极紫外（EUV）光刻是先进半导体器件制造不可或缺的技术，但进一步微缩却面临棘手的材料难题。光刻胶需要同时兼顾高分辨率、低曝光剂量、可控的线条边缘 / 线宽粗糙度以及极低缺陷率。这些指标往往相互矛盾：降低 EUV 曝光剂量可以提升扫描设备吞吐量，但参与图形生成的光子数量变少，会增大随机涨落效应。Achintya Kundu 等人发表于 SPIE 会议的论文，研究通过对光刻胶下方的底层膜进行工艺改良，来改善上述矛盾。底层膜是位于硅片衬底与 EUV 光刻胶之间的薄膜。它本身并不直接定义印刷图形，但其物理、化学特
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底层膜工艺
EUV
曝光剂量
英特尔与台积电的终极目标一致：制造尺寸更小、速度更快、能效更高的半导体芯片，但二者在先进光刻技术上选择了截然不同的发展策略。英特尔早早布局研发高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV），台积电则持续迭代现有常规 EUV 工艺用于新一代量产制程。两条路线的差异，源于双方技术路线规划、制造优先级、成本与风险评估的不同。常规 EUV 光源波长为 13.5 纳米，投影光学系统数值孔径 0.33。相比深紫外（DUV）设备，它能够刻蚀更小的芯片图形，是先进逻辑芯片生产的必备设备。高 NA EUV 沿用 13.5n
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英特尔
台积电
高数值孔径
EUV
光刻
High-NA
曾经只有台积电、三星、英特尔、SK海力士和美光五家巨头才用得起的EUV，如今开始出现在二线存储厂商的采购清单上。这标志着DRAM产业正进入一个全新的阶段：EUV不再是头部玩家的专属武器，而是整个DRAM行业迈向下一代制程的必经之路。中国台湾DRAM产业接连投下两颗重磅炸弹。8月5日，南亚科宣布将2026年资本支出由520亿元新台币上调至697亿元，调幅达34%，并批准2026年至2029年5A新厂资本支出上限为3466亿元新台币，成为南亚科历史上规模最大的单一投资计划。次日，华邦电正式启动高雄第二座12英
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DRAM
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混合键合
长鑫存储
据国外科技媒体 The Information 援引知情人士报道，ASML计划上调其芯片制造设备价格。此举很可能使 ASML 与全球最大晶圆代工厂台积电发生冲突。台积电已对 ASML 的涨价计划予以抵制。据悉，ASML 近期已就极紫外光刻（EUV）系统涨价直接与台积电沟通；近几周还告知包括中国芯片制造商在内的部分客户，计划将深紫外光刻（DUV）系统价格大幅上调约 10%。在财报电话会议上，ASML首席财务官 Roger Dassen 表示会持续提升 Low-NA（低数值孔径）EUV 工具的生产效率，“这当
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ASML
DUV
EUV
ASML 上调 2026 年销售预期并规划扩大产能，显示 AI 芯片扩张压力正在从晶圆厂传导到上游设备环节。先进逻辑、DRAM、HBM 和先进封装的扩产，都离不开光刻、量测和工艺设备的交付节奏。在 AI 芯片需求持续增长的背景下，ASML 公布第二季度业绩后上调全年销售预期。据公开报道，ASML 第二季度收入达到 93.3 亿欧元，并将 2026 年净销售额预期上调至 430 亿—450 亿欧元。公司同时计划在未来两年继续扩大产能，以缓解先进芯片制造环节的设备约束。ASML 通常被视为先进制程的关键设备供
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ASML
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半导体设备
AI芯片制造
先进制程
DRAM
HBM
AI
阿斯麦（ASML）今日发布2026年第二季度财报。2026年第二季度，ASML实现净销售额93亿欧元，毛利率为54.0%，净利润达29亿欧元。ASML预计2026年第三季度的净销售额在110亿至120亿欧元之间，毛利率介于55%至57%；2026年全年净销售额预计在430亿至450亿欧元之间，毛利率介于54%至56%。（除非特别说明，数字均以百万欧元为单位）2026年第一季度2026年第二季度净销售额8,767 9,326其中装机售后服务12,488 2,762售出的全新光刻系统 (台
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阿斯麦
ASML
DUV
EUV
掩模成本上涨、High-NA 严苛指标、新材料难题倒逼芯片厂商权衡光刻方案：兼顾产能、设计策略与整体制程成本核心要点掩模成本并未阻挡先进制程微缩进程，但正持续影响芯片厂商的工艺节点选择、产品设计方案与制程路线规划；High-NA EUV高 NA 极紫外光刻将对关键尺寸、图形位置误差、局部关键尺寸均匀性、掩模三维建模、拼接工艺及配套材料提出更高标准；高 NA 极紫外光刻的焦深缩短，将推动光刻胶、刻蚀、薄膜、吸收层材料与工艺全新技术路线落地。圆桌访谈嘉宾《半导体工程》邀请行业专家开展圆桌
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掩模成本
高数值孔径极紫外光刻
High-NA EUV
2026年6月4日，台积电在台北召开股东大会，董事长魏哲家宣布一季度合并营收达11341亿元新台币（约2439.45亿元人民币），净利润5724.8亿元新台币（约1231.4亿元人民币）。第二季度营收预计390亿至402亿美元（约合2647.43亿元至2728.89亿元人民币），毛利率约65.5%至67.5%。2025年，台积电晶圆出货量达到1500万片，先进制程节点贡献了74%的晶圆收入。台积电表示，先进制程技术需求持续强劲，将继续支撑业绩表现。魏哲家指出，从生成式AI、查询模式，进一步转向AI智能体与
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台积电
High-NA
EUV
光刻机
imec（比利时微电子研究中心）成为全球首家采用高数值孔径极紫外光刻（High NA EUV） 工艺制造量子点量子比特的机构。一台具备实用价值的量子计算机，需要数百万个互联互通的量子比特，同时满足高可靠性与精准控制的要求。在目前各类研发中的量子计算技术路线里，硅基量子点自旋量子比特被认为最适合实现产业化规模化量产，也常被业内称作 “产业级量子比特”。其制造流程与主流 CMOS 芯片工艺高度兼容。硅基量子点自旋量子比特会将单个电子束缚在硅纳米结构（栅极层）内部，并利用被捕获电子的自旋态来存储量子信息。为降低
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imec
量子点
量子比特
high-NA
英特尔CEO陈立武在受访时透露14A节点计划于2028年启动风险试产，2029年实现规模化量产。据外媒报道，英特尔CEO陈立武在受访时，公布了14A工艺的最新路线图，并透露该节点计划于2028年启动风险试产，2029年实现规模化量产。 这一计划较原定2027年下半年试产、2028年量产的安排有所推迟。作为第二代RibbonFET环绕栅极晶体管技术的载体，14A将首次采用ASML价值3.8亿美元的High-NA EUV光刻设备，配合全新背部供电架构PowerDirect，预计在能效比和晶体管密度上
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英特尔
High-NA EUV
14A
18A
据路透社消息，全球顶尖芯片设备制造商阿斯麦（ASML）首席执行官克里斯托夫·富凯于当地时间周二在比利时微电子研究中心（imec）举办的行业会议上公开表示，公司预计未来数月内，将迎来首批采用新款高数值孔径（High-NA）EUV光刻机生产的芯片产品，覆盖逻辑芯片与存储芯片两大核心领域。富凯在会议中明确指出，High-NA EUV光刻机作为面向2nm以下（1.8nm/1.4nm及更先进节点）制程的核心图形化设备，核心价值在于降低顶尖芯片电路光刻成型成本，同时适配AI芯片、HBM/DRAM等高端存储芯片的制造需
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ASML
阿斯麦
光刻机
芯片
High-NA EUV
台积电并没有急着把High-NA EUV（高数值孔径极紫外光）光刻技术放进2029年前的量产节点。作为对比，英特尔则更早导入High-NA设备。两家公司真正的差异，不只是设备选择，而是量产节奏、成本和良率风险的取舍。
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台积电
英特尔
High-NA
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先进制程
3nm
三星
台积电在2026年北美技术论坛指出，2029年底没有计划导入艾司摩尔（ASML）最先进的微影设备，此消息冲击ASML股价跌逾1%，台积电ADR大幅上涨逾5%，显示投资人对台积电以较低成本推进技术的策略给予正面评价。根据《路透》报导，台积电并未规划在2029年前采用ASML最新一代高数值孔径极紫外光微影设备（High-NA EUV）投入芯片量产，主因在于该设备成本极为高昂。台积电暂缓导入新设备 成本高昂是关键台积电副共同营运长张晓强直言，ASML新世代High-NA EUV设备价格「非常、非常昂贵」，该设备
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ASML
EUV
台积电
这次意外大裁员其实并不意外，很有可能源于ASML对未来半导体产业发展失衡状态的前瞻而提前进行的战略调整，面对未来几年可能遭遇无法预知的狂风巨浪，ASML要抢先一步提升自身陀螺仪的鲁棒性。
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ASML
裁员
半导体
EUV
随着AI投资狂潮席卷科技行业，真正限制算力扩张的环节在哪里？半导体研究机构SemiAnalysis创始人给出的答案是：瓶颈一直在变。SemiAnalysis是一家近年来在科技和投资圈迅速走红的半导体研究机构，其研究广泛被AI公司、云计算厂商以及对冲基金使用。近日，在一次播客访谈中，SemiAnalysis创始人Dylan Patel系统解释了AI算力扩张背后的供应链逻辑。他指出，过去几年AI算力的限制因素不断变化，就像打地鼠一样，一个瓶颈被解决，新的瓶颈就会出现。算力扩张的瓶颈不断变化Dylan Pate
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EUV
光刻机
算力
ASML
荷兰芯片设备制造商阿斯麦（ASML）希望在 4 月 1 日前获得工会批准。在这家荷兰芯片设备巨头宣布计划裁减 1700 个管理岗位七周后，其员工仍不清楚自己是否会丢掉工作。此次裁员发生在阿斯麦创下 327 亿欧元年度营收纪录的背景下。裁员目标为阿斯麦技术与 IT 部门的管理岗位，其中荷兰 1400 个、美国 300 个，约占公司全球员工总数的 4%。阿斯麦一名发言人向荷兰广播公司 Omroep Brabant 表示，长期的不确定性已引发内部不安。“员工们完全不知道自己处境如何。他们都在问‘这对我意味着什么
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阿斯麦
ASML
EUV
比利时微电子研究中心（imec）证实，在极紫外光刻（EUV）的曝光后烘烤（PEB）环节，将氧浓度提升至大气水平以上，可显著提高金属氧化物光刻胶（MOR）的感光速度。感光速度加快意味着光刻胶能以更低的 EUV 曝光剂量达到目标图形尺寸，这将直接提升 EUV 光刻机的产能，并降低曝光工序成本。此前，行业并未将曝光后烘烤腔室的气体成分作为 EUV 光刻的重要优化方向，因此该研究成果具有重要意义，但其产业化前景仍有待观察。imec 的科研人员发现，在 EUV 曝光后烘烤环节，将氧浓度从空气环境中的 21% 提升至
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IMEC
曝光后烘烤
EUV
先进芯片产能
光刻胶
比利时微电子研究中心（imec）证实，在极紫外光刻（EUV）曝光后的关键步骤中，对气体成分进行精准控制，可最大限度降低所需曝光剂量，进而显著提升晶圆产能。具体而言，当极紫外光刻曝光后烘烤（post-exposure bake）步骤在高氧浓度环境下进行时，金属氧化物光刻胶（MORs）的剂量响应性能得到了显著改善。金属氧化物光刻胶的技术优势金属氧化物光刻胶（MORs）已成为先进极紫外光刻应用的核心候选材料，相较于化学放大光刻胶（CARs），它具备更高的分辨率、更低的线边缘粗糙度，以及更优异的 “剂量 - 尺寸
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气体控制技术
极紫外光刻
EUV
晶圆产能
imec
2 月 23 日消息，据路透社今日报道，阿斯麦（ASML）的研究人员表示，他们已找到提升关键芯片制造设备光源功率的方法，到 2030 年可将芯片产量提高多达 50%。阿斯麦极紫外（EUV）光源首席技术官迈克尔・珀维斯（Michael Purvis）在接受采访时表示：“这不是花拳绣腿，也不是那种只能在极短时间内演示可行的东西，这是一个能在客户实际生产环境的所有相同要求下，稳定输出 1000 瓦功率的系统。”报道称，随着周一公布的这一技术进步，阿斯麦旨在通过改进光刻机中技术难度最高的部分，进一步拉开与所有潜在
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阿斯麦
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EUV
光源技术
芯片
产能
阿斯麦（ASML）宣布将极紫外光刻（EUV）设备的核心光源功率提升至1000 瓦，这一技术突破将直接推动先进制程芯片的生产良率提升，同时有效降低单颗芯片的制造成本，成为先进半导体制造领域的又一重要技术进展。在极紫外光刻技术中，光源功率是决定光刻机生产效率与芯片良率的核心指标之一。更高的光源功率能够让光刻机在晶圆曝光过程中，实现更快的光刻速度与更稳定的图案转移效果：一方面，更高的功率可缩短单晶圆的曝光时间，提升光刻机的单位时间产能；另一方面，稳定的高功率光源能减少光刻过程中的图案偏差、线宽不均匀等问题，大幅
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阿斯麦
极紫外光刻机
光源功率
芯片良率
ASML
EUV
据《日经亚洲》报道，日本研究机构Global Net数据显示，2025年全球芯片设备厂商前20强中有3家中国企业，较2022年美国出口限制前新增2家。这三家公司分别是北方华创、中微公司和上海微电子。值得注意的是，若将范围扩大至排名前30名的企业，还将新增两家中国企业：盛美上海和华海清科。北方华创、中微、上海微、盛美上海、华海清科上榜TOP30这一变化既展现了国产设备凸显群体崛起态势，也印证了美国出口管制未达遏制目的，反而倒逼中国半导体供应链自主化加速，激发了本土产业韧性。北方华创具体排名中，北方华创的排名
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半导体设备
ASML
北方华创
中微公司
上海微电子
DUV
EUV
全球最大的先进芯片荷兰制造商ASML在公布其销售额连续第十三年实现增长后，CEO克里斯托夫·富凯（Christophe Fouquet）在声明中表示，计划裁减约1700个工作岗位，作为其技术和IT运营重组的一部分。此次裁员人员主要涉及管理层，人数约占员工总数的4%，大部分裁员将在荷兰进行，美国也有部分职位被裁减。ASML表示，一些领导职位可能不再需要，同时将创建新的工程职位以支持正在进行和未来的项目。“虽然这将使一些受影响的同事能够转移到新的岗位，但我们必须承认，有些人将因此离开阿斯麦公司”。此举旨在加强
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ASML
DUV
EUV
三星电子将首次在美国泰勒晶圆厂推出“极紫外（EUV）薄膜”，这是一种提升先进半导体工艺生产力的关键组件。此前尚不清楚是否会引入，但通过订购关键设备几乎确认了申请。根据22日的行业报道，三星电子已在美国德克萨斯州泰勒工厂订购极紫外涂层设备。FST将收到价值250亿韩元的极紫外膜剥离与附着设备及检验设备订单。极紫外膜是安装在光罩上的超薄保护元件，用于曝光过程。半导体将光体现在带有预先绘制电路的光罩上，并被嵌入晶圆上。通过施加极紫外膜，可以防止细颗粒和污染物粘附光罩表面，从而减轻产率劣化。为了在暴露设备中使用极
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紫外层薄膜
美国泰勒工厂
EUV
随着计算技术的进步，越来越多的先进芯片应运而生。最新一代 3 纳米和 2 纳米制程芯片的尺寸极小，传统光源波长已无法在如此精细的尺度上实现可靠的图形光刻。这一挑战并非新题 —— 半导体行业长期以来一直使用深紫外光刻（DUV）技术在硅片上进行光刻加工。但要实现最先进芯片设计的纳米级精度，就需要波长更短的光源。这种光源及对应的光刻技术被称为极紫外光刻（EUV）。中国 EUV 原型机提前问世图注：更短、更精准、更纤薄：技术的巨大飞跃，蔡司（ZEISS）数据显示，EUV 技术制造的结构精度达 13.5 纳米，比人
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EUV
半导体
ASML
蔡司
中国朝向国产紫外真空光刻能力的漫长进程似乎正在缩小，近期发展显示进展速度超乎预期。据路透社报道，消息人士称中国已组装了一台使用旧ASML系统组件的EUV原型机。正如报道所示，消息人士称中国政府目标是在2028年前生产使用该原型机的实用芯片，尽管2030年被视为更现实的目标。原型机的存在表明，中国距离半导体自给自足可能比此前预期的更近数年。报道援引消息人士称，原型机于2025年初完成，目前正在进行测试。报告补充说，虽然该机器已运行并具备极紫外光的能力，但尚未生产出可工作的芯片。据报道，前ASML工程师参与了
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ASML
EUV
光刻
全球光刻机巨头阿斯麦（ASML）首席执行官克里克里斯托夫·富凯（Christophe Fouquet）在专访时，谈到了被禁止向中国出口所有EUV设备及最先进的深紫外（DUV）光刻设备，就当前西方对华光刻机出口限制政策，抛出了一番充满矛盾的“技术制衡论”，引发行业广泛关注。眼下，阿斯麦正面临严苛的出口管制约束：被禁止向中国出口所有极紫外（EUV）光刻设备，以及技术最先进的深紫外（DUV）光刻设备。他重申其观点，认为“应向中国适度输出技术以防其自主研发形成竞争力”；同时，在他看来在对华技术出口限制问题上，西方
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ASML
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EUV
近年来，首次直接解决了EUV光刻中二次电子噪声的统计及其对缺陷概率的影响[1]。在本文中，我们将考虑一些更新的 EUV 抗蚀剂模糊模型，包括化学放大 （CAR） 和金属氧化物 （MOR） 类型。首先，让我们回顾一下推导 EUV 随机缺陷概率的过程，同时考虑二次电子噪声。光子吸收的特征是经典的分裂或变薄泊松分布[2]。假设每个吸收的EUV光子释放的电子数遵循整数的均匀分布作为概率质量函数[1]。当考虑电子散射时，由此产生的有效“模糊”将嘈杂的光子吸收曲线替换为以模糊比例参数为特征的平滑曲线。然而，这只会更新
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电子噪声
抗蚀剂
模糊模型
EUV
缺陷密度
目前，生产尖端半导体必不可少的EUV（极紫外）光刻设备由荷兰ASML独家供应，而台积电2nm工艺就是利用现有的EUV设备实现晶圆的大规模量产，并保持较高的良率。但随着推进到更先进的次2nm节点 —— 即1.4nm与1nm（分别代号A14与A10）—— 制造工艺将面临更多技术瓶颈。理论上，这些问题可以通过采购ASML的最先进High-NA EUV设备来解决，但最新消息称台积电选择的方向并非购买新设备，而是转向使用光掩模薄膜（Photomask Pellicles）。什么是High-NA光刻机？从早期的深紫外
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台积电
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High-NA
EUV
2nm
荷兰半导体设备巨头、芯片制造光刻机的主要供应商 ASML Holding NV 于 2025 年 10 月 15 日发布了 2025 年第三季度财报。结果显示，在人工智能需求的推动下，订单量强劲，但也对 2026 年对中国的销售额将大幅下降发出了严厉警告。虽然该公司试图向投资者保证整体增长将保持稳定，但这一消息凸显了芯片行业不断升级的地缘政治紧张局势。以下是主要亮点的细分。财务业绩ASML 公布了稳健的第三季度业绩，尽管净利润持平，但预订量超出预期：净销售额：77 亿欧元，同比增长 8%，但略低于分析师预
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EUV
芯片工具
据《韩国经济日报》报道，据报道，三星将于今年晚些时候收到其首款高数值孔径 （high-NA） EUV 扫描仪——Twinscan EXE：5200B，随后将于 2026 年上半年推出第二台扫描仪。报告补充说，虽然该公司已经在其华城市园区运营了一种研究用途的高 NA EUV 工具，但新系统将标志着其首次旨在大规模生产的收购。报告指出，竞争对手台积电目前正在测试该系统的研发版本，但尚未将其部署用于商业规模制造。报道援引消息人士的话称，SK海力士在9月份证实已经订购了生产级高NA EUV系统。据报道援引消息人士
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ASML
高数值孔值
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