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3d nand 文章 进入3d nand技术社区

Neo Semiconductor将IGZO添加到3D DRAM设计中

  • 存储设备研发公司Neo Semiconductor Inc.(加利福尼亚州圣何塞)推出了其3D-X-DRAM技术的铟-镓-锌-氧化物(IGZO)变体。3D-X-DRAM 于 2023 年首次发布。Neo 表示,它已经开发了一个晶体管、一个电容器 (1T1C) 和三个晶体管、零电容器 (3T0C) X-DRAM 单元,这些单元是可堆叠的。该公司表示,TCAD 仿真预测该技术能够实现 10ns 的读/写速度和超过 450 秒的保持时间,芯片容量高达 512Gbit。这些设计的测试芯片预计将于 2026 年推出
  • 关键字: Neo Semiconductor  IGZO  3D DRAM  

3D打印高性能射频传感器

  • 中国的研究人员开发了一种开创性的方法,可以为射频传感器构建分辨率低于 10 微米的高纵横比 3D 微结构。该技术以 1:4 的宽高比实现了深沟槽,同时还实现了对共振特性的精确控制并显着提高了性能。这种混合技术不仅提高了 RF 超结构的品质因数 (Q 因子) 和频率可调性,而且还将器件占用空间减少了多达 45%。这为传感、MEMS 和 RF 超材料领域的下一代应用铺平了道路。电子束光刻和纳米压印等传统光刻技术难以满足对超精细、高纵横比结构的需求。厚度控制不佳、侧壁不均匀和材料限制限制了性能和可扩展性。该技术
  • 关键字: 3D  射频传感器  

闪存,是如何工作的?

  • NAND闪存将单元串联排列以实现高密度存储,优先考虑写入/擦除速度而不是直接寻址。
  • 关键字: 闪存  NAND  

闪迪提议HBF取代HBM,在边缘实现 AI

  • Sandisk Corp. 正在寻求 3D-NAND 闪存的创新,该公司声称该创新可以取代基于 DRAM 的 HBM(高带宽内存)用于 AI 推理应用。当 Sandisk 于 2025 年 2 月从数据存储公司 Western Digital 分拆出来时,该公司表示,它打算在提供闪存产品的同时追求新兴颠覆性内存技术的开发。在 2 月 11 日举行的 Sandisk 投资者日上,即分拆前不久,即将上任的内存技术高级副总裁 Alper Ilkbahar 介绍了高带宽闪存以及他称之为 3D 矩阵内存的东西。在同
  • 关键字: Sandisk  3D-NAND  

兆易创新推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash

  • 业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice近日宣布推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash,该系列以其突破性的读取速度和创新的坏块管理(BBM)功能,可有效解决传统SPI NAND Flash响应速度慢、易受坏块干扰的行业痛点。作为一种巧妙融合了NOR Flash高速读取优势与NAND Flash大容量、低成本优势的新型解决方案,GD5F1GM9系列的面世将为SPI NAND Flash带来新的发展机遇,成为安防、工业、IoT等快速启动应用场景的理想之选。GD5F1GM9系列
  • 关键字: 兆易创新  QSPI  NAND  

兆易创新推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash, 突破性读取速度,助力应用快速启动

  • 近日,兆易创新宣布推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash,该系列以其突破性的读取速度和创新的坏块管理(BBM)功能,可有效解决传统SPI NAND Flash响应速度慢、易受坏块干扰的行业痛点。作为一种巧妙融合了NOR Flash高速读取优势与NAND Flash大容量、低成本优势的新型解决方案,GD5F1GM9系列的面世将为SPI NAND Flash带来新的发展机遇,成为安防、工业、IoT等快速启动应用场景的理想之选。GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash采用24n
  • 关键字: 兆易创新  Flash  NAND  

美光、SK海力士跟随中!三星对内存、闪存产品提价3-5%:客户已开始谈判新合同

  • 4月7日消息,据国外媒体报道称,三星公司领导层将对主要全球客户提高内存芯片价格——从当前水平提高3-5%。在三星看来,“需求大幅增长”导致DRAM、NAND闪存和HBM产品组合的价格上涨,预计2025年和2026年价格都会上涨。一位不愿透露姓名的半导体业内人士表示:去年全年供应过剩,但随着主要公司开始减产,供应量最近有所下降,目前三星涨价后部分新合同的谈判已然启动。此外,人工智能 (AI) 设备在中国接连出现,由于工业自动化,对半导体的需求正在逐渐增加。市场研究机构DRAMeXchange给出的统计显示,
  • 关键字: 内存  DRAM  NAND  HBM  三星  美光  SK海力士  

SK海力士完成对英特尔NAND业务的收购

  • 据韩媒报道,根据SK海力士向韩国金融监管机构FSS披露的文件,该企业已完成了收购英特尔NAND闪存及SSD业务案的第二阶段,交易正式完成。据了解,第一阶段完成于2021年12月30日,SK海力士当时支付了78422亿韩元,从英特尔接管SSD业务及其位于中国大连NAND闪存制造厂的资产。而在第二阶段中,SK海力士以32783亿韩元(约合人民币163亿元)的对价取得了包括NAND闪存晶圆的生产及设计相关的知识产权、研发人员以及大连工厂的员工在内的其余相关有形/无形资产。
  • 关键字: SK海力士  英特尔  NAND  

AI推理应用爆发推升QLC NAND Flash市场需求

  • AI推论快速成长,QLC NAND Flash成为企业级储存解决方案的新宠。 相较于传统的TLC NAND,QLC具备更高存储密度与更低成本,适合以读取为主的AI推论工作负载。 法人分析,台厂如群联、威刚、宇瞻等存储器模组厂,有望从中受惠。根据调研机构预测,2025年QLC NAND产能将达250.48亿Gb,占NAND总产能的22.2%,渗透率逐步提升。AI推论服务器主要负责分析以及处理大量数据,而这类应用访问模式以读取为主,写入频率相对较低,正好契合QLC SSD的特性。QLC NAND有更高存储密度
  • 关键字: AI推理  QLC  NAND Flash  

存储市场复苏,关键看AI

  • 存储市场新一轮的逆风,始于 2024 年下半年。迈入 2025 年 3 月,市场已显露出一些微妙变化。NAND 厂商,集体涨价近日,全球知名存储芯片厂商闪迪向客户发出涨价函,宣布自 4 月 1 日起,旗下产品将全面涨价,整体涨幅超 10%,此次调价覆盖所有渠道及消费类产品。闪迪还透露,将持续审查定价,后续季度或有额外涨幅。继闪迪后,美光、三星、SK 海力士等 NAND 厂商也计划将于 4 月涨价。从供应方面,美光今年新加坡 NAND 厂发生停电,也影响了供货。NAND Flash 控制芯片厂商群联也透露,
  • 关键字: NAND  

美光断电减产 NAND原厂4月提前调涨

  • NAND Flash价格由谷底翻涨正蓄势待发,继SanDisk日前发函通知4月1日将调涨报价,近期市场传出,美光(Micron)、三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)以及中国的存储厂均将从4月起提高报价。由于二大韩厂减产措施发酵,美光日前新加坡NAND厂发生跳电,导致NAND供货转趋吃紧,长江存储旗下SSD品牌也将于4月起调涨代理价格,涨幅可望将超过10%,全球各大原厂不约而同推动涨价,NAND价格回涨速度优于原先预期。存储器业界观察,近期整体终端市场的需求并
  • 关键字: 美光  NAND  

SK海力士完成与英特尔的最终交割

  • SK海力士将于2025年3月(协议预设的最早时间点)支付收购尾款,完成与英特尔NAND闪存业务的最终交割。随着交易的完成,将加强SK海力士在全球NAND闪存市场的地位,尤其是企业级固态硬盘(SSD)方面。随着AI技术的普及和应用,存储需求正在不断增长,HBM领域的领导者SK海力士却没有停止扩张的步伐,这次收购将使SK海力士与竞争对手三星展开直接竞争。· 2020年10月,SK海力士与英特尔达成协议,宣布以90亿美元收购其NAND闪存及存储业务;· 2021年12月,第一阶段的交易完成,SK海力士支付70亿
  • 关键字: SK海力士  英特尔  NAND  闪存  

新型高密度、高带宽3D DRAM问世

  • 3D DRAM 将成为未来内存市场的重要竞争者。
  • 关键字: 3D DRAM  

十年磨一剑:三星引入长江存储专利技术

  • 近日,三星与长江存储(YMTC)签署了3D NAND混合键合(Hybrid Bonding)相关专利许可协议。不过,目前尚不清楚三星是否也获得了Xperi等其他公司的专利许可。三星从第10代V-NAND(V10)将开始采用NAND阵列和外围CMOS逻辑电路分别在两块独立的硅片上制造,因此需要长江存储的专利技术W2W(Wafer-to-Wafer)混合键合技术实现 —— 通过直接将两片晶圆贴合,省去了传统的凸点连接,形成间距为10μm及以下的互连。从而使得电路路径变得更短,显著提高了传输
  • 关键字: 三星  长江存储  NAND  混合键合  晶栈  Xtacking  闪存  

NAND Flash市况 有望6月复苏

  • NAND Flash控制芯片厂慧荣科技总经理苟嘉章预期,NAND Flash市况将于6月好转,下半年表现将优于上半年,甚至不排除供应吃紧的可能性。苟嘉章指出,2025年第一季NAND Flash虽小幅下跌,但供应商已开始坚守价格,避免市场陷入低迷行情。他强调,供应商根据市场状况自然调节供给,是NAND Flash供需好转的主因之一,2025年NAND Flash位元供给,估计将增加上看20%。美国商务部对出口至中国大陆的存储器制造设备实施管制,也将延缓中国大陆厂商在DRAM领域的扩张步伐。尽管中国大陆部分
  • 关键字: TrendForce  集邦咨询  NAND Flash  
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