"); //-->
导读:9月4日,英飞凌德国总部向DIGITIMES证实,已经提前完成来自中国两家碳化硅(SiC)材料供应商天岳先进(SICC)、天科合达(TankeBlue)的车规认证,而且已向全球客户出货。
图:英飞凌
5月,芯片大师曾报道两大国产SiC材料厂商打入英飞凌供应链,在全球抢订SiC材料产能的大背景下,作为业界最重要的功率器件龙头,英飞凌官宣和两家中国大陆SiC材料厂签长约一度引起业界猜测。
而紧接着6月份,意法半导体更是直接宣布将与三安光电在中国成立200mm碳化硅器件制造合资企业,用于满足中国的汽车、工业和能源等需求。
更劲爆的是,三安光电将利用自有SiC衬底工艺,为上述这座合资器件厂单独建造和运营一个新的8英寸SiC衬底制造厂,以满足该合资厂的衬底需求。
图:Wolfspeed
在此之前,只有龙头Wolfspeed量产并垄断了200mm大尺寸SiC衬底的供应。而其他实现规模供应SiC晶体和衬底的厂商数量不多但业务线较为全面,包括美国II-VI、日本罗姆旗下的SiCrystal和韩国SK旗下的杜邦,以及被安森美并购的GT Advanced。
而上述老牌供应商要么手握几百亿美元订单,要么已经心有所属准备亲自下场,由于新建SiC产能周期厂、投入大,留给器件厂的选择并不多。
而相较于国外厂商多以IDM模式布局SiC全产业链,除三安光电覆盖了衬底、外延和器件三大领域外,其他国内企业更专注单个环节的制造,如衬底领域的天科合达、天岳先进,外延领域的天域半导体,器件领域的斯达半导、泰科天润、中车时代等。
图:天岳先进量产的6英寸SiC衬底
据供应链人士分析,英飞凌的正式车规认证证实了2家国内SiC厂商的功力扎实度,无疑为全球SiC材料产业链投下“深水炸弹”。毕竟此前英飞凌官宣与2家大陆厂商签长期合约时,一部分猜测认为受地缘政治影响,只有象征意义。但如今车规场频大规模出货,意味着其在英飞凌供应链内已和其他国际大厂具备同等地位。
首先,通过车规认证后,在各工业领域所需的工规要求亦可畅通无阻,因为绝大部分情况下车规较工规要求更为严苛。而SiC最关键的应用,就在车规和工规,如电动车应用为车规,充电桩、逆变器应用则是工规,而中国本身就掌控这两类应用领域的最大出海口。
其次,中国厂商跨入SiC材料量产车道,几乎意味着敲响全球SiC芯片成本及性价比竞赛的警钟,由于其巨大的扩产能力,能够有效降低SiC应用成本、做大市场蛋糕。
*博客内容为网友个人发布,仅代表博主个人观点,如有侵权请联系工作人员删除。
相关推荐
控制、驱动、检测高密度SiC/GaN功率转换
SiC-MOSFET的应用实例
为800V应用选择合适的半导体技术
Vishay采用行业标准SOT-227封装的1200V SiC MOSFET功率模块提升功率效率
高速开关封装SiC MOSFET:TO-247-4L【SCT3xxx xR系列】
P02SCT3040KR-EVK-001产品规格书
功率电路进阶教程:SiC JFET 如何实现热插拔控制
SiC Mosfet门驱动光耦,具最大110ns传输延迟
意法半导体推出功能丰富的电气隔离栅极驱动器,为碳化硅或硅功率晶体管提供更好控制和保护
从栅极驱动器到功率MOSFET,经过验证的SiC转换器解决方案
微电子所在SiC MOSFET器件研制方面取得重要进展
Sic 碳化硅肖特基二极管开关电源中的应用优势!
SiC-MOSFET-功率晶体管的结构与特征比较
【PI】InnoSwitch3-AQ-1700V碳化硅功率IC
化合物半导体衬底市场年复合增长率达 14%
聚焦固态断路器核心:安森美SiC JFET特性深度解读
SiC功率模块关键在价格,核心在技术
Cree SiC功率器件选型指南.pdf
ROHM发布搭载新型SiC模块的三相逆变器参考设计
电力电子器件
什么是SiC?
功率电路进阶教程:固态断路器采用SiC JFET的四个理由
SiC为电动汽车的高压逆变器功率模块
英飞凌推出带光耦仿真输入的隔离式栅极驱动IC,加速SiC方案设计
P02SCT3040KR-EVK-001使用说明书
电力电子器件的最新发展
使用SiC的新功率元器件技术
基于分离输出拓扑结构的高效率SiC-MOSFET功率模块
ROHM全面启动新型SiC塑封型模块的网售!
SiC MOSFET半桥模块用于开关电源,系统效率能达到99%