- 全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange表示，虽然三星与SK海力士的新工厂仍将于2015年陆续完工，但明年度的投片计划正仍在进行调整，如三星Line17工厂原本预定第二季大量投片的计划已经递延，自明年第二季从每月10K开始增加，采随市场状况的渐进式增产，此举不光可以稳定获利结构，亦可随时调整产品类别与比重，预计明年年末投片暂定为40K。但此同时随着20nm制程的比重提升，该制程由于复杂度高，旧工厂在空间不足亦无法增添新设备下，投片会有减少的可能性，整体来看，三星即
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DRAM 25nm
- 尔必达曾宣布采用25nm工艺制造的2Gbit内存颗粒正式开始出货。今日该公司正式发表公告称，采用25nm新工艺制造的4Gbit DDR3 SDRAM颗粒研发完成，芯片面积在同类产品(4Gbit DRAM颗粒)中属世界最小。
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尔必达 DDR3 25nm
- 日本尔必达公司宣布开发出25nm制程2Gb密度DDR3内存芯片产品，这款产品可支持DDR3-1866规格，并兼容1.35V工作电压条件下的DDR3L-1600工作模式。预计芯片样品将于今年7月份开始向外出售，芯片的量产则也将在同一时期启动。
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尔必达 25nm
- Intel与美光合资公司出品的25nm工艺NAND闪存在今年5月就已经实现了量产。原本我们认为，Intel计划中在今年四季度推出采用该闪存的第三代固态硬盘产品已经足够稳健了。但根据欧洲媒体近日得到的消息，Intel近期又修改计划，将该系列固态硬盘的发布时间推迟到了明年2月。根据之前泄露的路线图，Intel 计划在今年四季度推出代号Postville Refresh的第三代X25-M以及X25-V。凭借25nm工艺MLC NAND闪存的优势，实现容量翻倍，性能提升，更重要的是价格大幅下降。而到了明年一季
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Intel 固态硬盘 25nm
- Intel与镁光公司已经成功生产出基于25nm制程技术的3位元型NAND闪存芯片产品，目前他们已经将有关的产品样品送往部分客户手中进行评估，预计这款NAND闪存芯片将于今年年底前开始量产。这款25nm NAND闪存芯片的存储密度为64Gb，为三位元型闪存。
这款闪存芯片是由Intel与镁光合资的IM Flash公司研制，芯片采用了3位元(TLC)型设计，一个存储单元可存储3位数据，比一般的单位元(SLC)/双位元(MLC)闪存的存储量更大。
这款产品的面积要比现有Intel与镁光公司推
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Intel 25nm NAND
- 英特尔今天宣布和镁光一起发布25nm TLC闪存的第一款样品，TLC(Trinary-Level Cell;TLC)，即3bit/cell，也就是1个内存储存单元可存放3位元。TLC速度慢，寿命短，但成本低，价格也较便宜，有2000-5000次擦写寿命，非常适合U盘、SD卡和消费电子产品。新发布的芯片拥有8GB容量，芯片面积131平方毫米，比25纳米制程MLC还小20%，以下是图像：
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英特尔 25nm TLC
- 继今年二月份宣布成功试制出25nm制程NAND闪存芯片产品之后，Intel与镁光的合资公司IMFT( Intel-Micron Flash Technologies)近日宣布开始正式对外销售量产的25nm制程NAND闪存芯片，这种新制程的芯片产品容量将比34nm制程产品提升一倍。
这次采用25nm制程技术制作的NAND闪存芯片产品主要是8GB容量的芯片产品，这种8GB芯片的面积仅为167平方毫米，其容量可容纳2000首歌曲，7000张照片或8小时时长的视频片段。
目前还不清楚首款配置这
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Intel 25nm NAND
- Intel、美光合资公司Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)宣布，25nm新工艺 NAND闪存芯片将从第二季度起开始销售，预计今年晚些时候就可以看到相关U盘、记忆卡、固态硬盘等各种产品。
IMFT 25nm NAND闪存于今年初宣布投产，这也是该领域的制造工艺首次进军到30nm之下，并应用了沉浸式光刻技术。新闪存内核面积167平方毫米，每单位容量 2bit，总容量8GB，相比现有的34nm工艺闪存容量翻了一番，内核面积却小了十分之一。
Intel NA
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Intel NAND 25nm
- 镁光公司NAND闪存市场开发部门的经理Kevin Kilbuck近日透露镁光计划明年将其NAND闪存芯片制程转向25nm以下级别，他表示镁光今年年中将开始批量生产25nm制程NAND闪存芯片，并将于明年转向更高级别的制程。他并表示镁光也计划开发自己的电荷捕获型(charge trap flash (CTF))闪存技术，以取代现有的浮栅型( floating-gate)NAND闪存技术。
Killbuck还向Digitimes网站表示，镁光的新款NAND闪存芯片将遵循新的EZ-NAND规范。目
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镁光 NAND 25nm
- 由Intel、美光合资组建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布，已经开始使用25nm工艺晶体管试产MLC NAND闪存芯片，并相信足以领先其他竞争对手长达一年之久。IMFT公司在闪存工艺上一向非常激进，每12-15个月便升级一次：成立之初是72nm，2008年是50nm，去年则率先达到了34nm，在业内领先六个月左右，也让Intel提前抢先发布了34nm第二代X25-M固态硬盘，美光也即将推出RealSSD C300系列。IMFT生产的闪存芯片有49%供给In
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