- 根据联合报报道，台积电预计明年将拥有四座满负荷运行的 2 纳米晶圆厂，月总产量将达到 60,000 片。然而，正如 Wccftech 指出的那样，虽然台积电正在准备大规模的 2 纳米生产，但据报道该公司没有计划向客户提供折扣。 联合报援引行业消息人士称，每片 2 纳米晶圆的价格可能高达 30,000 美元，比 3 纳米晶圆价格上涨了 50%。值得注意的是，联合报还表示，来自人工智能相关客户的需求强劲，导致在相同时期内，2 纳米的晶圆流片数量超过了 3 纳米和 5 纳米。几乎所
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- 据报道，台积电目前正在亚利桑那州的Fab P3工厂筹备2nm（N2）生产线，最早可能在2026年投产，这仅比在中国台湾本土的生产线投产晚一年，此前“海外工厂技术至少落后一代”的承诺彻底失效。
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- 三星的下一款旗舰智能手机芯片组是 Exynos 2600，它可能会用于 Galaxy S26 系列。据传该芯片是使用三星代工厂的 2nm 制造工艺制造的。考虑到三星可能会在 2026 年初推出下一代 Galaxy S 系列之前宣布这一消息，并且其他芯片组制造商在其下一代旗舰芯片中都坚持使用台积电的 3nm 工艺，Exynos 2600 可能是第一款投放市场的 2nm 芯片。好吧，这不再是猜测了。三星宣布 Exynos 2600 将成为首款采用三星代工 2nm GAA 制造工艺
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- 随着英伟达成为全球第一支站上4万亿美元市值的企业，人们纷纷预估哪家企业会乘借AI的东风成为第二支迈上4万亿台阶，虽然目前还没有看到目标，但是英伟达成功最大的合作伙伴却可能成为下一家站上3万亿美元市值的公司。台积电（纽约证券交易所代码：TSM）目前估值约为 1.25 万亿美元，是全球第九大公司。通常，投资者不会期望这些大公司能够产生出色的增长，因为企业规模越大，增长就越困难。然而，台积电提出了巨大的增长预测，以及一项可能推动股价大幅上涨的新技术。从今天的 1.25 万亿美元估值上升到 3 万亿美元估值需要
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- 报道称，日本新创晶圆代工厂商Rapidus的IIM-1厂区已经展开对采用2nm环绕栅极（GAA）晶体管技术的测试晶圆进行原型制作，并计划在2027年量产。为了支持早期客户，Rapidus正在准备于2026年第一季发表其制程开发套件（PDK）的第一个版本。根据最近披露的数据，2023年9月，Rapidus在北海道千岁地区开始建设其首座晶圆厂IIM-1；2024年4月，晶圆厂的框架、洁净室和基础设备就已完工；2024年12月，引进了ASML的EUV光刻机设备；2025年4月，启动了中试线，随后7月成功完成了第
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- 尽管面临大规模裁员，英特尔在其下一代旗舰处理器和 18A 良率方面显示出积极的进展。据 TechPowerUp 和 SemiAccurate 报道，英特尔的“诺瓦湖-S”客户端 CPU 据报道已在台湾台积电的 2 纳米工厂完成量产报道显示，英特尔几周前在台积电的 2 纳米工艺上完成了一个计算单元的量产，表明诺瓦湖-S 将可能结合英特尔 18A 和台积电的 N2 技术用于其计算单元。据报道，这种做法为英特尔提供了一种备用方案，以防 18A 面临延迟或需求超过其内部产能
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- 根据韩国媒体 Business Post 的报道，三星电子似乎接近确保高通成为其下一代 2nm 代工工艺的第一个主要客户。这一发展可能标志着三星朝着重振苦苦挣扎的合同芯片制造业务迈出了重要一步，该业务一直面临持续的良率问题，并失去了台积电的关键客户。据报道，高通正在使用三星的 2nm 技术对多款芯片进行量产测试，包括其即将推出的 Snapdragon 8 Elite 2 移动处理器的高级版本。这款代号为“Kaanapali”的芯片将有两种变体。基本版本预计将由台积电使用其 3nm 工艺
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- 据外媒Business Post报道，三星计划在2026年推出的Galaxy S26系列旗舰智能手机，除了搭载基于自家2nm制程代工的Exynos 2600芯片外，还将采用高通新一代骁龙8系列旗舰芯片，可能命名为Snapdragon 8 Elite Gen 2。值得注意的是，这款高通芯片将不再由台积电独家使用N3P制程代工，而是部分交由三星2nm制程代工，专为三星Galaxy系列设备定制。报道显示，高通的下一代芯片策略将有重大调整，计划为新一代骁龙旗舰手机芯片开发两个版本。一个版本采用台积电3nm制程，供
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- 根据韩国媒体 Business Post 的报道，三星电子似乎即将获得高通作为其下一代 2 纳米晶圆代工工艺的首个主要客户。这一发展可能标志着三星苦苦挣扎的合同芯片制造业务复苏的重要一步，该业务一直面临持续的良率问题和关键客户流失给台积电的情况。据报道，高通正在使用三星的 2 纳米技术对数款芯片进行大规模量产测试，包括其即将推出的高端版骁龙 8 Elite 2 移动处理器。这款芯片的代号为“Kaanapali”，将提供两种变体。基础版本预计将由台积电使用其 3 纳米工艺生产，而高端版“Kaanapali
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- 据报道，随着主要竞争对手台积电和英特尔的目标是在 2025 年下半年实现 2nm 和 18A 的量产，三星也在调整其业务战略。据 ZDNet 称，它现在专注于提高和优化其当前先进节点的良率，尤其是 2nm 和 4nm。值得注意的是，虽然没有给出修改后的时间表，但该报告表明，三星的 1.4nm 生产现在不太可能在 2028 年甚至 2029 年之前开始。据 ZDNet 称，该更新是在 6 月初的三星“SAFE（三星高级代工生态系统）论坛 2025”期间发布的。据报道，在此次活动中，三星透
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- 市场传言越来越多，称三星正在积极将资源转向 2 纳米开发，计划明年在其德克萨斯州工厂推出下一代工艺，可能试图超越台积电。然而，据半导体行业内的消息人士称， 商业时报报道，三星当前的 3 纳米 GAAFET 技术大致与竞争对手的 4 纳米鳍式场效应晶体管节点相当，这引发了对其即将到来的 2 纳米工艺可能仍不及台积电最强大的 3 纳米鳍式场效应晶体管一代的担忧。同时，台积电继续扩展其 3 纳米工艺系列，包括 N3X、N3C 和 N3A 等不同应用变体。该报告指出，这些节点预计将仍然是主要客户的首选。
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- 在持续进行的半导体行业竞争中，台积电和三星电子正激烈争夺2纳米芯片制造的领先地位。据最新报道，两家公司计划于2025年下半年开始2纳米芯片的大规模生产。然而，由于良率优势，台积电在获取订单方面处于领先地位。台积电已开始接收其 2 纳米工艺的订单，预计将在其新竹宝山和高雄晶圆厂进行生产。这标志着该公司首次采用环绕栅极（GAA）架构。新工艺预计将比当前的 3 纳米工艺提升 10%至 15%的性能，降低 25%至 30%的功耗，并增加 15%的晶体管密度。主要客户据报包括 AMD、苹果、英伟达、高通和联发科。值
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- 在技术驱动型产业中，半导体行业始终走在全球科技变革的最前沿。2024年，台积电（TSMC）正式启动2nm制程（N2）试产，每片晶圆的代工报价高达3万美元，再次引发行业广泛关注。最新数据显示，得益于存储芯片领域的技术优化，台积电2nm制程自去年7月在新竹宝山晶圆厂风险试产以来，良率从去年底的60%快速攀升至当前的90%（256Mb SRAM）。从3nm节点的初期投产经验看，良率爬坡是一大挑战。但凭借3nm节点200万片晶圆的量产经验，将2nm工艺开发周期压缩至18个月，良率仅用9个月便从30%提升至60%，
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- 台积电在过去几年中稳步提高其最先进的半导体工艺节点的价格——如此之高，以至于一项分析表明， 晶体管成本在十多年里没有下降。进一步的价格上涨，由关税和不断上升的开发成本推动，正在强化摩尔定律已经死亡的观念。《商业时报》报道，台积电即将推出的 N2 2 纳米半导体每片晶圆将售价 3 万美元，比该公司 3 纳米芯片大约上涨了 66%。未来的节点预计将更加昂贵，并且可能仅限于最大的制造商使用。台积电通过指出建造 2 纳米晶圆厂的巨大成本来为其价格上涨辩护，这些成本最高可达 7.25 亿美元。根
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