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SiC是一种Ⅳ－Ⅳ族化合物半导体材料，具有多种同素异构类型。其典型结构可分为两类：一类是闪锌矿结构的立方SiC晶型，称为3C或β－SiC，这里3指的是周期性次序中面的数目；另一类是六角型或菱形结构的大周期结构，其中典型的有6H、4H、15R等，统称为α－SiC。与Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高温环境，并具有极好的抗辐射性能. SiC是目前发展最成熟的宽禁带半导体材料，作为Si等半导体材料的重要补充，可制作出性能更加优异的高温(300～500℃)、高频、高功率、高速度、抗辐射器件。

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07-07  碳化硅高速电机控制器设计及效能分析
Ewyas|浏览：734|回复：1| Ewyas 2025-07-24 08:59:12
10-24  SiC器件之外延层基础知识
睡梦中的雄师|浏览：1838|回复：2| bwcx957 2022-10-24 07:37:21
05-11  设计中使用的电源IC：专为SiC-MOSFET优化
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04-11  在功率二极管中损耗最小的SiC-SBD
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12-16  SiCMOSFET的桥式结构
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12-16  所谓SiC-MOSFET－特征
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12-16  所谓SiC-MOSFET－与Si-MOSFET的区别
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12-16  所谓SiC-MOSFET－体二极管的特性
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12-16  所谓SiC-MOSFET－SiC-MOSFET的可靠性
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12-14  所谓SiC-SBD－使用SiC-SBD的优势
拜月|浏览：845|回复：1| 卢风 2021-12-14 23:41:03
12-14  所谓SiC-SBD－SiC-SBD的发展历程
拜月|浏览：1025|回复：2| 卢风 2021-12-14 23:40:02
12-14  所谓SiC-SBD－与Si-PND的正向电压比较
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12-14  SiC功率元器件的开发背景和优点
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05-08  【罗姆SiC评估板试用】快充测试
胡世|浏览：3819|回复：6| yinwuqing 2022-02-06 18:34:16
02-18  SiC-MOSFET－功率晶体管的结构与特征比较
nakey|浏览：2273|回复：3| aoqdjt 2020-03-10 14:30:07
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