面对大陆攻势　三星海力士强化3D NAND投资

　　据韩国经济报导，大陆半导体产业在政府的强力支援下，清华紫光与武汉新芯采行攻击性投资策略，迫使南韩、日本、美国等主要半导体业者也纷纷强化投资。

　　市调业者DRAM eXchange表示，全球半导体市场中，NAND Flash事业从2011~2016年以年均复合成长率(CARG)47%的速度成长;清华紫光以新成立的长江存储进行武汉新芯的股权收购，成立长江存储科技有限责任公司，未来可能引发NAND Flash市场版图变化。

　　清华紫光拥有清华大学的人脉，在社会上拥有一定的影响力，武汉新芯拥有技术方面的竞争力，两者合并将为大陆记忆体产业发展开启新的局面，同时也会对全球记忆体市场带来莫大影响。

　　先前武汉新芯与美国材料半导体业者Spansion共同研发3D NAND Flash技术，拥有量产32层堆叠晶片的技术能力，目前武汉新芯则计划投资240亿美元兴建晶圆厂。

　　面对大陆的积极追赶，三星电子(Samsung Electronics)持续进行西安工厂的相关投资，同时也加紧兴建位于南韩的平泽工厂，欲将其打造为全球最大规模的单一产线，用于投入3D NAND Flash量产。三星在平泽厂区的投资金额上看15.6兆韩元(约140亿美元)。

　　SK海力士(SK Hynix)在南韩利川兴建的M14工厂，预定从2017年第1季起，进行3D NAND Flash二阶段量产。目前M11与M12产线已用于生产3D NAND Flash，若再加上M14产线，3D NAND产能可望进一步提升。

　　东芝(Toshiba)与威腾(WD)合作，计划在日本三重县四日市新厂房的第二产线量产3D NAND产品;四日市工厂曾因2010年大地震中断记忆体产品生产。至于美光(Micron)则计划扩大新加坡10X工厂生产NAND Flash产品，同时与华亚科合作，加紧追赶东芝与三星。