台积电避免使用高NA EUV光刻技术

该公司在研讨会上介绍了 A14 工艺，称预计将于 2028 年投产。之前已经说过，A16 工艺将于 2026 年底出现，也不需要高 NA EUVL 工具。

“从 2nm 到 A14，我们不必使用高 NA，但我们可以在加工步骤方面继续保持类似的复杂性，”据报道，业务发展高级副总裁 Kevin Zhang 在发布会上说。

这与英特尔形成鲜明对比，英特尔在积极采用高 NA 方面一直积极实施一项计划，以赶上半导体代工市场领导者台积电和三星。英特尔是第一家获得高数值孔径 EUVL 工具的公司，并计划在 2025 年开始使用其 18A 制造工艺制造采用高数值孔径 EUVL 的芯片。

一切都与价格标签有关

台积电延迟采用的一个关键原因可能是垄断供应商 ASML Holding NV 对这些工具的极高价格标签。据说高 NA EUV 曝光机的价格约为 3.8 亿美元，是上一代低 NA EUV 曝光机约 1.8 亿美元的两倍多。

TSMC 显然已经计算出，使用低 NA EUVL 的多重图形化更具成本效益，并且在线停留时间略长。此外，它将受益于使用当前一代设备的卓越、成熟的产量。

英特尔是否会坚持积极采用这项技术还有待观察，因为它现在有一位新任首席执行官 Lip-Bu Tan，他对 Intel Foundry 的计划尚未完全披露。

英特尔与台积电

另据报道，英特尔和台积电已达成初步协议，成立一家合资企业来经营英特尔的芯片制造工厂。

谭告诉分析师，他最近会见了台积电首席执行官 CC Wei 和台积电创始人兼前董事长 Morris Chang。“Morris 和 CC 是我非常老的朋友。我们最近还开会，试图找到我们可以合作的领域，这样我们就可以创造一个双赢的局面，“Tan 在分析师电话会议上说。

TSMC 的 A14 制造工艺的第一个实例没有使用背面配电。一种名为 A14P 的变体，其背面配电将于 2029 年推出，随后的高性能版本 A14X 可能是高数值孔径 EUVL 的候选者。

即使英特尔和三星继续采用高数值孔径 EUVL 以在领先工艺中赶上台积电，它们也面临着开发成本。通过率先进行这项开发，他们可以为 TSMC 在认为采用具有成本效益时介入并使用高 NA EUVL 铺平道路。