DRAM资讯-电子产品世界网

2026年全球DRAM供应仍将严重不足

据韩媒Chosun Biz援引市调机构Omdia数据，2026年三星电子的DRAM晶圆产量预计为793万片，较2025年的759万片增长约5%。SK海力士的DRAM产量则预计将从2025年的597万片提升至2026年的6...

DRAM 供应 2026-01-15

华硕预告视频展示了即将推出的AM5“Neo”主板——更新可能包括新的AIO接口、M.2升级以及NitroPath DRAM支持超高速DDR5

华硕发布了一段18秒的预告视频，展示了其即将推出的Neo主板，旨在与市场上最好的主板竞争。ROG Crosshair、ROG Strix、TUF Gaming和ProArt系列的新Neo版本将为AMD的AM5平台带来显著...

AM5“Neo”主板华硕Neo主板 2025-12-30

据报道，AI将在2026年消耗全球DRAM晶圆容量的20%，HBM和GDDR7引领需求

随着人工智能基础设施的逐步扩充，内存供应紧张，价格飙升。《商业时报》援引行业专家的话，预测云高速内存消耗到2026年可能达到3艾字节（EB）。值得注意的是，考虑到高速内存如HBM和GDDR7的“等效晶圆使用量”，报告警告...

AI DRAM 2025-12-30

三星发布与InGaO合作的亚10纳米DRAM突破，据报道关注0a/0b的采用

三星电子于7月完成了6代10纳米级工艺的1代1c DRAM开发后，现正推进下一代DRAM技术。据The Elec报道，三星与三星先进技术研究院（SAIT）发布了一种实现亚10纳米DRAM的新方法，可能适用于0a和0b D...

三星 DRAM 2025-12-18

三星CEO据报道将就紧张的移动DRAM供应问题，罕见的参加CES会议

在内存价格急剧上涨的背景下，即使是三星也感受到了压力，尽管三星内部拥有强大容量。DealSite透露，三星电子DX部门CEO兼负责人卢泰文将在2026年1月6日至9日在拉斯维加斯举行的CES 2026开幕日会面美光CEO...

三星存储 2025-12-15

SK海力士探索高带宽存储堆叠 NAND 和 DRAM

在巩固其在 HBM 领域的领导地位后，SK 海力士正在与 SanDisk 合作开发高带宽 NAND 闪存（HBF），该闪存通过 NAND 增强 HBM，用于 AI 推理工作负载。与此同时，据报道，该公司正在探索更广泛的...

SK海力士高带宽 2025-11-11

研调上修本季DRAM涨幅上看23%

记忆体价格涨势持续升温，第四季DRAM市场可望迎来全面上修。 TrendForce最新调查指出，全球云端服务供应商（CSP）积极扩建数据中心，带动服务器用DRAM合约价走强，供应商同步调高报价意愿，使一般型DRAM价格预...

DRAM TrendForce 2025-10-30

为什么存内计算对边缘AI如此重要

在流行媒体中，“AI”通常意味着在昂贵、耗电的数据中心中运行的大型语言模型。但是，对于许多应用程序，在本地硬件上运行的较小模型更适合。自动驾驶汽车需要实时响应，没有数据传输延迟。医疗和工业应用通常依赖于无法与第三方共享的...

存内计算边缘AI 2025-10-27

美光正式送样业界高容量 SOCAMM2 模组，满足 AI 数据中心对低功耗 DRAM 的需求

2025年 10 月 23 日，爱达荷州博伊西市 — 在当今时代，人工智能（AI）实现了前所未有的创新和发展，整个数据中心生态系统正在向更节能的基础设施转型，以支持可持续增长。随着内存在 AI 系统中逐渐发挥越来越重要的...

美光 SOCAMM2 2025-10-24

DRAM老三SK的大逆袭！专家揭称霸全球关键技术

在人工智能（AI）热潮带动下，全球存储器市场迎来三年来最强劲的复苏，第四季DRAM报价涨幅可望扩大至三成以上。财信传媒董事长谢金河指出，韩国SK海力士凭借高带宽记忆体（HBM）技术脱颖而出，从过去的DRAM老三跃升为全...

DRAM SK海力士 2025-10-13

内存模组厂十一长假大盖牌！消费性DRAM暂停报价

DRAM缺货潮加速显现，在中国十一长假期间，存储器市场询单备货的动能不增反减，短期内现货价格持续飙升。近一周来，DDR4 DRAM涨幅已逾1成，DDR5 16Gb也调涨约8%。尽管终端消费市场需求平淡，但各家存储器模组...

内存模组 DRAM 2025-10-10

因涉嫌向中国泄露DRAM技术被捕的三星、海力士前高管获保释

据悉，三星电子和海力士半导体（现SK海力士）前高管崔振锡因向中国泄露三星电子自主研发的投资4万亿韩元的DRAM工艺技术而被起诉，在接受一审期间被保释。首尔中央地方法院刑事24庭（主审法官李英善，高级法官）15日批准崔某保...

DRAM 三星 2025-09-29

三大存储器巨头正在投资1c DRAM，瞄准AI和HBM市场

各大存储器企业正专注于1c DRAM量产的新投资和转换投资。主要内存公司正在加快对 1c（第 6 代 10nm 级）DRAM 的投资。三星电子从今年上半年开始建设量产线，据报道，SK海力士正在讨论其近期转型投资的具体计划...

存储器 1c DRAM 2025-09-29

SK 海力士据报道与客户协商价格调整，跟随美光和三星

存储巨头们正准备在 AI 热潮引发的短缺背景下再次提价。在三星和美光之后，SK 海力士——虽然尚未正式宣布——据 SeDaily 和 Business Korea 报道，正与客户协...

DRAM NAND 2025-09-23

存储器行情来得又急又快 DRAM报价10月看涨双位数

全球存储器市场在生成式AI与大型云端服务商（CSP）急单带动下，正式进入新一轮长线上行。随着业界开始惜售，业者预期，10月DDR4与DDR5合约价及现货价，皆将出现双位数涨幅。产业界大老指出，这一波内存行情涨得又快又急...

存储器 DRAM 2025-09-19

国产厂商切入下一代存储技术：3D DRAM

随着 ChatGPT 等人工智能应用的爆发式增长，全球对算力的需求正以指数级态势攀升。然而，人工智能的发展不仅依赖于性能强劲的计算芯片，更离不开高性能内存的协同配合。传统内存已难以满足 AI 芯片对数...

3D DRAM 2025-09-12

2025年第二季度DRAM营收增长，SK海力士蝉联第一

据TrendForce集邦咨询数据显示，2025年第二季度，全球DRAM产业营收达到316.3亿美元，相比第一季度增长了17.1%。这一增长主要得益于一般型DRAM（Conventional DRAM）合约价的上涨以及出...

DRAM SK海力士 2025-09-03

内存巨头，脆弱的链接：韩国对日本 HBM 供应链的依赖

根据 ZDNet 的报道，韩国可能在 DRAM 和 NAND 闪存等记忆产品领域领先，但它仍然严重依赖日本的关键材料。该报告援引消息人士的话警告说，除非本地化进程更快地推进，否则这种依赖可能会成为韩国...

内存 NAND 2025-09-02

实现120层堆叠，下一代3D DRAM将问世

高密度 3D DRAM 可能即将到来。...

3D DRAM 2025-09-02

2025年第二季度全球DRAM市场分析

在AI需求爆发与高价值产品渗透的双重推动下，2025年第二季度全球DRAM市场实现量价齐升。根据CFMS最新数据，二季度市场规模环比增长20%至321.01亿美元，同比增长37%，创历史季度新高。头部厂商中，SK海力士凭...

DRAM SK海力士 2025-08-28

SK海力士在IEEE VLSI 2025上展示未来DRAM技术路线图

SK海力士公司今天宣布，在日本京都举行的20251年IEEE VLSI研讨会上，该公司提出了未来30年的DRAM新技术路线图和可持续创新的方向。SK海力士首席技术官（CTO）车善勇于6月10日发表了题为“推动DRAM技术...

SK海力士 IEEE 2025-08-26

中国研究团队在半导体领域取得新突破，基于 DRAM 原理

目前，在自动驾驶、智能家居系统和工业控制等领域，对边缘智能硬件的需求日益增加，以在本地处理传感器和智能设备生成的实时环境数据，从而最小化决策延迟。能够精确模拟各种生物神经元行为的神经形态硬件有望推动超低功耗边缘智能的发展...

DRAM 闪存 2025-08-21

据报道，三星在 2025 年上半年 DRAM 市场份额降至 33%，押注 HBM 和 DDR5 复苏

三星电子因与英伟达的 HBM3E 验证问题而面临困境，据韩国媒体 outlets sedaily 和 The Hankyoreh 报道，该公司在其 8 月 14 日发布的半年度报告...

三星 DRAM 2025-08-15

内存现货价格更新：DDR4 价格下滑放缓，韩国内存制造商引发大幅涨价

根据 TrendForce 最新内存现货价格趋势报告，关于 DDR4，由于两家主要韩国供应商对消费级 DRAM 芯片实施了显著的月度价格上调，之前的价格下跌趋势有所缓解。至于 NAND 闪存，高容量产品受到买方和卖方预期...

存储 DRAM 2025-07-23

DDR6 预计将于 2027 年大规模应用，据报道内存巨头已最终完成原型设计

随着 JEDEC 于 7 月 9 日发布 LPDDR6 标准，内存巨头正竞相满足来自移动和 AI 设备的激增需求。值得注意的是，据行业消息人士援引商业时报的报道，DDR6 预计将于 2027 年进...

DDR6 DRAM 2025-07-23

中国CXMT和YMTC推动DRAM和NAND生产

中国存储半导体公司长鑫存储科技（CXMT）和长江存储科技（YMTC）正在加强其在全球存储半导体市场的影响力，在大约一年后将其产能几乎翻了一番。自去年以来，中国内存开始在三星电子和 SK 海力士主导的通用 DRAM...

CXMT YMTC 2025-07-21

SK 海力士据报道将 DDR4/ LPDDR4X 合同价格上调 20%，因 Q3 需求保持强劲

随着内存制造商逐步淘汰 DDR4，预计出货将在 2026 年初结束，合同价格持续上涨。据中国的华尔街见闻报道，SK 海力士已将 DDR4 和 LPDDR4X 内存的合同价格上调约 20%，标志着新...

DDR4 DRAM 2025-07-11

内存现货价格更新：16Gb DDR4 消费者内存价格上升，而 PC 内存失去动力

根据 TrendForce 最新的内存现货价格趋势报告，关于 DRAM，16Gb DDR4 消费者内存芯片的现货价格持续上涨，而 8Gb DDR4 等 PC 内存芯片则出现轻微回调。至于 NAND 闪存，供应商逐步释放产...

内存 DDR4 2025-07-02

历史性 DDR4 现货价格飙升，据报道使 DDR5 翻倍，推动南亚科技的库存暴利

上周，台湾地区顶级 DRAM 制造商南亚科技据报道暂停了 DDR4 现货报价，因为价格飙升。现在，随着 DDR4 16Gb 芯片的价格几乎是同等 DDR5 的两倍——这是 DRAM 历史上的第一次——该公司有望从其大量库...

DDR4 DRAM 2025-06-24

适用于DRAM和处理器的3D堆栈集成

东京科学研究所在 IEEE电子元件和技术会议 ECTC 上透露了其 BBCube 3D 集成流程的进展。“这些新技术可以帮助满足高性能计算应用的需求，这些应用需要高内存带宽和低功耗以及降低电源噪声，”该研究所表示。BBC...

DRAM 处理器 2025-06-24

台湾地区的 DRAM 供应商南亚科技据报道暂停 DDR4 现货价格报价，库存紧张

随着三星和美光等主要内存制造商减少 DDR4 生产并价格上涨，据报道，台湾地区的主要供应商南亚科技已暂停报价，这表明供应紧张和需求增长，据经济日报报道。行业消息人士进一步解释说，报价暂停主要发生在现货市场，而在合同市场，...

DRAM 存储 2025-06-18

DDR4疯狂涨价，DRAM厂商爆赚

据台媒《经济日报》报道，由于DDR4供应减少，再加上市场神秘买家大举出手扫货，最新的8Gb/16Gb DDR4 DRAM现货价等规格单日都暴涨近8%。本季以来报价已翻涨一倍以上，不仅跨过DRAM厂损益平衡点，更达到让厂商...

DDR4 DRAM 2025-06-17

英特尔+软银联手剑指HBM

美国芯片巨头英特尔已与日本科技和投资巨头软银携手，合作开发一种堆叠式DRAM解决方案，以替代高带宽存储器（HBM）。据报道，双方已合资成立新公司Saimemory共同打造原型产品，该项目将利用英特尔的芯片堆叠技术以及东京...

英特尔软银 2025-06-03

三星考虑进行大规模内部重组

据韩媒SEDaily报道，三星半导体部门（即DS设备解决方案部）正对系统LSI业务的组织运作方式的调整计划进行最终审议，相关决定将在不久后公布。预计在由副董事长郑铉镐和DS部门负责人全永铉做出最终决定之前，还将进行更多高...

三星 HBM 2025-05-29

DDR5上升趋势放缓;DRAM价格在第三季度将适度上涨

根据 TrendForce 集邦咨询最新的内存现货价格趋势报告，DRAM 方面，DDR5 价格已显现放缓迹象，预计 25 年第三季度整体 DRAM 价格涨幅将有所缓和。至于 NAND 闪存，现货价格在 2 月下旬以来上涨...

DDR5 DRAM 2025-05-29

Neo Semiconductor将IGZO添加到3D DRAM设计中

存储设备研发公司Neo Semiconductor Inc.（加利福尼亚州圣何塞）推出了其3D-X-DRAM技术的铟-镓-锌-氧化物（IGZO）变体。3D-X-DRAM 于 2023 年首次发布。Neo 表示，它已经开发...

Neo Semiconductor IGZO 2025-05-14

三星因关税前囤积而提高DRAM价格，DDR4上涨20%

在特朗普加征关税之前囤积数据推动的 DRAM 需求激增似乎是真实的。据韩国 Etnews 报道，三星一年多来首次提高了 DRAM 价格，其中 DDR4 的涨幅最大。该报告表明，三星在 5 月初与主要客...

三星 DRAM 2025-05-12

撑不住, SK海力士DRAM涨12%

全球存储器市场近期出现显著价格上涨，消费级存储器产品价格持续攀升。根据最新市场动态，SK海力士消费级DRAM颗粒价格已上涨约12%，落实先前市场的涨价传言。美商威腾旗下品牌SanDisk则于先前发布NAND Flash...

SK海力士 DRAM 2025-05-06

三星电子将引入VCT技术，未来2到3年推出新型DRAM产品

据最新消息，三星电子已制定明确的技术路线图，计划在第7代10nm级DRAM内存工艺（1d nm）后引入VCT垂直通道晶体管技术。相关产品预计将在未来2到3年内问世。在规划下一代DRAM工艺时，三星电子曾面临两种选择：1e...

三星电子 VCT 2025-04-29

高速数据中心蓬勃发展，DRAM内存接口功不可没

高性能人工智能（AI）数据中心正在以前所未有的方式重塑半导体设计版图和投资方向。早在2022年，AI基础设施方面的支出规模就已接近150亿美元。而今年这一数字可能轻松突破600亿美元大关。没错，“吸金”，各种资金正从各种...

数据中心 DRAM 2025-04-11