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4亿美元太贵！台积电仍拒绝购买ASML的High-NA EUV设备

目前，生产尖端半导体必不可少的EUV（极紫外）光刻设备由荷兰ASML独家供应，而台积电2nm工艺就是利用现有的EUV设备实现晶圆的大规模量产，并保持较高的良率。但随着推进到更先进的次2nm节点 —— 即1.4nm与1nm...

台积电 ASML 2025-10-23

High-NA不是通往2纳米时代的唯一道路

半导体行业正在重新评估其制造最先进芯片的长期路线图。高数字光圈(High-NA)光刻技术,曾被视为2 nm以下节点小型化的明确路径,现在正在与其他选项进行权衡。尽...

High-NA 2纳米 2025-09-18

SK海力士引入全球首台High-NA EUV设备

据SK海力士官方消息，2025年9月3日，该公司在韩国利川M16工厂成功引进了业界首款量产型高数值孔径极紫外光刻机（High-NA EUV），并举行了设备入厂庆祝仪式。此次引进的设备为荷兰ASML公司开发的TWINSCA...

SK海力士 High-NA 2025-09-03

半导体巨头对high-NA EUV态度分化

据外媒报道，近期，一位匿名英特尔高层提出一种颇具争议的观点：未来晶体管设计，例如GAAFET和CFET架构，可能会降低芯片制造对先进光刻设备的依赖，尤其是对EUV光刻机的需求。这一观点无疑对当前芯片制造技术的核心模式提出...

半导体 high-NA EUV 2025-07-01

台积电仍在评估ASML的“High-NA”，因为英特尔未来会使用

全球最大的合同芯片制造商台积电制造股份有限公司（2330.TW）仍在评估何时将 ASML 的尖端高数值孔径（NA）机器用于其未来的工艺节点，一位高管周二表示。芯片制造商正在权衡这些价值近 4 亿美元的机器的速度和...

台积电 ASML 2025-05-28

英特尔：ASML首批两台High-NA EUV设备已投产

据路透社报道，半导体大厂英特尔近日表示，半导体设备大厂阿斯麦（ASML）的首批两台尖端高数值孔径（High NA）光刻机已在其工厂正式投入生产，且早期数据显示，这些设备的性能比之前的机型更可靠。报道称，英特尔资深首席工程...

英特尔 ASML 2025-02-26

英特尔两台High NA EUV光刻机已投产，单季完成3万片晶圆

据路透社2月24日报道，英特尔资深首席工程师Steve Carson在美国在加利福尼亚州圣何塞举行的一场会议上表示，英特尔已经安装的两台ASML High NA EUV光刻机正在其晶圆厂生产，早期数据表明它们的可靠性大约...

英特尔 High NA EUV 2025-02-26

英特尔：首批两台High-NA EUV 设备已投产

英特尔24日表示，ASML首批的两台先进曝光机已投产，早期数据显示比之前机型更可靠。英特尔资深首席工程师 Steve Carson 指出，英特尔用ASML 高数值孔径（High NA）曝光机一季内生产 3 万片晶圆，即生...

英特尔 High-NA 2025-02-25

imec采用High-NA EUV技术展示逻辑与DRAM架构

比利时微电子研究中心（imec），在荷兰费尔德霍温与艾司摩尔（ASML）合作建立的高数值孔径极紫外光（high-NA EUV）微影实验室中，利用数值孔径0.55的极紫外光曝光机，发表了曝光后的图形化组件结构。在单次曝光后...

imec High-NA 2024-08-13

价值3.83亿美元！Intel拿下全球第二台High NA EUV光刻机

8月6日消息，在近日的财报电话会议上，Intel CEO宣布已成功接收全球第二台价值3.83亿美元的High NA EUV（极紫外光刻机）。High NA EUV光刻机是目前世界上最先进的芯片制造设备之一，其分辨率达到8...

Intel High NA EUV 2024-08-07

ASML第二台High-NA设备，即将导入英特尔奥勒冈厂

英特尔正接收ASML第二台耗资3.5亿欧元（约3.83亿美元）的新High NA EUV设备。根据英特尔8/1财报电话会议纪录，CEO Pat Gelsinger表示，英特尔12月开始接收第一台大型设备，安装时间需要数月...

ASML High-NA 2024-08-06

台积电CEO秘访ASML，High-NA EUV光刻机竞赛提前打响？

5月26日，台积电举办“2024年技术论坛台北站”的活动，台积电CEO魏哲家罕见的没有出席，原因是其秘密前往荷兰访问位于埃因霍温的ASML总部，以及位于德国迪琴根的工业激光专业公司TRUMPF。ASML CEO Chri...

台积电 ASML 2024-05-30

High-NA EUV光刻机或将成为英特尔的转机

上个月英特尔晶圆代工宣布完成了业界首台High-NA EUV光刻机组装工作。随后开始在Fab D1X进行校准步骤，为未来工艺路线图的生产做好准备。...

High-NA EUV 2024-05-09

High-NA EUV光刻机入场，究竟有多强？

光刻机一直是半导体领域的一个热门话题。从早期的深紫外光刻机（DUV）起步，其稳定可靠的性能为半导体产业的发展奠定了坚实基础；再到后来的极紫外光刻机（EUV）以其独特的极紫外光源和更短的波长，成功将光刻精度推向了新的高度；...

High-NA EUV 2024-04-03

ASML 新款 NXE:3800E EUV 光刻机引入部分 High-NA 机型技术

3 月 27 日消息，据荷兰媒体 Bits&Chips 报道，ASML 官方确认新款 0.33NA EUV 光刻机 ——NXE:3800E 引入了部分 High-NA EUV 光刻机的技术，运行效率得以提升。根据...

ASM NXE:3800E EUV 2024-03-27

英特尔是否正在垄断ASML HIGH NA光刻机？

HIGH NA 无疑是打赢下一场比赛的重要筹码。...

英特尔 ASML 2024-01-11

英特尔拿下首套High-NA EUV，台积电如何应对？

英特尔（intel）近日宣布，已经接收市场首套具有0.55数值孔径（High-NA）的ASML极紫外（EUV）光刻机，预计在未来两到三年内用于 intel 18A 工艺技术之后的制程节点。相较之下，台积电则采...

英特尔 High-NA EUV 2024-01-08

SK海力士引领High-k/Metal Gate工艺变革

由于传统微缩(scaling)技术系统的限制，DRAM的性能被要求不断提高，而HKMG(High-k/Metal Gate)则成为突破这一困局的解决方案。SK海力士通过采用该新技术，并将其应用于全新的1anm LPD...

SK海力士 High-k 2022-11-08

3G通信—什么是UMTS

随着通信技术的不断成熟以及用户对通信质量的要求越来越高，现有的GSM网络将不可避免地向W-CDMA（宽带码分多址）演变，这种演进的过程据估计大约需要2-3年，主要的无线网络设备供应商最早也要到 2002年之后才能提供可供...

UMTS GSM 2017-06-13

UMTS 基站接收器占板面积仅为半平方英寸

在满足宏蜂窝基站性能要求的前提之下，集成度究竟能够达到多高? 工艺技术仍然限定某些重要的功能部件必须采用特殊工艺来制造：在射频 (RF) 领域采用GaAs 和 SiGe 工艺，高速 ADC 采用细线 CMOS 工艺，而高...

凌力尔特 RF 2013-06-24

High-end A4监听音箱的制作

一、设计及制作由于普通家庭室.内空间不够宽敞，要求音箱做得尽可能小巧一些，摆放在室内不致引人注意。然而，音箱的效率no与箱体容积VB和低频-3d8滚降点f3有以下关系：no=knmiddot;f33middot;VB上式...

制作音箱 2012-10-27

High-end A4监听音箱的制作方法

制作方法音箱 2012-10-04

GSM/UMTS手机的最终测试方法

电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园...

GSM UMTS 2012-09-12

简要介绍GSM/UMTS手机的最终测试方法和检验

市场上出现了十多种双模GSM/UMTS手机，同时许多中心都有了UMTS覆盖，但是维修中心却经常遇到很多问题，该问题就是在报告手机出现故障时，在维修后手机在送还给顾客之前，这些手机都要进行哪些测试。一篇由Willtek C...

UMTS GSM 2012-09-11

安森美ADS软件的 High-Q IPD工艺设计套件

安森美 ADS 2012-06-25

UMTS通信技术特性及其分析

一、UMTS定义　　UM TS作为一个完整的3G移动通信技术标准，UMTS并不仅限于定义空中接口。除WCDMA作为首选空中接口技术获得不断完善外，UMTS还相继引入了TD-SCDMA和HSDPA技术。　　一种第三代(3...

分析及其 2012-05-17

半英寸UMTS基站接收器设计

在满足宏蜂窝基站性能要求的前提下，能达到多高的集成度? 工艺技术仍然限定某些重要的功能部件必需运用特殊的 ......

UMTS 基站 2012-05-15

GSM/UMTS手机的检验和最终测试方法

许多中心都有了UMTS覆盖，并且市场上出现了十多种双模GSM/UMTS手机，维修中心遇到了如下问题，就是报告有手机......

GSM UMTS 2012-03-02

如何制作High-end A4监听音箱

一、设计及制作由于普通家庭室．内空间不够宽敞，要求音箱做得尽可能小巧一些，摆放在室内不致引人注意。然而，音箱的效率no与箱体容积VB和低频-3d8滚降点f3有以下关系：no＝knmiddot;f33middot;VB上式...

监听音箱 2011-12-24

GSM/UMTS双模手机的检验

　　许多中心都有了UMTS覆盖，并且市场上出现了十多种双模GSM/UMTS手机，维修中心遇到了如下问题，就是报告有手机故障时，以及维修后的手机送还顾客以前，都要对这些手机进行哪些测试。Willtek Communicat...

检验手机 2010-09-17

UMTS通信技术特性及技术分析

分析技术 2010-08-18

Derive simple high-current source from lab sup

Comprising a standard Force-Sense lab power supply, an additional power supply for the ICs, and a separate con...

high-current Derive 2010-08-17

制作High-end A4监听音箱的方法

一、设计及制作由于普通家庭室．内空间不够宽敞，要求音箱做得尽可能小巧一些，摆放在室内不致引人注意。然而，音箱的效率no与箱体容积VB和低频-3d8滚降点f3有以下关系：no＝kn・f33・VB上式中，kn是箱体系数，...

音箱方法 2010-05-28

HUBER+SUHNER推出了优质户外光纤连接器

　　近日，全球著名的通讯传送产品制造商HUBER+SUHNER推出了优质户外光纤连接器，以满足恶劣环境下市场对优质光纤连接器的需求。　　无论是UMTS(无线通信系统)、第三代移动通信、还是航海定位系统—&...

HUBER+SUHNER 光纤连接器 2010-01-28

半导体设备业研发经费拮据　联盟关系将成救星

　　市场研究机构Gartner警告，半导体设备产业的研发预算恐怕在接下来的五年内大幅削减80亿美元，使该产业领域陷入危机。不过该机构资深分析师Dean Freeman也表示，研发联盟的兴起将成为救星。　　缺乏适当的投...

半导体设备通孔硅 2009-09-10

消费无线MEMS在产业衰退中杀出血路

　　据iSuppli公司，尽管总体电子产业下滑，但预计2009年用于消费电子与无线产品的微电机系统(MEMS)将增长6.4%。　　2009年全球消费与无线MEMS营业收入将达到12.4亿美元，高于2008年时的11....

无线 MEMS 2009-07-23

台湾晶圆厂选择 ASM 提供 High-k ALD工具

　　ASM International N.V. 宣布一家台湾晶圆厂为其28 纳米节点high-k 闸极介电层量产制程选择ASM的Pulsar原子层沉积技术(ALD)工具。　　除此之外，此家晶圆厂也将与ASM针对最新...

ASM high-k 2009-05-06

中兴通讯针对北美市场制定LTE策略

　　4月1日，美国拉斯维加斯，在2009年美国CTIA无线通信展上, 中兴通讯展示了系列LTE产品，并披露了针对北美的LTE策略。中兴通讯希望借助基于SDR的UMTS平台和定制终端，推出面向北美市场的LTE端到端解决方案...

中兴 SDR 2009-04-02

IP多媒体子系统柜架结构研究

　　1 UMTS版本的演进　　早在上世纪90年代初期，欧洲电信标准协会(ETSI)就开始为3G标准征求技术方案，并将3G技术称为UMTS(通用移动通信系统)。WCDMA(带宽5MHz)建议是多种方案之一。其后，日本...

IP 多媒体子系统 2008-07-14

采用0.13微米CMOS工艺制造的单芯片UMTS W-CDMA多频段收发器(06-100)

　　前言　　随着通用移动通信系统(UMTS)网络在日本和欧洲实现商用，市场对多频段宽带码分多址(W-CDMA)收发器芯片的要求更加苛刻——除了缩小芯片面积和主板占用空间、减少组件数量、降低材料成本外，还要求芯片具备足...

Infineon CMOS 2008-04-03