权收入(授权收入)确认的销售额为8.379亿
  • 关键字: 中芯国际  14纳米  FinFET  

利用FinFET优势的六种方式

  • 为了能够充分发挥好工艺制程的功耗,性能和面积(PPA)上的优势, 必须要求我们的设计人员将有相关工艺知识的设计战略和优化的IP相结合,其中包括了标准
  • 关键字: FinFET  synopsys  

FinFET布局和布线要经受的重大考验

  • 随着高级工艺的演进,电路设计团队在最先进的晶片上系统内加载更多功能和性能的能力日益增强。与此同时,他们同样面临许多新的设计挑战。多重图案拆分
  • 关键字: FinFET  布线  

三星侵犯大学专利,赔偿金或高达4亿美元

  •   近日,德克萨斯州联邦陪审团作出一项裁决:三星电子因侵犯韩国技术学院一项专利技术,需向后者支付赔偿金或将高达4亿美元。  据了解,韩国技术学院曾向法院提起诉讼,指控三星电子侵犯了其鳍片晶体管技术(FinFET)制程工艺相关的专利技术。然而三星向陪审团表示,它与韩国技术学院合作开发了这项技术,并否认侵犯了相关专利技术。三星还对这项专利的有效性提出了质疑。就在三星对此不屑一顾时,其对手英特尔公司开始向这项技术的发明者取得许可授权,围绕三星是否侵权的力量博弈发生了改变,三星才开始重视这个事件的严重性。  据悉
  • 关键字: 三星  FinFET  

掌控芯片制造的“火候”,看懂小处用心的美好

  • 小小的芯片,看似简单,却充满了科技之道。只有真的懂得制造工艺与应用原理,了解每一颗芯片生产背后的艰辛,才能看懂制造商从小处用心的美好。
  • 关键字: 芯片  FinFET  
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finfet介绍

FinFET称为鳍式场效晶体管(FinField-effecttransistor;FinFET)是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管,闸长已可小于25奈米,未来预期可以进一步缩小至9奈米,约是人类头发宽度的1万分之1。由于此一半导体技术上的突破,未来芯片设计人员可望能够将超级计算机设计成只有指甲般大小。 FinFET源自于目前传统标准的晶体管—场效晶体管 (Field-ef [ 查看详细 ]

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