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格芯扩展FinFET产品新特性为全面实现未来智能系统

  •   格芯是全球领先的全方位服务半导体代工厂,为世界上最富有灵感的科技公司提供独一无二的设计、开发和制造服务。2018年9月25日, 格芯在其年度全球技术大会(GTC)上,继在300mm平台上面向下一代移动应用推出8SW RF SOI客户端芯片后,格芯宣布计划在其14/12nm FinFET产品中引入全套新技术,这是公司加强差异化投资的全新侧重点之一,功能丰富的半导体平台为下一代计算应用提供具有竞争力的性能和可扩展性。新工艺技术旨在为快速增长市场(如超大规模数据中心和自动驾驶汽车)应用提供更好的可扩展性和性
  • 关键字: 格芯  FinFET  

GF宣布将在既有14/12纳米FinFET制程节点基础上,向外扩展应用领域

  •   自从28纳米制程节点向下转进以来,就剩下四大晶圆代工厂商持续巩固先进制程:台积电、三星电子(SamsungElectronics)、GlobalFoundries(GF)以及英特尔(Intel)。但在这四大厂商转进16/14纳米先进制程过程中,又以GF历经最多波折,但最终,GF寻求向三星取得14纳米制程授权,更成功将该节点制程落实在自家晶圆厂。随后包括超微(AMD)旗下RyzenCPU与PolarisGPU系列产品的成功,均可说是GF旗下晶圆厂14纳米制程终于达到良率开出顺利,并且改善制程足以提供更明
  • 关键字: GF  FinFET  

格芯终止7nm FinFET工艺研发,接下来要发大招?

  • 和其他晶圆厂一样,格芯正在迎来各种各样的挑战。
  • 关键字: 格芯  7nm  FinFET  

FinFET对动态功耗的影响

  • 现在主要的代工厂都在生产FinFET晶体管,这些FinFET以创纪录的速度实现了从设计到现货产品的转变。FinFET的发展普及一直都比较稳定,因为与平面器件相
  • 关键字: FinFET  动态功耗  

中芯国际14纳米FinFET制程开始客户导入,Q2营收同比增长18.6%

  •   9日中芯国际集成电路制造有限公司公布截至2018年6月30日止第二季度的综合经营业绩。中芯国际第二季度销售额为8.907亿美元,与上一季度环比增长7.2%,与去年同比增长18.6%。欣喜的是,14纳米FinFET制程开始进入到客户导入阶段,可以预见量产目标已不遥远。14纳米FinFET制程如果正式量产,对于中芯国际来说将是一个历史性的时刻。不仅可以确保其遥遥领先于国内的竞争对手,更是可以拉近其和国际芯片大厂之间的距离。  根据中芯国际财报,第二季度不含技术授权收入(授权收入)确认的销售额为8.379亿
  • 关键字: 中芯国际  14纳米  FinFET  

利用FinFET优势的六种方式

  • 为了能够充分发挥好工艺制程的功耗,性能和面积(PPA)上的优势, 必须要求我们的设计人员将有相关工艺知识的设计战略和优化的IP相结合,其中包括了标准
  • 关键字: FinFET  synopsys  

FinFET布局和布线要经受的重大考验

  • 随着高级工艺的演进,电路设计团队在最先进的晶片上系统内加载更多功能和性能的能力日益增强。与此同时,他们同样面临许多新的设计挑战。多重图案拆分
  • 关键字: FinFET  布线  

三星侵犯大学专利,赔偿金或高达4亿美元

  •   近日,德克萨斯州联邦陪审团作出一项裁决:三星电子因侵犯韩国技术学院一项专利技术,需向后者支付赔偿金或将高达4亿美元。  据了解,韩国技术学院曾向法院提起诉讼,指控三星电子侵犯了其鳍片晶体管技术(FinFET)制程工艺相关的专利技术。然而三星向陪审团表示,它与韩国技术学院合作开发了这项技术,并否认侵犯了相关专利技术。三星还对这项专利的有效性提出了质疑。就在三星对此不屑一顾时,其对手英特尔公司开始向这项技术的发明者取得许可授权,围绕三星是否侵权的力量博弈发生了改变,三星才开始重视这个事件的严重性。  据悉
  • 关键字: 三星  FinFET  

掌控芯片制造的“火候”,看懂小处用心的美好

  • 小小的芯片,看似简单,却充满了科技之道。只有真的懂得制造工艺与应用原理,了解每一颗芯片生产背后的艰辛,才能看懂制造商从小处用心的美好。
  • 关键字: 芯片  FinFET  

胡正明:技术创新可能让半导体晶体管密度再增加1000倍

  •   “半导体市场正在经历由技术推动到需求推动的转变。而半导体技术上的创新,可能让半导体晶体管密度再增加1000倍,仍有巨大空间。”近日,美国加州大学伯克利分校教授、国际微电子学家胡正明在接受集微网采访时表示。  自1965年摩尔定律提出以来,历经半个多世纪的发展,如今越来越遭遇挑战,特别是新世纪以来,每隔十年,摩尔定律以及半导体的微型化似乎便会遭遇到可能终止的危机。  胡正明发明了鳍型晶体管(FinFET)以及「全耗尽型绝缘层上硅晶体管」(FD-SOI),两大革命性创新为半导体带来新契机。 2011年5月
  • 关键字: FinFET  7纳米  

7nm或将引爆2018年手机市场,国产手机岌岌可危

  • 在2018年,如果苹果新一代产品应用7nm制程工艺的消息被确认,那么对于其竞争对手,或将成为一场腥风血雨;而对于整个产业来说,或将成为转折点;对于我们消费者来说,当然是件好事情。
  • 关键字: 7nm  FinFET  

格芯技术大会携最新技术突出中国市场重要地位

  • 近日,格芯2017技术大会(GLOBALFOUNDRIES Technology Conference或GTC)于上海举行,格芯盛邀数百位半导体行业领导者、客户、研究专家与核心媒体齐聚一堂,并精心为与会者准备了公司的核心业务、市场推进方向与创新成果,以及包括制程工艺、设计实现、IP、射频以及生态圈的发展等方面的最新进展,共同聚焦格芯面向5G互联时代的技术解决方案。作为格芯的年度技术盛会,本次大会格芯分享的技术主题十分广泛,包括FDX®设计和生态系统、IoT,5G/网络和汽车解决方案智能应用,FDX®、Fi
  • 关键字: GTC  FDSOI  FINFET  制程  

详解先进的半导体工艺之FinFET

  • 详解先进的半导体工艺之FinFET-FinFET称为鳍式场效晶体管(FinField-EffectTransistor;FinFET)是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管。
  • 关键字: FinFET  半导体工艺  

三星推11纳米FinFET,宣布7nm将全面导入EUV

  •   随着台积电宣布全世界第一个 3 奈米制程的建厂计划落脚台湾南科之后,10 奈米以下个位数制程技术的竞争就正式进入白热化的阶段。 台积电的对手三星 29 日也宣布,将开始导入 11 奈米的 FinFET,预计在 2018 年正式投产之外,也宣布将在新一代的 7 奈米制程上全面采用 EUV 极紫外线光刻设备。   根据三星表示,11 奈米 FinFET 制程技术「11LPP (Low Power Plus)」是现今 14 奈米和 10 奈米制程的融合,一方面采用 10 奈米制程 BEOL (后端制程),
  • 关键字: 三星  FinFET  

FD SOI生态持续完善,与FinFET分庭抗礼局势形成

  •   FD SOI技术在物联网蓬勃发展的大环境下,以其低功耗、集成射频和存储、高性能等优势获得业界各方重视;在以芯原、Globalfoundries(格芯)、三星等为代表的企业的推动下,该产业链正逐步得到完善。此外,在中国大力发展集成电路的当口,FD-SOI技术还给中国企业带去更多的发展空间和机遇,如何充分利用FD-SOI技术优势,实现差异化创新成了众IC设计企业的探讨重点。此外,5G网络与物联网的不断进化,对RF技术革新的强烈需求,对RF SOI技术带来更广大的市场前景。   FD SOI生态系统逐步完
  • 关键字: FinFET  物联网  
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finfet介绍

FinFET称为鳍式场效晶体管(FinField-effecttransistor;FinFET)是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管,闸长已可小于25奈米,未来预期可以进一步缩小至9奈米,约是人类头发宽度的1万分之1。由于此一半导体技术上的突破,未来芯片设计人员可望能够将超级计算机设计成只有指甲般大小。 FinFET源自于目前传统标准的晶体管—场效晶体管 (Field-ef [ 查看详细 ]

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