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SiC是一种Ⅳ－Ⅳ族化合物半导体材料，具有多种同素异构类型。其典型结构可分为两类：一类是闪锌矿结构的立方SiC晶型，称为3C或β－SiC，这里3指的是周期性次序中面的数目；另一类是六角型或菱形结构的大周期结构，其中典型的有6H、4H、15R等，统称为α－SiC。与Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高温环境，并具有极好的抗辐射性能。查看更多>>

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东芝推出面向工业设备、最高工作温度达125°C的四通道高速标准数字隔离器

数字隔离器 东芝 2026-05-28

让驱动状态可视可控，纳芯微发布集成电源状态反馈的隔离半桥驱动NSI6602Ux

隔离半桥驱动芯片 NSI6602Ux 2026-05-28

东芝开始出货1200V沟槽栅SiC MOSFET测试样品，助力提升下一代AI数据中心效率

东芝 1200V 2026-05-22

罗姆的SiC MOSFET应用于面向AI服务器电源的电池备份单元

罗姆 SiC 2026-05-22

SiC叙事主线迎来新篇章 10KV只是新战场起点

SiC 10KV 2026-05-19

超快充、数据中心成碳化硅SiC下一轮增长引擎

碳化硅 SiC 2026-05-15
  • sic专栏

是德示波器如何精准测量第三代半导体SiC的动态特性

是德示波器 精准测量 2025-04-21

自有SiC Mos已批量应用于主驱，产能达9000片/月

SiC Mos 2024-08-21

盘点国内SiC碳化硅衬底公司

SiC 2023-10-28

英飞凌确认：两家中国SiC供应商获车规认证并大规模出货

SiC 2023-09-08

【资讯】全球SiC晶圆竞争，进入白热化

SiC 2023-08-09

ROHM 1200V IGBT成功导入SEMIKRON-Danfoss功率模块

ROHM SEMIKRON 2023-05-09
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LTspice仿真案例一-LTspice 搭建并仿真惠斯通电桥电路 LTspice仿真案例二-NE555多谐振荡电路输出PWM方波 LTspice仿真案例三-BUCK...

ROHM推出高功率密度的新型SiC模块，将实现车载充电器小型化！

【PI】可替换SIC部件——Qspeed H系列二极管提供650V级选项

E点冷知识：GaN & SiC 大比拼

通过协作释放SiC效率

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SiC 肖特基二极管对比 硅整流器

防止误触发的 IGBT/SiC-FET 驱动器设计技巧

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用SIC JFET革命性的电路保护

1200V 450A全SiC半桥功率模块问世

电源设计说明：线性方案中的 SiC MOSFET

电源设计说明：面向高性能应用的新型 SiC 和 GaN FET 器件分析

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    ZCC5030：100V 推挽式 电流模式 PWM 控制器 —— 国产芯力量，完美替代 LM5030
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