根据TrendForce集邦咨询最新调查，2024年第三季NAND Flash产业出货量位元季减2%，但平均销售单价（ASP）上涨7%，带动产业整体营收达176亿美元，季增4.8%。TrendForce集邦咨询表示，不同应用领域的NAND
Flash价格走势在今年第三季出现分化，企业级SSD需求强劲，推升价格季增近15%，消费级SSD价格虽有小幅上涨，但订单需求较前一季衰退。智能手机用产品因中国手机品牌严守低库存策略，订单大量减少，第三季合约价几乎与上季持平。Wafer受零售市场需求疲软影响，合约价反
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NAND Flash 企业级SSD TrendForce 集邦咨询
Teledyne DALSA推出在线3D机器视觉应用开发的软件工具Z-Trak™ 3D Apps Studio。该工具旨在与Teledyne DALSA的Z-Trak系列激光扫描仪配合使用，可简化生产线上的3D测量和检测任务。Z-Trak 3D Apps Studio能够处理具有不同表面类型、尺寸和几何特征的物体的3D扫描，是电动汽车（电动汽车电池、电机定子等）、汽车、电子、半导体、包装、物流、金属制造、木材等众多行业工厂自动化应用的理想之选。Z-Trak 3D Apps Studio具有简化的工具，用于
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Teledyne 3D测量 Z-Trak 3D Apps Studio
据韩媒报道，称三星电子在生产 3D NAND 闪存方面取得重大突破，在其中光刻工艺中大幅缩减光刻胶（PR）用量，降幅达到此前用量的一半。报道称，此前每层涂层需要7-8cc的光刻胶，而三星通过精确控制涂布机的转速（rpm）以及优化PR涂层后的蚀刻工艺，现在只需4-4.5cc。此外，三星使用了更厚的氟化氪（KrF）光刻胶，通常情况下一次工艺形成1层涂层，而使用更厚的光刻胶，三星可以一次形成多个层，从而提高工艺效率，但同时也有均匀性问题。东进半导体一直是三星KrF光刻胶的独家供应商，为三星第7代（11微米）和第
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三星 光刻胶 3D NAND
据韩媒报道，三星近期将开始销售前端和后端生产线的旧设备，其中包括位于中国西安的NAND工厂。报道称，三星近期正在半导体部门（DS）实施大规模成本削减和产线调整，并正在考虑出售其中国半导体生产线的旧设备。预计出售程序将于明年正式开始，销售的设备大部分是100级3D NAND设备。自去年以来，三星电子一直致力于将其西安工厂的工艺转换为200层工艺。
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三星 西安 NAND
10 月 29 日消息，《韩国经济日报》当地时间昨日表示，根据其掌握的最新三星半导体存储路线图，三星电子将于 2026 年推出的下代 V-NAND 堆叠层数超过 400，而预计于 2027 年推出的 0a nm DRAM 则将采用 VCT 结构。三星目前最先进的 NAND 和 DRAM 工艺分别为第 9 代 V-NAND 和 1b nm（12 纳米级）DRAM。报道表示三星第 10 代（即下代） V-NAND 将被命名为 BV（Bonding Vertical） NAND，这是因为这代产品将调
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三星 存储 V-NAND
IT之家 10 月 15 日消息，根据 TrendForce 集邦咨询最新调查，NAND Flash 产品受 2024 年下半年旺季不旺影响，wafer 合约价于第三季率先下跌，预期第四季跌幅将扩大至 10% 以上。IT之家注意到，模组产品部分，除了 Enterprise SSD 因订单动能支撑，有望于第四季小涨 0% 至 5%；PC SSD 及 UFS 因买家的终端产品销售不如预期，采购策略更加保守。TrendForce 预估，第四季 NAND Flash 产品整体合约价将出现季减 3% 至
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NAND 闪存 存储 市场分析
台积电OIP（开放创新平台）于美西当地时间25日展开，除表扬包括力旺、M31在内之业者外，更计划推出3Dblox新标准，进一步加速3D IC生态系统创新，并提高EDA工具的通用性。 台积电设计构建管理处负责人Dan Kochpatcharin表示，将与OIP合作伙伴一同突破3D IC架构中的物理挑战，帮助共同客户利用最新的TSMC 3DFabric技术实现优化的设计。台积电OIP生态系统论坛今年由北美站起跑，与设计合作伙伴及客户共同探讨如何通过更深层次的合作，推动AI芯片设计的创新。 Dan Kochpa
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台积电 OIP 3D IC设计
三星电子今日宣布成功开发其首款基于第八代V-NAND技术的PCIe 4.0车载SSD。三星新款AM9C1车载SSD凭借行业前沿的速度和更高的可靠性，成为适配车载应用端侧人工智能功能的解决方案。三星新款256GB AM9C1车载SSD相比前代产品AM991，能效提高约50%，顺序读写速度分别高达4,400MB/s和400MB/s。三星半导体基于第八代V-NAND技术的车载SSD AM9C1三星电子副总裁兼存储器事业部汽车业务负责人Hyunduk Cho表示：“我们正在与全球自动驾驶汽车厂商合作，为这些企业提
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三星电子 V-NAND 车载SSD
9月24日消息，今日，三星电子宣布成功开发其首款基于第八代V-NAND 技术的PCIe 4.0车载SSD——AM9C1。相比前代产品AM991，AM9C1能效提高约50%，顺序读写速度分别高达4400MB/s和400MB/s。三星表示，AM9C1能满足汽车半导体质量标准AEC-Q100³的2级温度测试标准，在-40°C至105°C宽幅的温度范围内能保持稳定运行。据介绍，AM9C1采用三星5nm主控，用户可将TLC状态切换至SLC模式，以此大幅提升读写速度。其中，读取速度高达4700MB/s，写入速度高达1
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三星电子 NAND PCIe 4.0 车载SSD
根据TrendForce集邦咨询最新调查，由于Server（服务器）终端库存调整接近尾声，加上AI推动了大容量存储产品需求，2024年第二季NAND
Flash（闪存）价格持续上涨，但因为PC和智能手机厂商库存偏高，导致第二季NAND
Flash位元出货量季减1%，平均销售单价上涨了15%，总营收达167.96亿美元，较前一季增长了14.2%。第二季起所有NAND
Flash供应商已恢复盈利状态，并计划在第三季扩大产能，以满足AI和服务器的强劲需求，但由于PC和智能手机今年上半年市场表现不佳，
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TrendForce 集邦咨询 NAND Flash AI SSD
IT之家 9 月 9 日消息，TrendForce 集邦咨询今天下午发布报告指出，由于服务器终端库存调整接近尾声，加上 AI 推动了大容量存储产品需求，今年第二季度 NAND Flash（闪存）价格持续上涨。但由于 PC 和智能手机厂商库存偏高，导致 Q2 NAND Flash 位元出货量环比下降 1%，平均销售单价上涨了 15%，总营收达 167.96 亿美元（IT之家备注：当前约 1193.37 亿元人民币），较前一季实现环比增长 14.2%。各厂商营收情况如下：三星：第二季时积极回应客户对
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内存 NAND Flash
IT之家 8 月 12 日消息，韩媒 ETNews 报道称，三星电子内部已确认在平泽 P4 工厂建设 1c nm DRAM 内存产线的投资计划，该产线目标明年 6 月投入运营。平泽 P4 是一座综合性半导体生产中心，分为四期。在早前规划中，一期为 NAND 闪存，二期为逻辑代工，三期、四期为 DRAM 内存。三星已在 P4 一期导入 DRAM 生产设备，但搁置了二期建设。而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 级内存工艺，各家的 1c nm（或对应的 1γ nm）产品目前均尚未正式
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NAND 闪存 三星电子
Lam Research 推出低温蚀刻新技术，为 1000 层 3D NAND 铺平道路。
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NAND Flash
人工智能（AI）市场持续火热，新兴应用对存储芯片DRAM和NAND需求飙升的同时，也提出了新的要求。近日恰逢全球存储会议FMS 2024（the Future of Memory and
Storage）举行，诸多存储领域议题与前沿技术悉数亮相。其中TrendForce集邦咨询四位资深分析师针对HBM、NAND、服务器等议题展开了深度讨论，廓清存储行业未来发展方向。此外，大会现场，NVM Express组织在会中发布了 NVMe 2.1
规范，进一步统一存储架构、简化开发流程。另外包括Kioxia
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存储 NAND TrendForce
IT之家 8 月 1 日消息，泛林集团 Lam Research 当地时间昨日宣布推出面向 3D NAND 闪存制造的第三代低温介质蚀刻技术 Lam Cyro 3.0。泛林集团全球产品部高级副总裁 Sesha Varadarajan 表示：Lam Cryo 3.0 为（我们的）客户实现 1000 层 3D NAND 铺平了道路。泛林低温蚀刻已被用于 500 万片晶圆的生产，而我们的最新技术是 3D NAND 生产领域的一项突破。它能以埃米级精度创建高深宽比（IT之家注：High Aspect R
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NAND 闪存 泛林集团
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