三星电子计划实现“PB级”存储器目标。三星高层曾预期，V-NAND在2030年叠加千层以上。最新消息指出，三星考虑用新“铁电”材料铪基薄膜铁电（Hafnia Ferroelectrics）实现目标，且可能是关键。目前，三星已经推出了290层的堆叠第九代V-NAND快闪存储器，而据业内消息，三星计划于明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆叠技术，堆叠层数将达到惊人的430层。三星的目标是尽快实现超过1000 TB的存储容量里程碑，为大数据、云计算等领域的发展提供强大的存储支持。最新消息是，KAIST的研究
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三星 NAND Flash
三星电子计划实现“PB级”存储器目标。三星高层曾预期，V-NAND在2030年叠加千层以上。最新消息指出，三星考虑用新“铁电”材料铪基薄膜铁电（Hafnia Ferroelectrics）实现目标，且可能是关键。目前，三星已经推出了290层的堆叠第九代V-NAND快闪存储器，而据业内消息，三星计划于明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆叠技术，堆叠层数将达到惊人的430层。三星的目标是尽快实现超过1000
TB的存储容量里程碑，为大数据、云计算等领域的发展提供强大的存储支持。最新消息是，KAIST的
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三星 1000层 NAND
· 作为业界最高性能产品，将于今年第3季度开始量产并搭载于端侧AI手机· 与前一代产品相比，长期使用所导致的性能下降方面实现大幅改善，其使用寿命也提升40%· “继HBM后，也在NAND闪存解决方案领域引领面向AI的存储器市场”2024年5月9日，SK海力士宣布，公司开发出用于端侧（On-Device）AI*的移动端NAND闪存解决方案产品“ZUFS**（Zoned UFS）4.0”。SK海力士表示：“ZUFS 4.0为新一代移动端NAND闪存解决方案产品，其产品实现业界最高
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SK海力士 AI 存储 NAND
据TrendForce集邦咨询最新预估，第二季DRAM合约价季涨幅将上修至13~18%；NAND Flash合约价季涨幅同步上修至约15~20%，全线产品仅eMMC/UFS价格涨幅较小，约10%。403地震发生前，TrendForce集邦咨询原先预估，第二季DRAM合约价季涨幅约3~8%；NAND
Flash为13~18%，相较第一季涨幅明显收敛，当时从合约价先行指标的现货价格就可看出，现货价已出现连续走弱，上涨动能低落、交易量降低等情况。究其原因，主要是除了AI以外的终端需求不振，尤其笔电、智能手机
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DRAM NAND Flash TrendForce
5月6日消息，供应链爆料称，SK海力士将对旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等产品提价，涨幅均有15%-20%。按照消息人士的说法，海力士DRAM产品价格从去年第四季度开始逐月上调，目前已累计上涨约60%-100%不等，下半年涨幅将趋缓。靠着存储涨价，三星电子2024年第一季营业利润达到了6.606万亿韩元。财报显示，三星电子一季度存储业务营收17.49万亿韩元，环比增长11%，同比暴涨96%，在整体的半导体业务营收当中的占比高达75.58%。三星表示，一季度存储市场总体需求强劲，特别是生
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SK海力士 三星 DDR5 NAND Flash 上涨
联电昨（2）日所推出业界首项RFSOI 3D IC解决方案，此55奈米RFSOI制程平台上所使用的硅堆栈技术，在不损耗射频（RF）效能下，可将芯片尺寸缩小逾45％，联电表示，此技术将应用于手机、物联网和AR/VR，为加速5G世代铺路，且该制程已获得多项国际专利，准备投入量产。 联电表示，RFSOI是用于低噪声放大器、开关和天线调谐器等射频芯片的晶圆制程。随着新一代智能手机对频段数量需求的不断增长，联电的RFSOI 3D IC解决方案，利用晶圆对晶圆的键合技术，并解决了芯片堆栈时常见的射频干扰问题，将装置中
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5G 联电 RFSOI 3D IC
近日，晶圆代工大厂联电举行法说会，公布2024年第一季财报，合并营收546.3亿元新台币，较2023年第四季549.6亿元新台币减少0.6%，较2023年第一季542.1亿元新台币成长0.8%。第一季毛利率达30.9%，归属母公司净利104.6亿元新台币。联电共同总经理王石表示，由于电脑领域需求回升，第一季晶圆出货量较2023年第四季成长4.5%。尽管产能利用率微幅下降至65%，成本控管及营运效率提升，仍维持相对稳健获利。电源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服务器矽中介层需求推动下，特殊制程占总营收
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联电 3D IC
Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布，美光232层QLC NAND现已量产，并在部分 Crucial 英睿达固态硬盘（SSD）中出货。与此同时，美光 2500 NVMeTM SSD 也已面向企业级存储客户量产，并向 PC OEM 厂商出样。这些进展彰显了美光在 NAND 技术领域的长期领导地位。美光 232 层 QLC NAND 可为移动
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美光 QLC NAND
光子学和电子学这两个曾经分离的领域似乎正在趋于融合。
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3D-IC
Zivid最新SDK2.12正式发布，是对我们3D视觉相机的一次绝佳更新。本次发布中，我们全新的Omni Engine有了更惊人的性能提高。Omni v2提供了更长的工作距离，速度更快，点云质量更好，特别是在透明物体上。升级要点· Omni Engine v.2我们用于捕捉透明度的最先进的3D技术已经获得了重大升级。Omni v2显著减少了与成像透明物体相关的点云伪影和错误并且可以比以前快约35%地生成这些高质量的点云。当在高端GPU上运行时，我们推荐的预设和配置的捕获时间从490毫秒减少到约315毫秒。
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Zivid 3D 机器人
在 AI 服务器中，内存带宽问题越来越凸出，已经明显阻碍了系统计算效率的提升。眼下，HBM 内存很火，它相对于传统 DRAM，数据传输速度有了明显提升，但是，随着 AI 应用需求的发展，HBM 的带宽也有限制，而理论上的存算一体可以彻底解决「存储墙」问题，但该技术产品的成熟和量产还遥遥无期。在这样的情况下，3D DRAM 成为了一个 HBM 之后的不错选择。目前，各大内存芯片厂商，以及全球知名半导体科研机构都在进行 3D DRAM 的研发工作，并且取得了不错的进展，距离成熟产品量产不远了。据首尔半导体行业
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3D DRAM
近日，存储厂商群联公布了2024年3月份营运结果，合并营收为新台币67.75亿元，年成长达73%，刷新历史单月营收新高纪录。全年度营收累计至3月份达新台币165.26亿元，年成长达64%，为历史同期次高。群联表示，2024年3月份SSD控制芯片总累计总出货量年成长达96%，其中PCIe SSD控制芯片总出货量年增率达176%，刷新历史单月新高。此外，全年度累计至3月份之整体NAND闪存位元数总出货量的年成长率（Bit Growth Rate）也达80%，刷新历史同期新高，显示整体市场需求持续缓步回升趋势不
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群联 SSD固态硬盘 NAND Flash
据国外媒体Xtech Nikkei报道，日本存储芯片巨头铠侠（Kioxia）首席技术官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在东京城市大学的应用物理学会春季会议上宣布，该公司计划到2031年批量生产超过1000层的3D NAND Flash芯片。众所周知，在所有的电子产品中，NAND闪存应用几乎无处不在。而随着云计算、大数据以及AI人工智能的发展，以SSD为代表的大容量存储产品需求高涨，堆叠式闪存因此而受到市场的青睐。自三星2013年设计出垂直堆叠单元技术后，NAND厂商之间的竞争便主要集中在芯
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NAND Flash 存储芯片 铠侠
据国外媒体Xtech Nikkei报道，日本存储芯片巨头铠侠（Kioxia）首席技术官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在东京城市大学的应用物理学会春季会议上宣布，该公司计划到2031年批量生产超过1000层的3D NAND Flash芯片。众所周知，在所有的电子产品中，NAND闪存应用几乎无处不在。而随着云计算、大数据以及AI人工智能的发展，以SSD为代表的大容量存储产品需求高涨，堆叠式闪存因此而受到市场的青睐。自三星2013年设计出垂直堆叠单元技术后，NAND厂商之间的竞争便主要集中在芯
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