SiC IGBT技术专栏-电子产品世界网

是德示波器如何精准测量第三代半导体SiC的动态特性

第三代半导体材料SiC（碳化硅）凭借其高击穿电压、低导通电阻、耐高温等特性，在新能源汽车、工业电源、轨道交通等领域展现出显著优势。然而，SiC器件的高频开关特性也带来了动态测试的挑战：开关速度可达纳秒级，电压电流变化率（...

是德示波器精准测量 2025-04-21

深度应用在中等功率驱动器领域的IGBT晶圆

中等功率驱动器的应用场景‌包括各种工业生产领域中对电机运动精度和效率要求较高的场合，如机床加工、自动化生产线、物流运输等。此外，在冶金、石化、航空、船舶等行业中也广泛应用了中等功率驱动器，其优越的性能和稳定可靠的使用效果...

IGBT IGBT晶圆 2024-12-31

深度分析IGBT晶圆在1200V光伏逆变器领域中的应用

‌1200V光伏逆变器的工作原理‌是通过将光伏电池板产生的可变直流电压转换为市电频率的交流电（AC），以供电网使用或反馈回商用输电系统。逆变器的主要功能是将光伏阵列产生的直流电（DC）逆变为三相正弦交流电（AC），输出符...

IGBT IGBT晶圆 2024-11-14

IGBT 还是 SiC ? 英飞凌新型混合功率器件助力新能源汽车实现高性价比电驱

近几年新能源车发展迅猛，技术创新突飞猛进。如何设计更高效的牵引逆变器使整车获得更长的续航里程一直是研发技术人员探讨的最重要话题之一。高效的牵引逆变器需要在功率、效率和材料利用率之间取得适当的平衡。当前新能源汽车牵引逆变器...

英飞凌新能源汽车 2024-10-09

自有SiC Mos已批量应用于主驱，产能达9000片/月

8月19日晚，功率半导体IDM龙头士兰微(600460)发布半年度业绩报告，2024年上半年营业收入约52.74亿元，同比增加17.83%，创出历史同期新高。公司营业利润为 14,743 万元，比 2023 年同期增加亏...

SiC Mos 2024-08-21

盘点国内SiC碳化硅衬底公司

SiC碳化硅是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一。在碳化硅产业链中，碳化硅衬底制造是碳化硅产业链技术壁垒最高、价值量最大的环节，是未来碳化硅大规模产业...

SiC 2023-10-28

英飞凌确认：两家中国SiC供应商获车规认证并大规模出货

导读：9月4日，英飞凌德国总部向DIGITIMES证实，已经提前完成来自中国两家碳化硅（SiC）材料供应商天岳先进（SICC）、天科合达（TankeBlue）的车规认证，而且已向全球客户出货。图：英飞凌5月，芯片大师曾报...

SiC 2023-09-08

【资讯】全球SiC晶圆竞争，进入白热化

来源：半导体行业观察随着英飞凌和 Wolfspeed 争夺全球最大碳化硅晶圆厂的称号，全球芯片制造商正在快速采取行动，确保碳化硅功率器件的供应。Onsemi 和 Rohm 也希望通过巨额预付款来提高 SiC 器件的产量，...

SiC 2023-08-09

了解这些就可以搞懂 IGBT

绝缘栅双极晶体管（IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种三端功率半导体器件，主要用作电子开关，在较新的器件中以结合高效和快速开关而闻名。IGBT通过在单个器件中组合用于控制...

IGBT 逆变器 2023-06-25

商用车1200V平台IGBT流片成功

来源：晶能5月30日，远程新能源商用车集团推出国内首个正向研发的新能源重卡数智架构GXA-T，并发布了基于全新架构打造的远程星瀚G系列重卡。远程新能源商用车集团CEO范现军在发布会上表示，专为新能源商用车动力总成系统打造...

IGBT 2023-06-02

赛米控丹佛斯推出配备罗姆1200V IGBT的功率模块

～赛米控丹佛斯与罗姆在IGBT多源供应方面进一步加强合作～赛米控丹佛斯（总部位于德国纽伦堡）和全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）在开发SiC（碳化硅）功率模块方面，已有十多年的良好合作关系。此次，赛米控丹佛斯...

罗姆 IGBT 2023-05-18

PCIM欧洲展盛大开展！PI推出两款新品

5月9日2023PCIM欧洲展会在德国纽伦堡盛大开展。作为全球电力电子行业的顶级展会及研讨会，PCIM吸引了众多目光。就在本次展会上，PI宣布推出两款新品。1SP0635V2A0D新款3300V IGBT模块门极驱动器：...

PI IGBT 2023-05-11

ROHM 1200V IGBT成功导入SEMIKRON-Danfoss功率模块

ROHM Co., Ltd. 常务执行董事CFO伊野和英（左）与SEMIKRON-Danfoss CEO Claus A. Petersen（右）。ROHM SEMIKRON-Danfoss...

ROHM SEMIKRON 2023-05-09

国际领先！新一代SIC晶体生长用材料

半导体产业网讯：随着导电型SIC衬底的逐渐量产，对工艺的稳定性、可重复性都提出更高的要求。特别是缺陷的控制，炉内热场微小的调整或漂移，都会带来晶体的变化或缺陷的增加。后期，更要面临“长快、长厚、长大”的挑战，除了理论和工...

多孔碳化钽 SIC 2023-04-28

SiC MOSFET——降低功率损耗，迈向碳中和

功率器件的兴起带动了电力电子产业的全面革命，功率半导体器件作为电力电子设备的关键组成部分，直接影响着这些电力电子设备的成本和效率。电力电子未来发展的趋势之一是使用更高的开关频率以获得更紧密的系统设计，在高开关频率高功率的...

SiC MOSFET 2023-04-27

东芝SiC MOSFET为您开启电源新大门

要说半导体圈子现在啥最热，非第三代半导体莫属，以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）为代表的宽禁带半导体技术将成为未来半导体发展的新热点，而这些材料为基材的半导体器件主要应用于和功率及能源相关的技术领域，“碳中和”目标的实...

东芝 SiC 2023-04-27

打不死的IGBT！

来源：半导体行业观察近年来，以SiC（SiC）、氮化镓（GaN）等材料为代表的化合物半导体因其宽禁带、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等优异的性能而饱受关注。SiC和Si来竞争制造功率半导体无论是在科学和实践上都得到了实力...

IGBT 2023-03-30

Tesla拟转舵　全球急绑工车规IGBT　台首批IGBT供应商下半年入列

台湾首批工、车规IGBT将在下半年报到。法新社纯电动车（BEV）龙头Tesla欲大砍碳化矽（SiC）用量75%，替代方案之一的SiC＋绝缘栅双极晶体管（IGBT），却让全球工、车规IGBT紧缺问题加剧，急绑2024年IG...

tasla igbt 2023-03-28

IGBT大缺货，国产化IGBT的前景如何！

来源：汽车半导体情报局半导体景气下行，晶片业普遍面临客户砍单与报价修正压力之际，有「电力电子中央处理器（CPU）」之誉的绝缘闸极双极性晶体管（IGBT）在电动车与太阳能两大主流应用需求大开、疯狂抢货下，近期大缺货，不仅价...

IGBT 2023-03-23

买买买成就的SiC巨头

来源：半导体行业观察在21世纪初，随着电动汽车、太阳能电池等新能源行业的迅速崛起，半导体材料SiC因其高温、高压、高频等优异性能成为备受关注的研究热点。而在这个领域，全球范围内一些大型的SiC巨头公司开始快速崛起，并通过...

SiC 2023-03-16

IGBT芯片互连常用键合线材料特性

来源：艾邦半导体网IGBT芯片与芯片的电极端子间，IGBT芯片电极端子与二极管芯片间，芯片电极端子与绝缘衬板间一般通过引线键合技术进行电气连接。通过键合线使芯片间构成互连，形成回路。引线键合是IGBT功率器件内部实现电气...

IGBT 2023-03-10

什么是IGBT？结构解释和拆解

来源：艾邦半导体网IGBT （绝缘栅双极晶体管）作为一种功率半导体器件，广泛应用于轨道交通、智能电网、工业节能、电动汽车和新能源装备等领域。具有节能、安装方便、维护方便、散热稳定等特点。它是能量转换和传输的核心装置。简单...

IGBT 2023-03-07

政策持续推动需求爆发，SiC在充电桩市场大有可为旺材芯片

来源：碳化硅芯观察电动汽车发展正步入高速增长阶段。2023年开年，行业研究机构伊维经济研究院发布数据称，2022年，全球新能源汽车销量达到1082.4万辆，同比增长61.6%。其中，全球汽车销量的主要贡献来自中国。202...

SiC 2023-02-17

SiC，将拿下30%的功率器件市场

来源：内容来自半导体芯闻（ID:MooreNEWS）综合，谢谢。据Yole介绍，在未来 5 年内，SiC 功率器件将很快占据整个功率器件市场的 30%。毫无疑问，SiC 行业（从晶体到模块，包括器件）的增长率非常高。Yo...

SiC 2023-02-17

今年会是SiC半导体和功率模组元年吗？

来源：国际电子商情近来的新发展则是芯片制造商如何从开发、制造到封装整合SiC供应链。随着对于先进SiC解决方案的需求不断增加，特别是在汽车市场，一个新的端对端垂直整合供应链正在迅速地形成。碳化硅(SiC)半导...

SIC 2023-01-30

罗姆的第4代SiC MOSFET成功应用于日立安斯泰莫的纯电动汽车逆变器

从2025年起将向全球电动汽车供货，助力延长续航里程和系统的小型化全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）的第4代SiC MOSFET和栅极驱动器IC已被日本先进的汽车零部件制造商日立安斯泰莫株式会社（以下简称“日...

电动汽车 sic 2022-12-28

又一SiC相关企业上市，市值超270亿！

来源：网络12月16日，燕东微在上海证券交易所科创板上市，发行价格21.98元/股，发行市盈率为68.39倍。截至成文，燕东微上涨3.64%，报22.78元/股，总市值272.9亿元。Source：同花顺燕东微是一家集芯...

SiC 2022-12-18

IGBT是什么？它是如何驱动电路的

我们之前有介绍过什么是IGBT，不过主要是从结构上对其进行了剖析，并未深入介绍，今天金誉半导体再从其他角度来充分了解一下IGBT的具体信息。此文信息量有点大，供大家参考。 IGBT的特点可以从其...

IGBT 绝缘栅 2022-12-08

鸿海9月开始量产1200V SiC MOSFET，并已启动8吋SiC晶体开发

10月19日消息，在昨日举行的2022年度鸿海科技日（HHTD22）上，鸿海科技在发布全新电动汽车的同时，也展示了其面向电动汽车的第三代半导体碳化硅（SiC）器件研发成果，不仅已具备量产SiC MOSFET的能力，还启动...

SiC 2022-10-23

什么是IGBT功率半导体，IGBT应用领域有哪些？

功率半导体器件也被称作电力电子器件或功率器件，它是具有包括变频、变压、变流、功率管理等功率管理能力的一种特殊开关。在计算机、通信、消费电子、新能源、汽车、工业制造、等领域有着广泛的应用。今天SPEA和大家重点介绍下功率器...

IGBT 2022-09-27

盘点国内IGBT企业

#盘点国内IGBT企业# 功率半导体是半导体行业的细分领域，虽不像集成电路一样被大众熟知，但其重要性不可忽视。IGBT是功率半导体的一种，作为电子电力装置和系统中的“CPU”，高效节能减排的主力军。...

IGBT 2022-08-08

SiC已成汽车新卖点，未来5年价格有望降至IGBT 3倍以内

来源：爱集微APP翠展微电子内部人士认为，“SiC的材料性能比Si基更好，要等它的成本下降到足够低的时候才会普及，我们预计，SiC的成本下降至Si基成本的2倍左右，整个系统的成本也会降下来。”作者｜Andy ...

SiC 2022-07-04

半导体材料与工艺：SiC晶体生长进入「电阻炉」时代！

2022年6月恒普科技推出新一代2.0版SiC电阻晶体生长炉，本次量产推出的炉型是基于恒普上一代6、8英寸电阻炉的全新版本，积极对应市场对SiC电阻晶体生长炉的行业需求。国内SiC晶体生长炉几乎都是采用感应发热的方式，感...

SIC 2022-06-19

常见的大功率器件有哪些？如何分类的

在知道大功率器件之前，我们要先知道功率器件是什么意思，功率器件是电子元件和电子器件的总称，是电子装置中，电能转换与电路控制的核心，它利用半导体单向导电的特性改变电子装置中电压、频率、相位和直流交流转换等的功能。而大功率器...

大功率器件二极管 2022-06-10

IGBT持续短缺，国产替代加速突破

来源：凯联资本 IGBT供不应求愈演愈烈从2020年开始，汽车缺芯问题开始出现，进入2022年，“缺芯”问题依然没有得到解决，且在车规级IGBT上短缺尤甚。今年业界持续有信号传出IGBT或将成为新能源汽车生产瓶...

IGBT 2022-06-05

IGBT 功率模块热管理研究简述

来源：热管理摘要：随着绝缘栅双极晶体管（IGBT ）向高功率和高集成度方向发展，在结构和性能上有很大的改进，热产生问题日益突出，对散热的要求越来越高，IGBT 芯片是产生热量的核心功能器件，但热量的积累会严重影响器件的工...

IGBT 2022-06-03

How SiC is Shifting the Future of EV

来源：旺材芯片传统的电力电子系统，多由硅（Si）为基础的半导体元件构成，其中硅基MOEFST以及IGBT应用最广泛。两种器件有各自的优缺点，只能高效的应用与各自的特定领域。随着业界对功率，效率以及环境压力的进一步追求，...

SiC 2022-05-27

哈尔滨理工大学蔡蔚教授团队研究成果：SiC 功率模块封装技术及展望

碳化硅模块封装的主要问题近几十年来，以新发展起来的第3代宽禁带功率半导体材料碳化硅（SiC）为基础的功率半导体器件，凭借其优异的性能备受人们关注。SiC与第1代半导体材料硅（Si）、锗（Ge）和第2代半导体材料砷化镓（G...

SiC 2022-05-18

应用在充电桩上的IGBT电子元器件

深圳市沛城电子科技有限公司华润微品牌应用在充电桩上的IGBT电子元器件：产品分类品牌元器件型号产品技术参数应用领域替代料IGBT华润微CRG15T120BK3SD1200V 15A 具有良好的导通和开关特性，易并联使用的...

光伏充电桩 2022-04-19

重磅新品｜清纯半导体推出国内首款15V驱动SiC MOSFET

来源：碳化硅芯观察市场动态：近日，清纯半导体发布了国内首款15V驱动的1200V SiC MOSFET器件平台产品，填补了国内15V驱动SiC MOSFET产品空白。国内头部碳化硅器件研发企业「清纯半导体」日前宣布发布国...

SiC MOSFET 2022-04-13