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3d nand 文章 进入3d nand技术社区

先进封装推动 NAND 和 DRAM 技术进步

  • 先进封装在内存业务中变得越来越重要。
  • 关键字： 封装  NAND  DRAM   

预估第二季NAND Flash均价续跌5~10%，能否止跌端看下半年需求

  • 即便原厂持续进行减产，然需求端如服务器、智能手机、笔电等需求仍未见起色，NAND Flash市场仍处在供给过剩状态，故TrendForce集邦咨询预估，第二季NAND Flash均价仍将持续下跌，环比下跌幅度收敛至5~10%。而后续恢复供需平衡的关键在于原厂是否有更大规模的减产，TrendForce集邦咨询认为若目前需求端未再持续下修，NAND Flash均价有机会在第四季止跌反弹，反之，若旺季需求端持续疲弱，均价反弹时间恐再延后。Client SSD方面，目前PC OEM零部件库存去化已见成
  • 关键字： 集邦  NAND Flash  

2023年内存芯片趋势

  • 2023 年，存储芯片的跌势仍在延续，何时止跌还是未知数。
  • 关键字： 存储芯片  DRAM  NAND  

NAND Flash 大降价，固态硬盘取代机械硬盘指日可待

  • 相信有很多小伙伴已经注意到了，目前市场上很多固态硬盘的价格相比去年又降低了不少。这是由于制造固态硬盘所需的 NAND 芯片降价导致的。根据集邦咨询的数据显示，NAND Flash 市场自 2022 年下半年以来面临需求逆风，供应链积极去化库存加以应对，此情况导致第四季 NAND Flash 合约价格下跌 20-25%，其中 Enterprise SSD（企业级固态硬盘）是下跌最剧烈的产品，跌幅约 23-28%。这对于 NAND 芯片厂商来说并不是什么好消息，但对于普通消费者来说，我们确实能买到更便宜的固态
  • 关键字： NAND Flash  

内存双雄：市况否极泰来

  • 华邦消费性电子应用需求回温本季是谷底；南亚科上半年跌幅收敛。
  • 关键字： DRAM  NAND  

(2023.3.20)半导体周要闻－莫大康

  • 半导体周要闻2023.3.13-2023.3.171. 任正非：华为三年完成了13000型号器件的替代开发近日，华为公司在深圳坂田总部举办“难题揭榜”火花奖颁奖典礼，为在解题揭榜中做出突出贡献的获奖人员代表颁奖，华为总裁任正非发表了讲话，部分参与座谈的大学发布了座谈纪要。任正非表示，在美国制裁华为这三年期间，华为完成 13000 + 型号器件的替代开发、4000 + 电路板的反复换板开发等，直到现在电路板才稳定下来，因为有了国产的零部件供应。任正非表示，华为现在还属于困难时期，但在前进的道路上并没有停步。
  • 关键字： 莫大康  半导体  华为  光刻机  NAND  

存储器厂商Q1亏损恐难逃

  • 由于DRAM及NAND Flash第一季价格续跌，加上库存水位过高，终端消费支出持续放缓，据外电消息，韩国三星电子及SK海力士本季度的芯片业务恐因提列库存损失而面临数十亿美元亏损。法人指出，南亚科（2408）及华邦电（2344）因减产及跌价导致营收及毛利率持续下滑，第一季本业亏损恐将在所难免。据外电报导，三星电子3月19日提交给韩国金融监督院的申报文件中指出，截至去年第四季，整体库存资产达到52.2兆韩元（约折合399亿美元），远高于2021年的41.4兆韩元并创下历史新高。其中，占三星营收比重最高的半导
  • 关键字： 存储器  DRAM  NAND Flash  

存储大厂展示300层NAND Flash，预计最快2024年问世

  • 近日，在第70届IEEE国际固态电路会议（ISSCC）上，韩国存储器大厂SK海力士展示了最新300层堆叠第八代3D NAND Flash快闪存储器原型。SK海力士表示，新3D NAND Flash快闪存储器预定两年内上市，有望打破纪录。外媒报导，SK海力士揭示有更快资料传输量和更高储存等级的第八代3D NAND Flash开发，提供1TB（128GB）容量，20Gb/mm2单位容量、16KB单页容量、四个平面和2,400MT/s的介面。最大资料传输量达194MB/s，较上一代238层堆叠和164MB/
  • 关键字： 300层  NAND Flash  SK海力士  

平面→立体，3D DRAM重定存储器游戏规则？

  • 近日，外媒《BusinessKorea》报道称，三星的主要半导体负责人最近在半导体会议上表示正在加速3D DRAM商业化，并认为3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一种方法，据称这将改变存储器行业的游戏规则。3D DRAM是什么？它将如何颠覆DRAM原有结构？壹摩尔定律放缓，DRAM工艺将重构1966年的秋天，跨国公司IBM研究中心的Robert H. Dennard发明了动态随机存取存储器（DRAM），而在不久的将来，这份伟大的成就为半导体行业缔造了一个影响巨大且市场规模超千亿美元的产业帝国。DRA
  • 关键字： 3D DRAM  存储器  

(2023.3.20)半导体周要闻-莫大康

  • 半导体一周要闻2023.3.13-2023.3.171. 任正非：华为三年完成了13000型号器件的替代开发近日，华为公司在深圳坂田总部举办“难题揭榜”火花奖颁奖典礼，为在解题揭榜中做出突出贡献的获奖人员代表颁奖，华为总裁任正非发表了讲话，部分参与座谈的大学发布了座谈纪要。任正非表示，在美国制裁华为这三年期间，华为完成 13000 + 型号器件的替代开发、4000 + 电路板的反复换板开发等，直到现在电路板才稳定下来，因为有了国产的零部件供应。任正非表示，华为现在还属于困难时期，但在前进的道路上并没有停步
  • 关键字： 半导体  莫大康  华为  NAND  光刻机  

均价跌幅扩大，2022年第四季NAND Flash总营收环比下跌25%

  • TrendForce集邦咨询最新调查显示，NAND Flash市场自2022年下半年以来面临需求逆风，供应链积极去化库存加以应对，此情况导致第四季NAND Flash合约价格下跌20~25%，其中Enterprise SSD是下跌最剧烈的产品，跌幅约23~28%。在原厂积极降价求量的同时，客户为避免零部件库存再攀高，备货态度消极，使得第四季NAND Flash位元出货量环比增长仅5.3%，平均销售单价环比减少22.8%，2022年第四季NAND Flash产业营收环比下跌25.0%，达
  • 关键字： 集邦  NAND Flash  

外媒：存储大厂正在加速3D DRAM商业化

  • 据外媒《BusinessKorea》报道，三星电子的主要半导体负责人最近在半导体会议上表示正在加速3D DRAM商业化，并认为3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一种方法。三星电子半导体研究所副社长兼工艺开发室负责人Lee Jong-myung于3月10日在韩国首尔江南区三成洞韩国贸易中心举行的“IEEE EDTM 2023”上表示，3D DRAM被认为是半导体产业的未来增长动力。考虑到目前DRAM线宽微缩至1nm将面临的情况，业界认为3~4年后新型DRAM商品化将成为一种必然，而不是一种方向。与现有
  • 关键字： 存储  3D DRAM  

芯和半导体荣获3D InCites “Herb Reiter 年度最佳设计工具供应商奖”

  • 国内EDA行业领导者芯和半导体，由于其Metis平台在2.5D/3DIC Chiplet先进封装设计分析方面的杰出表现，近日在半导体行业国际在线平台3D InCites的评选中，获封2023“Herb Reiter 年度最佳设计工具供应商奖”称号。  “Xpeedic芯和半导体去年宣布Chipletz采用了Metis平台用于智能基板产品的设计，这一事件引起了我们极大的关注。“3D InCites创始人Françoise von Trapp表示，” 我们非常兴奋芯和半导体今年首次参加3D InCi
  • 关键字： 芯和半导体荣  3D InCites  Herb Reiter  年度最佳设计工具供应商奖  

芯和半导体荣获3D InCites “Herb Reiter年度最佳设计工具供应商奖”

  • 国内EDA行业领导者芯和半导体，由于其Metis平台在2.5D/3DIC Chiplet先进封装设计分析方面的杰出表现，近日在半导体行业国际在线平台3D InCites的评选中，获封2023“Herb Reiter 年度最佳设计工具供应商奖”称号。 “Xpeedic芯和半导体去年宣布Chipletz采用了Metis平台用于智能基板产品的设计，这一事件引起了我们极大的关注。“3D InCites创始人Françoise von Trapp表示，” 我们非常兴奋芯和半导体今年首次参加3D
  • 关键字： 芯和半导体  3D InCites  Herb Reiter年度最佳设计工具供应商奖  

支持下一代 SoC 和存储器的工艺创新

  • 本文将解析使 3D NAND、高级 DRAM 和 5nm SoC 成为可能的架构、工具和材料。要提高高级 SoC 和封装（用于移动应用程序、数据中心和人工智能）的性能，就需要对架构、材料和核心制造流程进行复杂且代价高昂的更改。正在考虑的选项包括新的计算架构、不同的材料，包括更薄的势垒层和热预算更高的材料，以及更高纵横比的蚀刻和更快的外延层生长。挑战在于如何以不偏离功率、性能和面积/成本 (PPAC) 曲线太远的方式组合这些。当今的顶级智能手机使用集成多种低功耗、高性能功能的移动 SoC 平台，包括一个或多
  • 关键字： 3D NAND  DRAM  5nm  SoC  
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