据韩媒报道，称三星电子在生产 3D NAND 闪存方面取得重大突破，在其中光刻工艺中大幅缩减光刻胶（PR）用量，降幅达到此前用量的一半。报道称，此前每层涂层需要7-8cc的光刻胶，而三星通过精确控制涂布机的转速（rpm）以及优化PR涂层后的蚀刻工艺，现在只需4-4.5cc。此外，三星使用了更厚的氟化氪（KrF）光刻胶，通常情况下一次工艺形成1层涂层，而使用更厚的光刻胶，三星可以一次形成多个层，从而提高工艺效率，但同时也有均匀性问题。东进半导体一直是三星KrF光刻胶的独家供应商，为三星第7代（11微米）和第
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三星 光刻胶 3D NAND
全球 Chiplet 市场正在经历显著增长，预计到 2035 年将达到 4110 亿美元。
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Chiplet
随着越来越多的 SoC 在前沿技术上分解，行业学习范围不断扩大，为更多第三方芯片打开了大门。
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Chiplet
随着前沿技术中越来越多的 SoC 被拆解，产业学习不断深入，这为更多第三方 Chiplet 打开了大门。
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Chiplet
台积电OIP（开放创新平台）于美西当地时间25日展开，除表扬包括力旺、M31在内之业者外，更计划推出3Dblox新标准，进一步加速3D IC生态系统创新，并提高EDA工具的通用性。 台积电设计构建管理处负责人Dan Kochpatcharin表示，将与OIP合作伙伴一同突破3D IC架构中的物理挑战，帮助共同客户利用最新的TSMC 3DFabric技术实现优化的设计。台积电OIP生态系统论坛今年由北美站起跑，与设计合作伙伴及客户共同探讨如何通过更深层次的合作，推动AI芯片设计的创新。 Dan Kochpa
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台积电 OIP 3D IC设计
随着人工智能、云计算等技术的快速发展，全球存储市场竞争日益激烈，存储芯片市场正迎来前所未有的变革。据悉，三星电子、SK海力士等存储巨头纷纷加大在新技术领域的投入，以应对市场的快速变化和竞争压力，抢占市场份额和商业机会。在这些新技术中，CXL和定制芯片、chiplet技术尤为引人关注，成为了各大存储大厂竞相角逐的新战场。综合韩媒报道，SK海力士副总裁文起一在学术会议上称，Chiplet芯粒/小芯片技术将在2~3年后应用于DRAM和NAND产品。值得注意的是，SK海力士正在内部开发Chiplet技术，不仅加入
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存储 Chiplet
● 借助由仿真驱动的虚拟合规性测试解决方案，采用更智能、更精简的工作流程，提高 PCIe 设计的工作效率● 具有设计探索和报告生成能力，可加快小芯片的信号完整性分析以及 UCIe 合规性验证，从而帮助设计师提高工作效率，缩短新产品上市时间System Designer for PCIe 是一种智能的设计环境，用于对最新PCIe Gen5 和 Gen6 系统进行建模和仿真是德科技（
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是德科技 System Designer Chiplet PHY Designer 仿真
当地时间周二，美国商务部发表官方声明，宣布将拨款高达16亿美元用于加速国内半导体先进封装的研发。此举是美国政府2023年公布的国家先进封装制造计划NAPMP的一部分。声明中称，该笔资金来源于2022年《芯片与科学法案》520亿美元授权资金的一部分，重点支持企业在芯片封装新技术领域进行创新。美国政府计划通过奖励金的形式向先进封装领域的创新项目提供每份不超过1.5亿美元的激励。且项目需与以下五个研发领域中的一个或多个相关：1、设备、工具、工艺、流程集成；2、电力输送和热管理；3、连接器技术，包括光子学和射频；
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先进封装 chiplet EDA
7月10日消息，近日，壁仞科技副总裁兼AI软件首席架构师丁云帆在谈及计算瓶颈时表示，解决算力瓶颈问题需要从三个维度考虑：硬件集群算力、软件有效算力、异构聚合算力。他认为，做好这三个维度的工作，即使国产AI芯片单个算力不强，也能通过综合手段提升算力，满足国内大模型训练的需求。“我们2020年设计的第一代产品里就做了chiplet架构，国外巨头在今年发布的产品如英伟达B100和英特尔Gaudi 3也采用了同样的思路，他们用最先进的制程，但也需要chiplet来突破摩尔定律限制来提升单卡算力。”丁云帆说道。据他
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壁仞科技 AI芯片 chiplet
近日，据媒体报道，日本存储芯片厂商铠侠公布了3D NAND闪存发展蓝图，目标2027年实现1000层堆叠。铠侠表示，自2014年以来，3D NAND闪存的层数经历了显著的增长，从初期的24层迅速攀升至2022年的238层，短短8年间实现了惊人的10倍增长。铠侠正是基于这种每年平均1.33倍的增长速度，预测到2027年达到1000层堆叠的目标是完全可行的。而这一规划较此前公布的时间早了近3年，据日本媒体今年4月报道，铠侠CTO宫岛英史在71届日本应用物理学会春季学术演讲会上表示，公司计划于2030至2031
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铠侠 3D NAND堆叠
6月25日消息，据媒体报道，SK海力士在近期于美国夏威夷举行的VLSI 2024峰会上，重磅发布了关于3D DRAM技术的最新研究成果，展示了其在该领域的深厚实力与持续创新。据最新消息，SK海力士在3D DRAM技术的研发上取得了显著进展，并首次详细公布了其开发的具体成果和特性。公司正全力加速这一前沿技术的开发，并已取得重大突破。SK海力士透露，目前其5层堆叠的3D DRAM良品率已高达56.1%，这一数据意味着在单个测试晶圆上，能够成功制造出约1000个3D DRAM单元，其中超过一半（即561个）为良
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SK海力士 3D DRAM
● Calibre 3DThermal 可为 3D IC 提供完整的芯片和封装内部热分析，帮助应对从芯片设计和 3D 组装的早期探索到项目 Signoff 过程中的设计与验证挑战● 新软件集成了西门子先进的设计工具，能够在整个设计流程中捕捉和分析热数据西门子数字化工业软件近日宣布推出 Calibre® 3DThermal 软件，可针对 3D
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西门子 Calibre 3DThermal 3D IC
IT之家 5 月 21 日消息，综合韩媒 ZDNet Korea 和 The Elec 报道，三星电子执行副总裁 Lee Siwoo 在本月举行的 IEEE IMW 2024 研讨会上表示该企业计划在明年推出 4F2 VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 领域商业化研究集中在两种结构上：一种是 4F2 VCT（IT之家注：Vertical Channel Transistor，垂直通道晶体管） DRAM；另一种是 VS-CAT（Vertical Stacke
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3D 内存 存储 三星
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