从5月29日美国政府颁布对华EDA禁令到7月2日宣布解除，33天时间里中美之间的博弈从未停止，但对于EDA公司来说，左右不了的是政治禁令，真正赢得客户的还是要靠自身产品的实力。作为芯片设计最前沿的工具，EDA厂商需要深刻理解并精准把握未来芯片设计的关键。 人工智能正在渗透到整个半导体生态系统中，迫使 AI 芯片、用于创建它们的设计工具以及用于确保它们可靠工作的方法发生根本性的变化。这是一场全球性的竞赛，将在未来十年内重新定义几乎每个领域。在过去几个月美国四家EDA公司的高管聚焦了三大趋势，这些趋
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EDA 3D IC 数字孪生
● 全新 Innovator3D IC 套件凭借算力、性能、合规性及数据完整性分析能力，帮助加速设计流程● Calibre 3DStress 可在设计流程的各个阶段对芯片封装交互作用进行早期分析与仿真西门子数字化工业软件日前宣布为其电子设计自动化 (EDA) 产品组合新增两大解决方案，助力半导体设计团队攻克 2.5D/3D 集成电路 (IC) 设计与制造的复杂挑战。西门
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西门子EDA 3D IC
来自日本东京科学研究所 （Science Tokyo） 的一组研究人员构思了一种名为 BBCube 的创新 2.5D/3D 芯片集成方法。传统的系统级封装 （SiP） 方法，即使用焊料凸块将半导体芯片排列在二维平面 （2D） 中，具有与尺寸相关的限制，因此需要开发新型芯片集成技术。对于高性能计算，研究人员通过采用 3D 堆栈计算架构开发了一种新颖的电源技术，该架构由直接放置在动态随机存取存储器堆栈上方的处理单元组成，标志着 3D 芯片封装的重大进步。为了实现 BBCube，研究人员开发了涉及精确和高速粘合
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2.5D/3D 芯片技术 半导体封装
存储设备研发公司Neo Semiconductor Inc.（加利福尼亚州圣何塞）推出了其3D-X-DRAM技术的铟-镓-锌-氧化物（IGZO）变体。3D-X-DRAM 于 2023 年首次发布。Neo 表示，它已经开发了一个晶体管、一个电容器 （1T1C） 和三个晶体管、零电容器 （3T0C） X-DRAM 单元，这些单元是可堆叠的。该公司表示，TCAD 仿真预测该技术能够实现 10ns 的读/写速度和超过 450 秒的保持时间，芯片容量高达 512Gbit。这些设计的测试芯片预计将于 2026 年推出
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Neo Semiconductor IGZO 3D DRAM
中国的研究人员开发了一种开创性的方法，可以为射频传感器构建分辨率低于 10 微米的高纵横比 3D 微结构。该技术以 1：4 的宽高比实现了深沟槽，同时还实现了对共振特性的精确控制并显着提高了性能。这种混合技术不仅提高了 RF 超结构的品质因数 （Q 因子） 和频率可调性，而且还将器件占用空间减少了多达 45%。这为传感、MEMS 和 RF 超材料领域的下一代应用铺平了道路。电子束光刻和纳米压印等传统光刻技术难以满足对超精细、高纵横比结构的需求。厚度控制不佳、侧壁不均匀和材料限制限制了性能和可扩展性。该技术
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3D 射频传感器
英特尔 Arrow Lake 架构的模具照片已经发布，展示了英特尔注入小芯片（tile）的设计的所有荣耀。X 上的 Andreas Schiling 分享了几张 Arrow Lake 的近距离图片，揭示了 Arrow Lake 各个图块的布局和计算图块内内核的布局。第一张照片展示了英特尔台式机酷睿 Ultra 200S 系列 CPU 的完整芯片，计算图块位于左上角，IO 图块位于底部，SoC 图块和 GPU 图块位于右侧。左下角和右上角是两个填充模具，旨在提供结构刚度。计算芯片在 TS
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Arrow Lake Die Shot Intel chiplet
Sandisk Corp. 正在寻求 3D-NAND 闪存的创新，该公司声称该创新可以取代基于 DRAM 的 HBM（高带宽内存）用于 AI 推理应用。当 Sandisk 于 2025 年 2 月从数据存储公司 Western Digital 分拆出来时，该公司表示，它打算在提供闪存产品的同时追求新兴颠覆性内存技术的开发。在 2 月 11 日举行的 Sandisk 投资者日上，即分拆前不久，即将上任的内存技术高级副总裁 Alper Ilkbahar 介绍了高带宽闪存以及他称之为 3D 矩阵内存的东西。在同
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Sandisk 3D-NAND
英特尔最新展示的第二代软件定义汽车片上系统 （SoC） 器件预示着英特尔在使用小芯片方面迈出了关键一步。据分析，这其中部分技术参考借鉴了英特尔收购 Silicon Mobility后在汽车小芯片方面的技术。一年前英特尔承诺为 SDV 提供业界首个基于 UCIe 的开放式小芯片平台。英特尔将与 imec 合作，确保汽车封装技术，并致力于成为第一家支持将第三方小芯片集成到其汽车产品中的汽车供应商。该 SoC 在上海 2025 车展上推出，结合了基于不同工艺技术构建的小芯片，为用户界面提供大型语言模型 AI 支
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英特尔 小芯片 Chiplet
即插即用的Chiplet是人们追求的目标，但UCIe 2.0是否让我们离这一目标的实现更近了呢？问题在于，当前推动该标准的因素并非是即插即用所要求的那种互操作性。UCIe 2.0于2024年8月发布，它宣称具有更高的带宽密度和提升的电源效率，同时还具备支持3D封装、易于管理的系统架构等新特性。推动这一标准的是行业内的关键领导者，包括日月光、阿里巴巴、AMD、Arm、谷歌云、英特尔、Meta、微软、英伟达、高通、三星电子和台积电等公司。然而，前沿领域所需的标准可能与市场其他部分的需求不同。YorChip公司
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Chiplet UCIe2.0 封装 芯片设计
尽管数字技术不断进步到商业、工业和休闲活动的各个领域，但模拟集成电路 （IC） 在全球半导体市场上仍占有一席之地。今年，收入预计将达到 850 亿美元，相当于 10% 的年复合增长率。推动这一需求的是人工智能、物联网技术和自动驾驶汽车的进步，所有这些都依赖于模拟 IC 来实现传感和电源管理等功能。与仅处理二进制信号的数字 IC 不同，模拟 IC 可以处理温度和声音等连续信号，因此它们对于与物理环境连接至关重要。着眼于这一不断扩大的市场，两家总部位于东京的公司 Oki Elec
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薄膜 3D模拟IC 堆叠式IC Chiplet
3D DRAM 将成为未来内存市场的重要竞争者。
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3D DRAM
他表示，开源在新一代信息技术重点应用中持续深化，已从软件领域拓展至RISC-V为代表的硬件领域。开源RISC-V架构为全球芯片产业发展提供了新的机遇。中国是开源大国，目前已经成为开源RISC-V的重要力量，带动全球开源事业的发展。倪光南表示，发展RISC-V生态是顺时代之势、应国家之需、答产业之盼，对新时代中国开源体系建设，对推动全球集成电路全产业创新发展都能作出重要贡献。我国把集成电路产业链分为四个环节，即“芯片设计”“芯片制造”“封装测试”和“下游应用”。为此，发展集成电路产业也应该从全产业链的角度考
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risc-v 倪光南 Chiplet
据中国科学院微电子研究所官微消息，针对高密度集成带来的功耗显著增加、散热困难等技术挑战，微电子所EDA中心多物理场仿真课题组构建了芯粒集成三维网格型瞬态热流仿真模型，能够实现Chiplet集成芯片瞬态热流的高效精确仿真，为芯粒异构集成温度热点检测和温感布局优化奠定了核心技术基础。同时，课题组在集成芯片电热力多物理场仿真方面进行布局，开展了直流压降、热应力和晶圆翘曲仿真等研究工作。图1 各向异性热仿真图2 电热耦合仿真近期，课题组在Chiplet热仿真工具方面取得新进展。通过对重布线
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中科院 chiplet EDA 物理仿真
日前，紫光国微在投资者互动平台透露，公司在无锡建设的高可靠性芯片封装测试项目已于2024年6月产线通线，现正在推动量产产品的上量和更多新产品的导入工作，2.5D/3D等先进封装将会根据产线运行情况择机启动。据了解，无锡紫光集电高可靠性芯片封装测试项目是紫光集团在芯片制造领域的重点布局项目，也是紫光国微在高可靠芯片领域的重要产业链延伸。拟建设小批量、多品种智能信息高质量可靠性标准塑料封装和陶瓷封装生产线，对保障高可靠芯片的产业链稳定和安全具有重要作用。
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紫光国微 2D/3D 芯片封装
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