密恐慎入！世界上晶体管密度最高的晶圆首次亮相

　　在 9 月 19 日于北京举行的英特尔精尖制造日上，英特尔在其展示区域和主题演讲上展示了五款晶圆。

　　这是英特尔首次公开展示这五款晶圆，彰显了我们在制造领域取得的巨大进步。

　　五款全球首次展出晶圆

　　英特尔 10 纳米Cannonlake

　　英特尔 10 纳米 Arm 测试芯片

　　英特尔 22FFL

　　14 纳米展讯 SC9861G-IA

　　14 纳米展讯 SC9853

　　英特尔 Cannonlake 10 纳米

　　英特尔 10 纳米制程工艺:

　　• 不仅拥有全球最密集的晶体管和金属间距，还采用了超微缩特性，这两大优势保证了密度的领先性

　　• 比竞争友商的“10 纳米”技术领先了整整一代

　　• 计划于 2017 年下半年开始生产

　　• 超微缩可释放出多模式方案的全部价值，使得英特尔得以继续摩尔定律的经济效益

　　英特尔 10 纳米Cannonlake

　　英特尔与Arm在10nm的合作

　　取得了长足的进步：

　　1. 英特尔 10nm CPU测试芯片流片具有先进的Arm CPU核， 使用行业标准的设计实现, 电子设计自动化 (EDA) Place and Route工具和流程 ,性能高达3GHz以上

　　2. ARM同时正在开发高性能存储器、逻辑单元和CPU POP套件，以进一步扩展下一代ARM CPU在英特尔10nm技术上的性能水平

　　ARM Cortex A75: Intel 10nm 测试芯片

　　• 在12周内从RTL 至首次 Tape Out

　　• 标准英特尔10nm工艺

　　• 最新的软件测试结果 > 3.3GHz

　　• 250uW/MHz

　　英特尔 10 纳米 Arm 测试芯片

　　英特尔10纳米制程：

　　通过超微缩技术实现业界最高的逻辑晶体管密度

　　英特尔10纳米工艺采用第三代 FinFET(鳍式场效应晶体管)技术，相比其他所谓的“10纳米”,英特尔10纳米预计将会领先整整一代。英特尔10 纳米工艺使用的超微缩技术 (hyper scaling)，充分运用了多图案成形设计 (multi-patterning schemes)，并助力英特尔延续摩尔定律的经济效益，从而推出体积更小、成本更低的晶体管。英特尔10纳米制程将用于制造英特尔全系列产品，以满足客户端、服务器以及其它各类市场的需求。

　　英特尔10纳米制程的最小栅极间距从70纳米缩小至54纳米，且最小金属间距从52纳米缩小至36纳米。尺寸的缩小使得逻辑晶体管密度可达到每平方毫米1.008亿个晶体管，是之前英特尔14纳米制程的2.7倍，大约是业界其他“10纳米”制程的2倍。

　　相比之前的14纳米制程，英特尔10纳米制程提升高达25%的性能和降低45%的功耗。相比业界其他所谓的“10 纳米”，英特尔10纳米制程也有显着的领先性能。全新增强版的10 纳米制程——10++，则可将性能再提升15%或将功耗再降低30%。

　　英特尔晶圆代工业务通过两个设计平台——10GP(通用平台)和 10HPM(高性能移动平台)，向客户提供英特尔10纳米制程。这两个平台包括已验证的广泛硅IP组合、ARM 库和 POP 套件，以及全面整合的一站式晶圆代工服务和支持。

　　英特尔22FFL(FinFET 低功耗)平台

　　卓越集成能力

　　一流的 CPU 性能，主频超过 2 GHz

　　超低功耗，漏电率降低 100 倍

　　22 纳米+ 制程，每平方毫米 1,780 万个晶体管

　　全面的 RF 设计支持

　　快速上市速度

　　行业最易使用的 FinFET 制程

　　成熟生产平台，具备业经验证的 22/14 纳米特性

　　经过芯片验证的移动/物联网 IP 组合

　　Arm 库和 POP 套件

　　英特尔架构处理器 IP 套件

　　交钥匙代工服务与支持

　　Cost-effective的设计

　　与业界28纳米的平面(planar)工艺相比在成本上极具竞争力

　　单模式互联和宽泛的 DFM 规则

　　无复杂的衬底偏压要求

　　理想应用

　　入门级/经济型智能手机

　　车载

　　可穿戴设备

　　英特尔22FFL(FinFET 低功耗)平台

　　英特尔22纳米FinFET低功耗(22FFL)技术：

　　面向主流市场的FinFET技术

　　英特尔自2011年发布代号为Ivy Bridge的处理器以来，一直在量产22纳米FinFET(鳍式场效应晶体管)，而随着2014年代号为Broadwell的处理器发布，第二代14纳米FinFET也开始量产。基于多年22纳米/14纳米的制造经验，英特尔推出了称为22FFL(FinFET低功耗)的全新工艺。该工艺提供结合高性能和超低功耗的晶体管，及简化的互连与设计规则，能够为低功耗及移动产品提供通用的FinFET设计平台。

　　与先前的22GP(通用)技术相比，全新22FFL技术的漏电量最多可减少100倍。22FFL工艺还可达到与英特尔14纳米晶体管相同的驱动电流，同时实现比业界28纳米/22纳米平面技术更高的面积微缩。

　　22FFL工艺包含一个完整的射频(RF)套件，并结合多种先进的模拟和射频器件来支持高度集成的产品。借由广泛采用单一图案成形及简化的设计法则，使22FFL成为价格合理、易于使用可面向多种产品的设计平台，与业界的28纳米的平面工艺(Planar)相比在成本上极具竞争力。

　　22FFL器件：

　　• 高性能晶体管

　　• 低1/F噪声

　　• 超低漏电晶体管

　　• 深N阱隔离

　　• 模拟晶体管

　　• 精密电阻

　　• 高压I/O晶体管

　　• MIM(金属-绝缘体-金属)电容

　　• 高压功率晶体管

　　• 高阻抗衬底

　　迄今为止，英特尔已交付超过700万片FinFET晶圆，22FFL工艺充分利用这些生产经验，达到了极高的良品率。

　　英特尔晶圆代工业务(Intel Custom Foundry)通过平台向客户提供22FFL工艺，该平台包含多种已验证的硅IP组合以及全面集成的一站式晶圆代工服务和支持。

　　激动人心的22FFL新技术适用于低功耗的物联网和移动产品，它将性能、功耗、密度和易于设计的特性完美结合。

　　经过展讯验证的

　　英特尔晶圆代工业务 14 纳米平台

　　展讯的 SC9861G-IA 和 SC9853I 移动 AP 均使用英特尔的 14 纳米低功耗平台制造而成。

　　这两款移动 AP 分别于 2017 年 3 月和 8 月推出，同时还使用了英特尔 Airmont CPU 架构

　　英特尔的 14 纳米平台适用于制造需要高性能和低漏电功耗的产品

　　第二代 FinFET 技术

　　行业领先的 PPA，每平方毫米 3,750 万个晶体管

　　一流的 CPU 性能，主频超过 2.5 GHz

　　快速上市速度

　　业经验证的 14 纳米 HVM(大规模量产)技术

　　经过芯片验证的移动/网络 IP 组合

　　交钥匙代工服务与支持

　　两个平台满足您的全部产品需求

　　通用 (GP)

　　低功耗 (LP)

　　理想应用

　　主流移动

　　数据中心

　　经过展讯验证的

　　英特尔晶圆代工业务 14 纳米平台

　　英特尔 14 纳米制程：

　　打造极速、节能产品

　　英特尔14纳米制程采用第二代 FinFET 技术，提升性能并降低漏电功耗，从而支持一系列广泛的产品。英特尔14纳米制程正处于量产阶段，用于制造包括高性能服务器、FPGA以及低功耗个人计算设备、移动设备、调制解调器和物联网设备在内的各类产品。

　　14 纳米制程的晶体管鳍片更高、更薄且更加密集，从而提升了密度和性能。这些改进的晶体管需要的鳍片数量更少，进一步提升了制程的总体密度。晶体管栅极间距从90纳米缩小至70纳米，最小互连间距从80纳米缩小至 52 纳米，从而让晶体管密度到达每平方毫米 3,750 万个晶体管的标准。通过采用超微缩技术，英特尔14纳米制程相比之前的 22 纳米制程实现了非常显著的微缩，其中逻辑单元面积微缩为此前的37%，晶片尺寸微缩超过此前的一半。

　　相比于业界其他的14/16/20纳米制程，英特尔14纳米制程的密度是它们的约1.3倍，这极大降低了单个晶体管成本(CPT)。业界的“10 纳米”制程预计于2017年的某个时段出货，而其晶体管密度仅与2014年便已开始出货的英特尔14纳米制程相当。

　　14 纳米制程超微缩的一个关键因素是引入自校准双图案成形 (SADP)，相比业界的曝光-蚀刻-曝光-蚀刻 (LELE) 方法，它在晶体管密度和良品率上更有优势。

　　英特尔不断改进14纳米制程的性能和功效。14 纳米制程的持续优化使其性能比最初的14 纳米制程可以提升多达 26%，也可以在相同性能下降低50%以上的有效功耗。英特尔14+制程的性能比最初的14纳米制程提升了12%，而英特尔14++制程在此基础上又将性能提升了24%，超过业界最佳的其他14/16纳米制程20%。

　　英特尔14纳米制程还包含一整套可支持并增强各种产品设计的器件。这些器件包括高阻衬底、高 Q 电感器、高密度 DeCaps、深N阱(Deep Nwell)、精密电阻器、低漏电功耗及长 L 晶体管，以及射频晶体管模板和建模。

　　英特尔14纳米制程正在美国俄勒冈州、亚利桑那州和爱尔兰的工厂进行量产，迄今已出货 4.734 亿件。英特尔代工业务通过两个设计平台——14GP(通用)和 14LP(低功耗)，向客户提供英特尔14纳米制程。这两个平台包括广泛的硅验证IP组合以及全面集成的交钥匙代工服务和支持。