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high-na euv 文章 最新资讯

EUV: 一场输不起的赌局

  •   2010年, ASML将有5台最先进的EUV设备整装发往全球的5家客户。业界传言,最新的NXE3100系统将发送给3家顶级存储器厂商和2家顶级逻辑厂商。EUV胜利的曙光正在向我们招手,虽然目前工程师们还在荷兰Veldhoven专为EUV新建的大楼中忙碌,在设备出厂前,解决正在发生的问题,并预测着各种可能发生的问题及解决方案。   人们谈论EUV的各种技术问题已历时数年,因为其波长较目前的193nm缩短10倍以上,EUV一直是通往22nm的实力派参赛选手之一。与此同时,延伸immersion技术,用其
  • 关键字: ASML  EUV  22nm  

台积电老将再出山 蒋尚义领命战研发

  •   不知是否是因为Global Foundries的步步威胁,台积电28日宣布,延聘3年前离职的蒋尚义博士担任研究发展资深副总经理,他将直接对张忠谋董事长负责。   这是继张忠谋6月重新执政台积电以来,又一次重大的人事调整。蒋尚义博士早在1997年即加入台积电担任研究发展副总经理,带领研发团队一路顺利开发完成0.25微米、0.18微米、0.13微米、90纳米、65纳米等各个世代的先进工艺技术,成果斐然。但是三年多前因为要照顾年迈生病的父亲而暂时离开,如今因父亲仙逝而能再度回到台积,相信蒋资深副总的回任,
  • 关键字: 台积电  40纳米  HKMG  EUV  

EUV蓄势待发 Carl Zeiss向ASML出货EUV光学系统

  •   德国Carl Zeiss SMT AG已向半导体设备商ASML出货首台EUV光学系统。该公司已使EUV光学系统达到了生产要求。   光学系统是EUV设备的核心模块,首台EUV设备预计将在2010年出货。几周前,美国公司Cymer完成了EUV光源的开发,EUV光源是EUV光刻设备另一个关键模块。该技术将使芯片制造商进一步缩小芯片的特征尺寸,提高生产效率。   据Carl Zeiss 介绍,目前出货的光学系统已经研发了约15年。
  • 关键字: ASML  EUV  光刻设备  

半导体设备业研发经费拮据 联盟关系将成救星

  •   市场研究机构Gartner警告,半导体设备产业的研发预算恐怕在接下来的五年内大幅削减80亿美元,使该产业领域陷入危机。不过该机构资深分析师Dean Freeman也表示,研发联盟的兴起将成为救星。   缺乏适当的投资将导致技术蓝图延迟,而且公司恐怕无法做好迎接未来挑战的准备;在目前营收低迷的情况下,半导体设备业正面临着如此的危机点。不过Freeman却认为,在这一轮不景气中最大的不同,就是在过去十年来有不少产业联盟的建立,而这些结盟关系在某些程度上减轻了业者因营收减少对研发所带来的冲击。   Fr
  • 关键字: 半导体设备  通孔硅  high-k金属闸极  

台湾晶圆厂选择 ASM 提供 High-k ALD工具

  •   ASM International N.V. 宣布一家台湾晶圆厂为其28 纳米节点high-k 闸极介电层量产制程选择ASM的Pulsar原子层沉积技术(ALD)工具。   除此之外,此家晶圆厂也将与ASM针对最新世代的high-k闸极技术进行制程开发活动。 ASM 在2009年第2季将针对进阶节点开发计划提供额外的 Pulsar 制程模块。该晶圆厂在过去4年也使用ASM的ALD high-K和金属闸极设备来开发其以铪基材料为基础的high-k 闸极制程。   纳米节点上实现成功的high-K制程
  • 关键字: ASM  high-k  晶圆  

EUV掩膜版清洗—Intel的解决之道

  •   对于极紫外(EUV)光刻技术而言,掩膜版相关的一系列问题是其发展道路上必须跨越的鸿沟,而在这些之中又以如何解决掩膜版表面多层抗反射膜的污染问题最为关键。自然界中普遍存在的碳和氧元素对于EUV光线具有极强的吸收能力。在Texas州Austin召开的表面预处理和清洗会议上,针对EUV掩膜版清洗方面遇到的问题和挑战,Intel Corp. (Santa Clara, Calif.)的Ted Liang主持召开了一次内部讨论,并在会上向与会的同仁报告了在这一领域Intel和Dai Nippon Printin
  • 关键字: 光刻  EUV  掩膜  CMOS  

22纳米后EUV光刻还是电子束光刻?市场看法存分歧

  • 浸润式微显影双重曝光能进一步延伸摩尔定律的寿命至32纳米,不过,22纳米以下究竟哪种技术得以出头,争议不断。据了解,台积电目前正积极研发22纳米以下直写式多重电子束(MEBDW)方案,并已有具体成果,但积极推动深紫外光(EUV)的ASML则表示,目前已有数家客户下单,最快2009年便可出货,但哪种技术最终将「一统江湖」,尚未有定论。     ASML表示,目前深紫外光EUV的光波波长可达13.5纳米,约是248波长的KrF显影设备的15分之1,尽管浸润式显
  • 关键字: 消费电子  EUV  电子束  消费电子  

凌华推出High Speed Link延伸模块

  •  凌华科技推出High Speed Link系统延伸模块HSL-HUB3与HSL-Repeater。此产品可以为HSL用户提供最长可达2400公尺的长距离使用及多点连接(multi-drop)接线架构,搭配高达十余种I/O及运动控制模块的组合,提供客户实时控制的完整解决方案。        凌华的High Speed Link(HSL)技术是串列式远程I/O实时控制的绝佳选择。HSL-HUB3/Repeater基于HSL技术,针对接线的
  • 关键字: High  Link  Speed  工业控制  凌华  汽车电子  通讯  网络  无线  延伸  模块  工业控制  

瑞昱推出High Definition 音讯转换芯片

  • 音讯内容保护 (Content Protection) 技术与透过传统电话的Skype应用功能加速音讯转换芯片在数字家庭的应用 瑞昱半导体在美国旧金山的Intel春季科技论坛推出最新一代的高精准音讯转换芯片 (High Definition Audio Codecs; HD Audio Codecs) ALC885与ALC888 Telecom。瑞昱ALC885内建内容保护与防拷&nbs
  • 关键字: High  Definition  音讯转换  瑞昱  通讯与网络  芯片  

尼康NA超过1的液浸设备半导体商正式采用

  •  尼康日前正式宣布,2006年1月已向大型半导体厂商供应用于55nm工艺(hp55)芯片制造、开口数(NA)为1.07的液浸ArF曝光设备“NSR-S609B”。这是全球首次供应NA超过1的液浸ArF曝光设备。    这家大型半导体厂商的名字,尼康没有公布,估计是过去在技术方面与之开展合作的东芝。    作为全折射型液浸曝光设备,NSR-S609B具有全球最大的NA,配合偏光照明技术,能够实现很高的分辨率。对于液浸产生的缺陷和重合不稳定性的问题,据称利用名为“Local-fill(局部
  • 关键字: NA  尼康  嵌入式系统  
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