5月7日消息，全球代工市场规模继2011年增长7%，达328亿美元之后，2012年再度增长16%，达到393亿美元，预计2013年还将有14%的增长。
台积电与英特尔以前是“河水不犯井水”，但是随着英特尔开始接受Altera的14nm FPGA订单，明显在与台积电抢单，两大半导体巨头开始出现较为明显的碰撞。目前，台积电已誓言将加速发展先进制程技术，希望在10nm附近全面赶上英特尔。
而另一家代工厂格罗方德近日也发出声音，要在两年内，在工艺制程方面赶上台积电。
关键字：
半导体代工 EUV
Intel CTO Justin Rattner近日对外披露说，Intel 14nm工艺的研发正在按计划顺利进行，会在一到两年内投入量产。
2013年底，Intel将完成P1272 14nm CPU、P1273 14nm SoC两项新工艺的开发，并为其投产扩大对俄勒冈州Fab D1X、亚利桑那州Fab 42、爱尔兰Fab 24等晶圆厂的投资，因此量产要等到2014年了。
而从2015年开始，Intel又会陆续进入10nm、7nm、5nm等更新工艺节点。
Rattner指出，Intel
关键字：
Intel 晶圆 EUV
一、设计及制作由于普通家庭室.内空间不够宽敞，要求音箱做得尽可能小巧一些，摆放在室内不致引人注意。然而，音箱的效率no与箱体容积VB和低频-3d8滚降点f3有以下关系：no=knmiddot;f33middot;VB上式中，kn是箱体系
关键字：
制作 音箱 监听 A4 High-end
一、设计及制作由于普通家庭室.内空间不够宽敞，要求音箱做得尽可能小巧一些，摆放在室内不致引人注意。然而，音箱的效率no与箱体容积VB和低频-3d8滚降点f3有以下关系：no=knmiddot;f33middot;VB上式中，kn是箱体系
关键字：
制作方法 音箱 监听 A4 High-end
而关于台积电是否足够支应大举投资ASML的支出?瑞信(Credit Suisse)则认为，台积电截至今年第2季为止手头有约50亿美元的现金，估计今年全年，从盈余中可望取得93亿美元左右的现金流，且台积电今年预估会再募集10亿美元左右的公司债，因此大体而言将足够支付包括今年82.5亿美元的资本支出，以及用于ASML的投资费用。
关键字：
台积电 EUV
电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
关键字：
安森美 ADS High-QIPD 高电阻率 硅铜
IIN/C1（V/S），1UA电流为10的负6次方/800*10的负12次方=1.25*10的6次方V/S，穿越-5.6~+5.6V的时间林约是9MS，频率为111HZ。实际上必须加上上升时间，所以振荡频率大约为100HZ。 因为C1的微调很困难，所以允许A2的正
关键字：
100 0.1 KHZ NA
一、设计及制作
关键字：
监听 音箱 A4 High-end 制作 如何
IMEC宣布，成功利用ASML的EUV(extreme ultraviolet)曝光装置NXE:3100进行曝光。该EUV曝光装置配备了日本牛尾电机的全资子公司德国XTREME technologies GmbH公司生产的LA-DPP(laser assisted discharge produced plasma)方式EUV光源。
关键字：
EUV 晶圆
美国麻省理工学院(MIT)的研究人员日前发表的一项研究成果显示，电子束“光刻”精度可以小到9纳米的范围，刷新了以前一项精度为25纳米的结果，这一进展有可能为电子束“光刻”和EUV(超紫外)光刻技术展开竞争提供了动力。尽管EUV光刻技术目前在商业化方面领先一步，有可能在22纳米以下的工艺生产中取代目前使用的浸末式光刻技术，但EUV光刻还面临一些棘手的问题，如强光源和光掩膜保护膜等，而采用电子束“光刻”则不会存在这些问题。
关键字：
光刻 EUV
GlobalFoundries公司的光刻技术专家Obert Wood在最近召开的高级半导体制造技术会议ASMC2011上表示，尽管业界在改善EUV光刻机用光源技术方面取得了一定成效，但光源问题仍是EUV光刻技术成熟过程中最“忐忑”的因素。
关键字：
GlobalFoundries EUV
英特尔公司正在计划将目前的193nm浸入式微影技术扩展到14nm逻辑节点，此一计划预计在2013下半年实现。同时，这家芯片业巨头也希望能在2015年下半年于10nm逻辑节点使用超紫外光(EUV)微影技术进行生产。
关键字：
英特尔 EUV
当半导体业准备进入14/15nm节点时，将面临众多的技术挑战
对于逻辑电路，STMicro的Thomas Skotnicki认为传统的CMOS制造工艺方法己不再适用。因为当器件的尺寸持续缩小时，由于己达极限许多缺陷显现。按IBM技术经理Mukesh Khare看法，如栅氧化层的厚度Tox再缩小有困难。另外，除非采用其它方法，因为随着互连铜线的尺寸缩小铜线的电阻增大及通孔的电阻增大也是另一个挑战。
关键字：
EUV 节点技术
目前次世代微影技术发展仍尚未有主流出现，而身为深紫外光 (EUV)阵营主要推手之一的比利时微电子研究中心(IMEC)总裁Luc Van den hove指出，EUV技术最快于2014年可望进入量产，而应用存储器制程又将早于逻辑制程，他也指出，无光罩多重电子束恐怕来不及进入量产。
关键字：
微影技术 EUV
Comprising a standard Force-Sense lab power supply, an additional power supply for the ICs, and a separate control voltage, this adjustable current source provides a 1-to-1 ratio of control voltage to
关键字：
high-current Derive simple source
high-na euv介绍
您好，目前还没有人创建词条high-na euv!
欢迎您创建该词条，阐述对high-na euv的理解，并与今后在此搜索high-na euv的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473