- - 长期批量供应协议即刻生效- 为下一代 3D 传感应用开发 VCSEL 技术- 进一步加强 IQE 作为 3D 传感市场领导者的地位 IQE plc（AIM 股票代码：IQE，以下简称“IQE”或“集团”），全球领先的化合物半导体晶圆产品和先进材
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IQE VCSEL 3D 传感
- 西门子数字化工业软件近日推出Tessent Multi-die软件解决方案，旨在帮助客户加快和简化基于2.5D和3D架构的新一代集成电路（IC）关键可测试性设计（DFT）。随着市场对于更小巧、更节能和更高效能的IC需求日益提升，IC设计界也面临着严苛挑战。下一代组件正倾向于采用复杂的2.5D和3D架构，以垂直（3D IC）或并排（2.5D）方式连接多个晶粒，使其能够作为单一组件运作。但是，这种做法为芯片测试带来巨大的挑战，因为大部分传统的测试方法都是基于常规的2D流程。为了解决这些挑战，西门子推出Tess
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西门子 2.5D 3D 可测试性设计
- 10月17日，2022年世界技能大赛特别赛韩国赛区闭幕式举行，中国6名选手获得3枚金牌、1枚铜牌和2个优胜奖，实现多个项目上金牌和奖牌零的突破。 本次特别赛韩国赛区比赛于10月12日开幕，共举行8个项目的比赛，吸引了来自34个国家和地区的130余名选手参赛。中国选手参加其中6个项目的角逐。 其中，来自广州市工贸技师学院的选手杨书明获得移动应用开发项目金牌，成为本次大赛该新增项目首个金牌获得者。 来自深圳技师学院的选手罗凯、陈新源分别获得3D数字游戏艺术项目、云计算项目金牌，实现我国在这两个项目上
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世界技能大赛 3D 云计算
- SK海力士于10月12日通过声明表示，公司完成与美国商务部进行协商，确保在接下来一年内不获取个别许可的前提下为中国工厂供应所需的半导体生产设备。借此，SK海力士预期将能够在接下来一年内不获取美方个别许可的前提下为中国工厂保障生产设备的供应，进而维持在中国的生产经营。SK海力士表示：“公司与美方圆满完成了就在中国持续生产半导体产品的协商。SK海力士将继续与韩国政府及美国商务部紧密合作，在遵循国际原则的前提下为保障中国工厂的运营尽最大的努力。”美国商务部先前于10月7日发布称，将限制用于在中国生产18纳米以下
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SK海力士 DRAM NAND
- 如何开发出尺寸更小、速度更快、功耗更少、成本更低，同时容量更大的闪存产品，这是美光研发工程师每天都要应对的挑战。随着各国对数字化转型和云迁移的重视，世界对存储容量和性能的要求越来越大。美光正在迎接这一创新变局。这些变化体现在异构计算、边缘计算、数据中心、金融系统实时大数据更新，以及移动设备、消费电子、汽车信息娱乐系统带来智能化沉浸式体验。美光232层NAND技术为这些高性能存储应用环境提供了可能。优秀的架构，高效优化存储颗粒的使用空间和密度 美光推出的全球首款232层NAND基于CuA架构，通过增加NAN
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美光 232层 NAND 存储技术
- 疫情突显产业供应链中断和制造业缺工问题，加上少量多样需求成趋势，迫使制造业快速转型，走向更自动化、数字化的智能化方向。因此，各产业对自动光学检测(AOI)技术的需求更为殷切。疫情突显产业供应链中断和制造业缺工问题，加上少量多样需求成趋势，迫使制造业快速转型，走向更自动化、数字化的智能化方向。导入自动化及AI的过程中，传统人力逐渐被取代，也改变产线人员配置的传统生态，其中，可以确保产线及产品质量的自动检测仪器不仅发挥精准有效的优势，还能针对缺陷或瑕疵及时修复、舍弃，降低不必要的时间成本与人力成本，快速稳定且
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自动光学检测 AOI AI 3D 检测铁三角
- 西门子数字化工业软件近日与半导体晶圆制造大厂联华电子 (UMC) 合作，面向联华电子的晶圆堆叠 (wafer-on-wafer) 和芯片晶圆堆叠 (chip-on-wafer) 技术，提供新的多芯片 3D IC (三维集成电路) 规划、装配验证和寄生参数提取 (PEX) 工作流程。联电将同时向全球客户提供此项新流程。通过在单个封装组件中提供硅片或小芯片 (chiplet) 彼此堆叠的技术，客户可以在相同甚至更小的芯片面积上实现多个组件功能。相比于在 PCB
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西门子 联华电子 3D IC 混合键合流程
- 根据集邦科技研究显示，目前NAND Flash正处于供过于求，下半年起买方着重去化库存而大幅减少采购量，卖方开出破盘价以巩固订单，使第三季NAND晶圆（wafer）价格跌幅达30～35％，但各类NAND Flash终端产品仍疲弱，原厂库存因此急速上升，预期将导致第四季NAND Flash总体平均价格跌幅扩大至15～20％。集邦表示，因为需求低迷导致NAND Flash下半年价格大跌，多数原厂的NAND Flash产品销售也将自今年底前正式步入亏损，意即部分供货商在运营陷入亏损的压力下，对于采取减产以降低亏
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集邦 NAND Flash
- 市调机构表示，在高通胀影响下，消费性产品需求疲软且旺季不旺，第三季DRAM位消耗与出货量持续呈现季减，各终端买方因需求明显下滑而推迟采购，导致供货商库存压力进一步升高。同时，各DRAM供货商为求增加市占的策略不变，市场上已有「第三、四季合并议价」或「先谈量再议价」的情形，导致第四季DRAM价格续跌13％～18％。标准型DRAM方面，由于笔电需求疲弱，OEM厂仍将着重去化DRAM库存，而DRAM供应端在营业利益仍佳的前提下，未有实际减产情形，故位产出仍持续升高，供货商库存压力日益明显。以DDR4与DDR5来
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集邦 DRAM NAND
- IT之家 9 月 16 日消息，9 月 8 日，苹果召开新品发布会，正式发布了 iPhone 14 系列手机，起价 5999 元。在此之前，韩媒消息称中国厂商长江存储已经进入苹果供应链，将供货 iPhone 14 系列 NAND 闪存。后续苹果也承认正考虑从长江存储采购 NAND 芯片，但仅会用于在中国销售的部分 iPhone。在 iPhone 14 系列之前，苹果高度依赖三星电子、SK 海力士等韩国存储芯片厂商。因此，市场观察人士认为，苹果与长江存储合作，将使他们 NAND 闪存的供应商进一步
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iPhone 14 NAND 长江存储
- 根据市场研究机构TrendForce最近发布的报告显示，在2022年二季度全球NAND Flash闪存市场中，三星电子与SK海力士拿下了全球52.9%的市场份额。根据数据显示，2022年二季度三星电子NAND销售额为59.8亿美元，环比下滑5.4%，排名第一。SK海力士因为对英特尔NAND闪存业务收购的完成，2022年二季度销售额位36.15亿美元，环比增长12.1%，超越了铠侠，成为了全球第二大NAND闪存厂商，两家韩国厂商已经那拿下了全球NAND市场52.9%的份额。
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NAND 内存
- 江波龙（股票代码：301308）近期发布了中国大陆首款FORESEE 512Mb SPI NAND Flash。FORESEE 512Mb SPI NAND Flash由江波龙完全自主研发，能够极大地帮助客户降低整机系统成本，并提升终端的产品竞争力。目前，FORESEE 512Mb SPI NAND Flash已全面量产，在智能穿戴、物联网模块、安防监控、网络通讯等领域得到广泛应用。加量减价，降本与增效兼得替换256Mb以上大容量SPI NOR Flash的上佳选择根据系统存储容量需求的不同，客
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江波龙 NAND
- 据国外媒体报道，当前全球最大的存储芯片制造商三星电子，预计会在年内开始生产236层NAND闪存。此外，它还计划在本月开设一个新的研发中心，负责更先进NAND闪存产品的开发。韩国媒体在报道中还表示，三星目前量产的NAND闪存，最高是176层，在236层的产品量产之后，三星电子NAND闪存的层数就将创下新高。从韩国媒体的报道来看，三星电子对即将量产的236层NAND闪存寄予了厚望。他们在报道中就表示，在NAND闪存市场，三星电子的市场份额占了35%，为全球最高。将层数增加60层后，他们计划凭借生产技术、价格及
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三星 NAND 闪存
- 半导体行业十分有趣，同时也充满挑战。俗话说，“打江山难，守江山更难”，这句话形容半导体行业十分贴切。我们需要顶住重重压力，不断突破物理、化学、制造和创新的极限，以推动逻辑、内存、存储等计算器件的发展。如何开发出尺寸更小、速度更快、功耗更少、成本更低，同时容量更大的闪存技术是我们每天都要应对的挑战。美光凭借3D NAND新技术与率先推出的新产品再攀高峰，借此机会让我们回顾美光取得的辉煌成就。 美光一直以来被公认为3D NAND技术的领导厂商，之前我们推出了业内首款176层替换栅极NAND技术，再次
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美光 232层 NAND
- 根据集邦科技指出，2023年DRAM市场需求位成长仅8.3％，是历年来首度低于10％，远低于供给位成长约14.1％，分析至少2023年的DRAM市况在供过于求的情势下仍相当严峻，价格恐将持续下滑。至于NAND Flash仍是供过于求，但价格下跌应有助于搭载容量提升。从各类应用来看，高通膨持续冲击消费市场需求，故优先修正库存是品牌的首要目标，尤其前两年面对疫情造成的上游零组件缺料问题，品牌超额下订，加上通路销售迟缓，使得目前笔电整机库存去化缓慢，造成2023年笔电需求将进一步走弱。标准型PC DRAM方面，
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集邦 DRAM NAND
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