根据台积电北美技术研讨会的报告，代工台积电不需要使用高数值孔径极紫外光刻工具在其 A14 （1.4nm） 工艺上制造芯片。该公司在研讨会上介绍了 A14 工艺，称预计将于 2028 年投产。之前已经说过，A16 工艺将于 2026 年底出现，也不需要高 NA EUVL 工具。“从 2nm 到 A14，我们不必使用高 NA，但我们可以在加工步骤方面继续保持类似的复杂性，”据报道，业务发展高级副总裁 Kevin Zhang 在发布会上说。这与英特尔形成鲜明对比，英特尔在积极采用高 NA 方面一直积极实施一项计
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台积电 高NA EUV 光刻技术
6月16日消息，ASML去年底向Intel交付了全球第一台High NA EUV极紫外光刻机，同时正在研究更强大的Hyper NA EUV光刻机，预计可将半导体工艺推进到0.2nm左右，也就是2埃米。ASML第一代Low NA EUV光刻机孔径数值只有0.33，对应产品命名NXE系列，包括已有的3400B/C、3600D、3800E，以及未来的4000F、4200G、4X00。该系列预计到2025年可以量产2nm，再往后就得加入多重曝光，预计到2027年能实现1.4nm的量产。High NA光刻机升级到了
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ASML 光刻机 高NA EUV 0.2nm
6月6日消息，据外媒报道称，ASML将在今年向台积电交付旗下最先进的光刻机，单台造价达3.8亿美元。报道中提到，ASML首席财务官Roger Dassen在最近的一次电话会议上告诉分析师，公司两大客户台积电和英特尔将在今年年底前获得所谓的高数值孔径（高NA）极紫外（EUV）光刻系统。英特尔此前已经订购了最新的高NA EUV设备，第一台设备已于12月底运往俄勒冈州的一家工厂。目前尚不清楚ASML最大的EUV客户台积电何时会收到设备。据悉，这些机器每台造价3.5亿欧元（3.8亿美元），重量相当于两架空中客车A
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ASML 光刻机 高NA EUV
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