英特尔推全新低功耗FinFET技术　22纳米制程战场烟硝起

　　英特尔(Intel)宣布将在2017年底之前启动全新22纳米鳍式场效电晶体(FinFET)制程22 FFL，相关开发套件(PDK)在接下来几个月也将陆续到位，市场上认为22 FFL的推出，显然是针对GlobalFoundries等业者以全空乏绝缘上覆硅(FD-SOI)为移动装置及物联网(IoT)应用所生产之同类芯片而来。

　　据EE Times Asia报导，英特尔称自家22 FFL是市场上首款为低功耗IoT应用及移动装置产品而开发出来的FinFET技术，能打造出高效能及低功耗的电晶体，漏电流(leakage)较业界28纳米产品低100倍，采用相似于14纳米的FinFET技术，再透过简化互连及设计规则，使其在成本上能与28纳米制程技术抗衡。

　　英特尔资深院士暨制程架构与整合部门主管Mark Bohr就提出了22 FFL漏电流相关数据，包括次临界漏电流(sub-threshold leakage)、闸极氧化层漏电流(gate oxide leakage)、及接面漏电流(junction leakage)，并指出此三数据为影响功耗的关键因子，而该制程技术拥有比其他主流技术更低的漏电流。

　　虽然英特尔拒绝提供22 FFL与22纳米FD-SOI的具体比较资讯，不过该公司内部已开始有为22 FFL所设计的产品，也期盼能吸引代工业客户的青睐。英特尔客户暨IoT事业与系统架构事业群总裁Murthy Renduchintala表示，英特尔接下来在IoT及网路领域将会有更为宽广的发展蓝图，期盼能带来差异化的成效。

　　另一方面，台积电不久前也才推出全新22纳米超低功耗(ULP)制程技术，据台积电发言人表示，自家22 ULP技术将可使射频(RF)元件更上层楼，在低功耗IoT市场当中可说相当具有竞争力。

　　在英特尔发表22 FFL技术后不久，GlobalFoundries资深产品管理副总Alain Mutricy便提出回应，表示自家制程完全符合生产要求，GlobalFoundries拥有超过50家来自移动装置、IoT及车用装置这些高成长领域的客户，也能感受到来自客户的强劲需求，。

　　Mutricy近期亦在GlobalFoundries官网的一篇部落格文章中提到，该公司除了计划在2020年之前要将德国Dresden厂的22纳米产能提升40%外，2月时也曾宣布，将于2019年开始在大陆的合资厂投入22纳米FD-SOI(22FDX)产品生产。

　　Mutricy并指出，在GlobalFoundries的22纳米FD-SOI制程规划发表了近两年后，如今英特尔与台积电也推出全新低功耗22纳米制程技术，显见22纳米节点已开始成为半导体业兵家必争之地。