3D X-DRAM技术资讯-电子产品世界网

美光逆势扩产DDR4，缺货潮能否终结？

美光在弗吉尼亚州马纳萨斯工厂正式启动1α DRAM工艺的量产，该生产基地的DDR4晶圆供货规模将提升四倍，预计于2026年底完成全面量产。这一超20亿美元的投资，专为汽车、国防、航空航天及工业客户而设，旨在保障关键领域的...

美光 DDR4 2026-05-27

消息称三星电子完成900层超高堆叠3D NAND闪存原型开发

2026年5月25日，据韩媒ETNews报道，三星电子宣布利用单元多层键合（CMB）技术，成功研发全球首个900层超高堆叠3D NAND闪存原型，并已验证存储单元正常工作特性，标志着三星在高端存储技术领域实现跨代式领先...

三星 3D NAND闪存 2026-05-26

美光科技美国工厂量产1α DRAM，DDR4供应量将增4倍

据Tom’s Hardware引述美光声明报道，美光科技位于美国弗吉尼亚州马纳萨斯的晶圆厂已完成扩建并正式量产1α DRAM。这一技术成为美国本土最先进的存储器制造工艺。扩建完成后，该厂DDR4晶圆的供应量将提升4倍，标...

美光科技 1α DRAM 2026-05-25

三星将举行史上最大规模罢工

5月20日，韩国三星电子的劳资谈判再度宣告破裂，明天起将举行大罢工，这也将是该公司史上最大规模罢工。据韩联社报道，三星电子作为全球重要的存储芯片制造商，一旦发生罢工，可能进一步加剧由全球人工智能数据中心建设持续升温带来的...

三星存储 2026-05-20

移动 DRAM 价格暴涨，智能手机生产承压

集邦咨询（TrendForce）表示，2026 年第二季度移动 DRAM 价格仍在大幅上涨，本已因整体内存供应紧张而削减生产计划的智能手机厂商，如今又面临新的成本压力。该机构最新的内存市场研究显示，LPDDR4X 解决方...

SK海力士 DRAM 2026-05-19

移动端DRAM合约价格再上涨

市场研究机构集邦咨询（TrendForce）最新发布的存储调查报告显示，2026年第二季度移动端DRAM合约价格继续大幅走高，智能手机厂商的成本压力正持续加剧。值得注意的是，韩国两大内存原厂在本轮涨价中采取了不同策略：三...

DRAM SK海力士 2026-05-18

SoC 集成度如何影响 SMT 贴片良率

本文详解 SoC 系统级芯片集成度对 SMT 贴片良率的影响，涵盖细间距 BGA 工艺难题、封装翘曲、回流焊温度曲线优化以及检测管控策略。系统级芯片 SoC 存在明显的矛盾特性：它能简化整机电路原理图，却大幅增加贴片组装...

SoC 系统级芯片 SMT 贴片良率 2026-05-14

Omdia大幅上调预期：2026年半导体行业增速飙升至62.7%

2026年全球半导体市场将迎来爆发式行情，市场研究机构Omdia上调行业收入增速预期至62.7%。此次预期上调，源于人工智能算力需求持续重塑基础设施建设格局，带动DRAM、NAND等存储芯片需求暴涨。这预示着整条供应链机...

半导体人工智能 2026-04-29

三星1d DRAM良率问题或拖慢HBM5E量产计划

据韩国媒体报道，三星电子的新一代1d DRAM（第七代10nm工艺）因良率未达标，短期内可能无法实现量产，进而影响其下一代HBM内存的推进节奏。这一技术问题直接波及三星计划中的HBM5E产品大规模生产。一位接近三星内部的...

三星 1d DRAM 2026-04-23

1864亿！SK海力士达营业利润率高达72%，碾压台积电

2026年4月23日，SK海力士今日发布截至2026年3月31日的2026财年第一季度财务报告。 SK海力士2026年第一季度主要数据：营收52.58万亿韩元（2429.2亿元人民币），较上一季度的32.83万亿韩元增长...

SK海力士 DRAM 2026-04-23

NAND报价狂涨：LTA将成为存储器行业主流模式

本轮半导体行业复苏的核心引擎，当属NAND闪存的价格暴涨。据摩根士丹利证券预测，MLC（及成熟制程TLC）产品价格从今年首季到第四季涨幅将超过200%，下半年供需失衡幅度或达40%，缺口持续扩大助推价格飙升。DRAM涨幅...

NAND LTA 2026-04-14

DRAM的 “打地鼠” 式安全危机

核心要点Rowhammer（行锤）仍是 DRAM 的主要安全威胁，Rowpress（行压）正成为新的相关威胁。内存控制器发出的新型刷新指令可缓解问题，但并非完美解决方案。更小的垂直结构 DRAM 单元有望从根本上消除...

DRAM 安全危机 2026-04-10

三星无惧DRAM崩盘恐慌：一季度涨价翻倍后，二季度再提价 30%

如今的内存市场，简直像维多利亚时代那位被焦虑裹挟的贵妇一样歇斯底里。最典型的例子就是通用 DRAM 领域：现货价格小幅回调，就引发了 “行业末日” 的唱衰论调，甚至连带股价大跌。但三星这类真正的行业巨头却始终淡定，并且铁...

三星 DRAM 2026-04-09

内存涨不停 Q2上看5成

TrendForce最新存储器产业研究指出，大厂逐步退出成熟DDR4以下产品制造的策略不变，在市场供给结构持续收敛下，过去几个月，整体价格已累积惊人涨幅。由于目前市场供需仍未平衡，市场普遍看好，内存报价涨势，至少将延伸...

内存 TrendForce 2026-04-08

多材料3D打印机“现场”制造整台电动机

增材制造（3D 打印）的惊人进步已耳熟能详，它可以使用一长串材料制造大大小小的物件。其中一些物件可按需复刻现有零件，另一些则是采用锻造、机加工、注塑、铸造、挤压、化学蚀刻等任何标准制造工艺都无法生产的结构。麻省理工学院（...

增材制造 3D 打印 2026-04-07

DRAM合约价再度上涨30%

韩国媒体ETnews报道，三星在一季度将DRAM合约价上涨了100%之后，二季度的DRAM合约价将再度上涨30%。由于随着对AI基础设施投资的扩展，包括三星在内的主要内存制造商将产能集中在HBM上，通用DRAM的供应变得...

DRAM SK海力士 2026-04-07

美光CEO：DRAM供不应求将持续至2027年

4月2日，据外资投行摩根士丹利针对美光科技（Micron）的跟踪报告显示，美光董事长兼CEO Sanjay Mehrotra在近期投资人会议中透露，尽管美光正在加速扩产DRAM，但新产能最快要到2027年底才能出货。因此...

美光 DRAM 2026-04-03

长鑫科技IPO最新进展

根据上交所官网披露的信息显示，国产DRAM巨头长鑫科技科创板IPO审核状态变更为“中止”，引起市场关注。关于此次“中止”，上交所给出的说明为“长鑫科技集团股份有限公司因发行上市申请文件中记载的财务资料已过有效期，需要补充...

长鑫科技 IPO 2026-04-02

存储市场超级周期来临：AI 驱动下的机遇、挑战与产业重构

存储器行业固有的 boom-bust 周期魔咒、供应链重构压力、技术迭代挑战以及全球产业格局的重新洗牌，也让这场繁荣背后暗藏多重考验。...

存储市场超级周期 2026-03-27

“黄金气体”短缺成为半导体供应链新危机

中东冲突的蔓延正通过氦气短缺影响半导体供应链。伊朗对全球主要氦气生产国卡塔尔的设施发动袭击，导致现货价格翻番，并加剧了合同压力。氦气在晶圆刻蚀中不可替代，这对芯片生产构成重大风险，尤其对三星电子和SK海力士等韩国企业造成...

半导体芯片 2026-03-26

闪迪10亿美元入股南亚科技，强化DRAM供应链合作

据彭博社报道，存储芯片巨头闪迪（Sandisk）旗下子公司闪迪科技（Sandisk Technology）近日通过私募配售方式，以10亿美元收购南亚科技1.39亿股股份，占其流通普通股比例约3.9%。南亚科技...

闪迪南亚科技 2026-03-26

三星面临大罢工，存储价格或加速上涨

最新消息，由超过6.6万名韩国三星电子工会成员参与表决的投票结果显示，93.1%的工会成员赞成罢工。若无重大变化，三星电子工会成员将于5月21日至6月7日全面罢工。据悉，本次罢工将是三星史上最大规模的罢工计划。关键诉求：...

三星存储 2026-03-19

Q1 DRAM再涨180%，NAND涨150%

据韩媒Chosun Biz、韩联社等援引市调机构Counterpoint Research数据显示，2026年第一季度，64GB服务器级DRAM模块（RDIMM）DDR5价格较2025年第四季度上涨150%，移动终端用1...

DRAM NAND 2026-03-17

全球首款1c LPDDR6，来了

SK 海力士宣布，已成功开发基于第六代 10 奈米级（1c）制程技术的 16Gb LPDDR6 DRAM。公司表示，该产品已完成全球首度 1c LPDDR6 验证，预计今年上半年完成量产准备，并于下半年开始供货。LPDD...

SK 海力士 LPDDR6 DRAM 2026-03-13

应用材料与美光、SK海力士合作

随着人工智能热潮推动存储需求增长，半导体设备制造商在收获红利的同时，也在加深与头部存储厂商的合作。据路透社报道，应用材料（Applied Materials）已与美光科技（Micron）、SK 海力士达成合作，共同开发对...

应用材料美光 2026-03-12

多裸片芯片设计中凸点与硅通孔的高效规划方案

近年来半导体行业发展迅猛，尤其是高性能计算、人工智能和先进汽车系统的需求持续攀升，传统单裸片芯片设计已难以满足当下的功耗、性能、面积（PPA）指标要求。为此，工程师们开始采用多裸片架构，将多个小尺寸裸片集成在单个封装中。...

多裸片芯片凸点 2026-03-11

应用材料携手美光加速HBM、闪存及DRAM技术研发

应用材料公司今日宣布，正与美光科技展开合作，研发新一代动态随机存取存储器、高带宽内存及闪存解决方案，以提升人工智能系统的高能效表现。双方整合了应用材料位于硅谷的 EPIC 创新中心的先进研发能力，以及美光位于爱达荷州博伊...

应用材料美光 2026-03-11

存储涨价后遗症来了

此前，国家发改委价格监测中心发文称，2025 年 9 月至今，受需求「爆发式」增长、产能「断崖式」紧缺等因素影响，全球存储器市场缺口扩大，存储芯片价格持续上涨，近 1 个月多以来，涨幅呈现扩大态势，建议关注存储芯片对下游...

DRAM Flash 2026-03-10

存储器现货价格最新动态：DRAM 现货价高于合约价，二季度议价前市场情绪谨慎

DRAM 平均现货价格（2 月 25 日 - 3 月 3 日）DDR5 16Gb 4800/5600（2G×8）：77.36→79.14，涨幅 2.25%DDR5 16Gb（2G×8）eTT 版 3200：38.67→3...

存储器 DRAM 2026-03-05

内存价格迈入小时级波动，中小厂商争抢剩余货源艰难求生

人工智能引发内存供应危机，DRAM 市场被迫启用 “小时级定价” 模式 —— 数万家中小企业为生存展开激烈争夺逾 19 万家中小型电子企业正被人工智能浪潮挤出内存市场。据《电子时报》今日发布的报道，受人工智能需求激增引发...

内存 DRAM 2026-03-04

三星和SK海力士将继续大幅提高DRAM价格

据报道，全球前两大DRAM芯片大厂三星和SK海力士已向客户发出通知，今年第二季度将继续大幅提高DRAM价格。而具体的涨价幅度则因客户而异，但中小型客户可能将不得不接受大幅涨价以确保DRAM供应。这一波DRAM价格的持续上...

三星 SK海力士 2026-03-03

DDR5颗粒拟涨40%，Q2 DRAM价格或翻倍

据中国台湾媒体报道，SK海力士和三星两大内存巨头接连传出涨价消息，DDR5内存颗粒价格拟上调40%，第二季度DRAM价格或将翻倍。内存模组厂商已暂停对外报价，等待成本重新核算。据中国台湾《PCDIY！》资深记...

DDR5 DRAM 2026-02-28

存储芯片价格持续攀升，DRAM和NAND再创新高

据市场研究公司DRAMeXchange于2月27日发布的数据显示，DRAM和NAND闪存芯片的价格继续同步上涨，其中DRAM价格再次创下历史新高，达到13美元，而NAND闪存价格涨幅超过33%。自去年4月以来，通用DRA...

存储芯片 DRAM 2026-02-28

存储价格将继续上涨

随着AI服务的进步，需求不断增长，而供应仍然有限，分析师预计今年内存价格的上涨趋势将持续。一些人认为，市场已经进入了供应商主导的阶段。目前，SK海力士的DRAM和NAND库存已降至约四周的供应量。稳健的库存管理和紧张的供...

存储 NAND 2026-02-24

华邦电子预计DRAM价格到2026年6月将暴涨近4倍，产能已预订至2027年

AI应用持续推动内存需求激增，昨日华邦电子（Winbond）在法说会上指出，DRAM供应紧张已成为当前焦点。据《经济日报》报道，公司表示DRAM短缺将持续存在，本季度内存价格预计将飙升90%–95%，而下一季度的涨幅有望...

华邦 DRAM 2026-02-12

如何走出DRAM短缺困境？

如今科技领域似乎一切都围绕AI展开，而事实也的确如此。在计算机内存市场，这一点体现得尤为明显。为AI数据中心中GPU及其他加速芯片提供支持的DRAM需求极其旺盛、利润空间巨大，导致原本用于其他领域的内存产能被分流，价格也...

DRAM GPU 2026-02-12

长江存储进入加速期，三期项目计划今年建成投产

近日，长江存储三期项目正在安装巨型洁净厂房设备，项目负责人透露，计划今年建成投产。湖北省委书记王忠林来到长江存储三期项目建设现场三期扩产与未来目标长江存储成立于2016年7月，是我国存储芯片制造领域的龙头企业，主要为市场...

长江存储半导体 2026-02-05

Material公司的电池为每个角落提供电力

动力强劲的 F1 赛车、穿梭飞行的无人机、士兵的单兵背包、智能可穿戴设备，这些产品有着一个共同点：都需要电池供电。理想状态下，电池能精准适配各类不规则的边角、曲面与空隙，但如今的圆柱或方形电池电芯却难以实现这一点。曾参与...

Material 3D 打印 2026-02-04

英特尔重返 DRAM 赛道？深入解析与软银合作的 Z-Angle 内存项目

2 月 2 日，英特尔宣布与软银子公司 SAIMEMORY 达成合作，共同研发 Z-Angle 内存（ZAM），其内存领域的野心再度引发关注。根据双方发布的新闻稿，该项目将于 2026 年第一季度启动，预计 2027 年...

英特尔 DRAM 2026-02-04

电动车企成本的“完美风暴”正在形成

瑞银在最新研报中称，随着2026年初刺激政策的全面退潮和5%购置税的征收，需求端本就疲软。然而，供给端却迎来了大宗商品（铜、铝、锂）和关键零部件（存储芯片DRAM）价格的剧烈反弹。据该行测算，一辆典型的中型智能电动车的成...

电动车 DRAM 2026-02-03