台积电 2 纳米晶圆价格达到 3 万美元，据报道 SRAM 的良率达到了 90%

台积电在过去几年中稳步提高其最先进的半导体工艺节点的价格——如此之高，以至于一项分析表明， 晶体管成本在十多年里没有下降。进一步的价格上涨，由关税和不断上升的开发成本推动，正在强化摩尔定律已经死亡的观念。

《商业时报》报道，台积电即将推出的 N2 2 纳米半导体每片晶圆将售价 3 万美元，比该公司 3 纳米芯片大约上涨了 66%。未来的节点预计将更加昂贵，并且可能仅限于最大的制造商使用。

台积电通过指出建造 2 纳米晶圆厂的巨大成本来为其价格上涨辩护，这些成本最高可达 7.25 亿美元。根据联合报报道，像苹果、AMD、高通、博通和英伟达等主要玩家预计将在年底前下单 ，尽管价格上涨，这可能会使台积电在亚利桑那州的 2 纳米晶圆厂达到满负荷运转。

明年新款 iPhone 18 Pro 中的 A20 处理器预计将是首款采用台积电 N2 工艺的芯片。英特尔的目标是桌面和可能的高端笔记本电脑的 Nova Lake 处理器，也计划使用 N2 工艺，并预计明年推出。

早期报道表明，台积电 2 纳米工艺的良率去年达到了 60%，并有所提升。新数据显示，256Mb SRAM 良率现已超过 90%。试验生产可能已经开始，大规模生产计划于今年晚些时候启动。

随着基于 2nm 工艺的芯片量产超越同一开发阶段的以往节点，台积电计划在 2025 年底前生产数万片晶圆。

台积电还计划在明年下半年推出 N2P 和 N2X，以接续 N2。N2P 预计在相同功耗下比 N3E 性能提升 18%，在相同速度下能效提升 36%，并且逻辑密度显著提高。N2X 计划于 2027 年开始大规模生产，将最大时钟频率提高 10%。

随着半导体几何尺寸的不断缩小，功耗泄漏成为一个主要问题。台积电的 2 纳米节点将通过环绕栅极（GAA）晶体管架构来解决这个问题，实现更精确的电流控制。

超过 2 纳米就是埃时代，台积电将实施背面电源传输以进一步提升性能。未来的工艺节点如 A16（1.6 纳米）和 A14（1.4 纳米）的晶圆成本可能高达 45,000 美元。

与此同时， 英特尔正试图超越台积电的路线图。该公司最近开始风险生产其 A18 节点，该节点也采用环绕栅极和背面电源传输技术。这些芯片预计将于今年晚些时候在英特尔即将推出的笔记本电脑 CPU，代号为猎户座中亮相。