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三星电子将引入VCT技术，未来2到3年推出新型DRAM产品

网络与存储三星电子 VCT DRAM |2025-04-29
高速数据中心蓬勃发展，DRAM内存接口功不可没

网络与存储数据中心 DRAM |2025-04-11
SK海力士首度超越三星！拿下DRAM季度营收第一：HBM市占率高达70%

网络与存储 SK海力士三星 DRAM |2025-04-10
美光、SK海力士跟随中！三星对内存、闪存产品提价3-5%：客户已开始谈判新合同

网络与存储内存 DRAM NAND HBM 三星美光 SK海力士 |2025-04-07
下游客户库存去化顺利，预计2Q25 DRAM价格跌幅将收敛

网络与存储 TrendForce 集邦咨询 DRAM |2025-03-26
美光1γ DRAM开始出货，用上了EUV

网络与存储美光1γ DRAM |2025-03-04
新型高密度、高带宽3D DRAM问世

网络与存储 3D DRAM |2025-03-04
美光宣布1γ DRAM开始出货：引领内存技术突破，满足未来计算需求

网络与存储美光 1γ DRAM DRAM |2025-02-27
消息称三星芯片部门负责人携1b DRAM样品访问英伟达

网络与存储三星芯片 1b DRAM 样品英伟达 |2025-02-18
SK海力士实现1c nm制程DRAM内存量产

网络与存储 SK海力士 1c纳米 DRAM |2025-01-22
三星旗舰Galaxy S25系列放弃自家内存，美光成为首要供应商

三星 Galaxy S25 内存美光 DRAM LPDDR5X |2025-01-07
买方采购策略调整，1Q25 DRAM合约价走跌

网络与存储 DRAM TrendForce 集邦咨询 |2024-12-30
美国商务部向美光科技提供 61 亿美元资金，用于在该国生产芯片

EDA/PCB 美国美光科技生产芯片半导体 DRAM 内存芯片存储芯片 |2024-12-11
提高下一代DRAM器件的寄生电容性能

电源与新能源泛林集团 DRAM |2024-11-21
在2025年DRAM位元产出增长下，供应商需谨慎规划产能以保持盈利

网络与存储 DRAM TrendForce 集邦咨询 |2024-11-14
北京君正：21nm DRAM新工艺预计年底推出

网络与存储北京君正 21nm DRAM |2024-11-14
郭明錤剖析英特尔 Lunar Lake 失败原因

EDA/PCB 郭明錤英特尔 Lunar Lake DRAM CPU 封装 AI PC LNL |2024-11-06
铠侠即将发布三大创新研究成果

网络与存储铠侠存储技术 DRAM MRAM 3D堆叠 |2024-10-24
HBM对DRAM厂的贡献逐季攀升

网络与存储 HBM DRAM TrendForce |2024-10-17
三星开发出其首款24Gb GDDR7 DRAM，助力下一代人工智能计算

网络与存储三星 24Gb GDDR7 DRAM 人工智能计算 |2024-10-17
TrendForce：内存下半年价格恐摔

网络与存储 TrendForce 内存 DRAM |2024-08-30
SK海力士成功开发出全球首款第六代10纳米级DDR5 DRAM

网络与存储 SK海力士第六代 10纳米级 DDR5 DRAM |2024-08-29
第二季DRAM产业营收季增24.8%，预期第三季合约价将上调

网络与存储 DRAM TrendForce 集邦咨询 |2024-08-16
imec采用High-NA EUV技术展示逻辑与DRAM架构

EDA/PCB imec High-NA EUV DRAM |2024-08-13
外媒：三星推出超薄型手机芯片LPDDR5X DRAM

手机与无线通信三星手机芯片 LPDDR5X DRAM |2024-08-07
HBM排挤效应 DRAM涨势可期

网络与存储 HBM DRAM 美光 |2024-07-18
圆满收官！紫光国芯慕尼黑上海电子展2024展现科技创新实力

网络与存储紫光国芯慕尼黑电子展 DRAM SeDRAM CXL |2024-07-11
内存制造技术再创新，大厂新招数呼之欲出

网络与存储 HBM 3D DRAM |2024-07-08
服务器支撑下半年需求，预估DRAM价格第三季涨幅达8-13%

网络与存储服务器 DRAM TrendForce |2024-06-27
SK海力士5层堆叠3D DRAM新突破：良品率已达56.1%

网络与存储 SK海力士 3D DRAM |2024-06-26
云端CSPs将扩大边缘AI发展，带动2025年NB DRAM 平均搭载容量增幅至少达7%

网络与存储云端 CSPs 边缘AI DRAM TrendForce |2024-06-26
HBM供应吃紧催生DRAM涨价美光股价飙涨

网络与存储 HBM DRAM 美光 |2024-06-25
美光后里厂火灾公司声明营运未受任何影响

网络与存储美光 DRAM |2024-06-21
通用 DRAM 内存仍供大于求，消息称三星、SK 海力士相关产线开工率维持 80~90%

网络与存储 DRAM 闪存三星海力士 |2024-06-19
合约价劲涨护身 DRAM不怕淡季 Q1营收季增

网络与存储存储器 DRAM TrendForce |2024-06-17
合约价上涨抵消淡季效应，推升DRAM第一季营收季增5.1%

网络与存储淡季效应 DRAM TrendForce 集邦咨询 |2024-06-13
南亚科技：首款 1C nm 制程 DRAM 内存产品 16Gb DDR5 明年初试产

网络与存储南亚科技内存 DRAM |2024-05-30
美光计划投资约300亿元在日本新建DRAM厂

网络与存储美光 DRAM 日本 EUV |2024-05-29
HBM火热效应 DRAM下半年可望供不应求

网络与存储 HBM DRAM TrendForce |2024-05-21
三星和SK海力士计划今年下半年将停产DDR3

三星 SK海力士内存 DRAM HBM |2024-05-16

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