英特尔与镁光开始出样25nm TLC闪存 作者： 时间：2010-08-18 来源：cnbeta 加入技术交流群 扫码加入和技术大咖面对面交流海量资料库查询 收藏 <a href='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/ck.php?n=a635e61e&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE' target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a href='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/ck.php?n=a576c0a2&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE' target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> 英特尔今天宣布和镁光一起发布25nm TLC闪存的第一款样品，TLC(Trinary-Level Cell;TLC)，即3bit/cell，也就是1个内存储存单元可存放3位元。TLC速度慢，寿命短，但成本低，价格也较便宜，有2000-5000次擦写寿命，非常适合U盘、SD卡和消费电子产品。新发布的芯片拥有8GB容量，芯片面积131平方毫米，比25纳米制程MLC还小20%，以下是图像：本文引用地址：https://www.eepw.com.cn/article/111837.htm
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