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SiC是一种Ⅳ－Ⅳ族化合物半导体材料，具有多种同素异构类型。其典型结构可分为两类：一类是闪锌矿结构的立方SiC晶型，称为3C或β－SiC，这里3指的是周期性次序中面的数目；另一类是六角型或菱形结构的大周期结构，其中典型的有6H、4H、15R等，统称为α－SiC。与Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高温环境，并具有极好的抗辐射性能。查看更多>>

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SiC MOSFET 短路行为解析与英飞凌保护方案探讨

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为800V应用选择合适的半导体技术

800V 半导体技术 2026-03-06

ROHM发布搭载新型SiC模块的三相逆变器参考设计

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是德示波器如何精准测量第三代半导体SiC的动态特性

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盘点国内SiC碳化硅衬底公司

SiC 2023-10-28

英飞凌确认：两家中国SiC供应商获车规认证并大规模出货

SiC 2023-09-08

【资讯】全球SiC晶圆竞争，进入白热化

SiC 2023-08-09

ROHM 1200V IGBT成功导入SEMIKRON-Danfoss功率模块

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ADI LTSpice仿真案例集锦（1-10）

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【PI】可替换SIC部件——Qspeed H系列二极管提供650V级选项

E点冷知识：GaN & SiC 大比拼

通过协作释放SiC效率

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防止误触发的 IGBT/SiC-FET 驱动器设计技巧

用于保护交流和直流电源电路的 SiC

用SIC JFET革命性的电路保护

1200V 450A全SiC半桥功率模块问世

电源设计说明：线性方案中的 SiC MOSFET

电源设计说明：面向高性能应用的新型 SiC 和 GaN FET 器件分析

动态测试证实了 SiC 开关频率的准确性

如何使用 LTspice 仿真 SiC MOSFET：良好驱动器的重要性

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