此前有消息称英特尔已经拿了台积电3nm一半产能,近日,则有消息称英特尔现在又要跟台积电合作开发2nm工艺。英特尔不仅可能会将3nm制程工艺交给台积电代工,同时也开始跟台积电讨论合作开发2nm工艺。不过这一说法还没有得到英特尔或者台积电的证实,考虑到这是高度机密的信息,一时间也不会有官方确认的可能。据悉,台积电3nm的量产时间预计2022年四季度启动,且首批产能被苹果和英特尔均分。至于未来的2nm工艺,台积电将在2nm节点推出Nanosheet/Nanowire的晶体管架构并采用新的材料,预计会在2025年
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英特尔 台积电 2nm
韩国三星在举行晶圆代工论坛期间高调宣布,2025年投入2奈米量产,再度确认将导入新一代环绕闸极技术(GAA)电晶体架构,抢在台积电前宣布2025年投入2奈米制程的芯片量产,剑指台积电的意图明显,晶圆代工全球版图恐将迎来新变局。此次论坛以Adding One More Dimension为主题,会中提到三星过去曾在2020上半年宣布该公司要在GAA的基础上导入3奈米制程,而此次更提到要基于GAA基础,在2023年时要导入第二代的3奈米制程,并于2025年导入2奈米制程。而这回也是三星首度表明2奈米的制程规划
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三星 2nm
在目前的芯片领域,三星和台积电凭借着先进的工艺,相互不分上下,而近期在三星的公开场合中,曝光了三星最新的工艺技术。官方宣称,三星的3nm工艺上分为两个版本,分别在2022和2023年量产,而对比于5nm,三星的3nm工艺能够让芯片面积缩小35%,相同单位功耗的情况下性能可提升30%,而功耗也将降低50%左右。而2nm的工艺还没有出现在会中,但有消息称2nm将会在2025年量产。
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三星 2nm
芯研所消息,台积电的2nm芯片工艺计划上线,但是由于环评专案小组的初审,建厂计划未能放行,还需要等8月31日之前补正后再审核。在全球先进工艺量产上,台积电一枝独秀,5nm、3nm工艺已经领先,再下一代工艺就是2nm了,会启用全新GAA晶体管,技术升级很大,光是工厂建设就要200亿美元。台积电不过台积电的2nm工厂建设计划现在遇到了阻力。消息称,新竹科学园区拟展开宝山用地第二期扩建计划,环保部门于25日下午召开环评专案小组第三次初审会议,水、电以及废弃物清理等议题受到关注,专案小组历经逾三小时审议后,最终仍
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2nm 台积电
半导体技术的重要性已经无需多提,现在美国、中国、日本、韩国等国家和地区都在大力投资先进半导体工艺,不希望自己被卡脖子,欧盟现在也清醒了,希望搞定2nm工艺。据报道,欧盟市场专员蒂埃里·布雷顿(Thierry Breton)日前在采访中表示,欧盟需要恢复以前的市场份额,以满足行业的需求。他还提到,多年来欧盟在半导体制造业中的份额下降了,因为该地区过于幼稚、过于相信全球化。欧盟委员会制定的计划中,希望2030年将芯片产量翻倍,市场份额提升到20%,为此欧盟正在争取欧洲地区先进芯片制造商的支持,目前至少有22个
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2nm 半导体制造
蓝色巨人出手就是王炸。 5月6日消息,IBM宣布造出了全球第一颗2nm工艺的半导体芯片。 核心指标方面,IBM称该2nm芯片的晶体管密度(MTr/mm2,每平方毫米多少百万颗晶体管)为333.33,几乎是台积电5nm的两倍,也比外界预估台积电3nm工艺的292.21 MTr/mm2要高。 2nm晶圆近照 换言之,在150平方毫米也就是指甲盖大小面积内,就能容纳500亿颗晶体管。 同时,IBM表示,在同样的电力消耗下,其性能比当前7nm高出45%,输出同样性能则减少75%的功耗。 实际上,I
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IBM 2nm EUV
全球最大的晶圆代工厂,拥有近500个客户,这就是他们的独特之处。一方面,公司几乎可以为提出任何需求的所有客户提供服务;另一方面,就容量和技术而言,他们必须领先于其他任何人;就产能而言,台积电(TSMC)是不接受任何挑战,而且未来几年也不会台积电今年300亿美元的资本预算中,约有80%将用于扩展先进技术的产能,例如3nm,4nm / 5nm和6nm / 7nm。分析师认为,到今年年底,先进节点上的大部分资金将用于将台积电的N5产能扩大,扩大后的产能将提到至每月110,000〜120,000个晶圆启动(WSP
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2nm 3nm 晶圆 代工
前两天,台媒报道称台积电将投资187亿人民币在南京厂建置月产4万片的28nm产能,据悉,该计划将于不久后正式启动,新产能预计在2022年下半年开始逐步产出,并于2023年实现月产4万片的目标。当台积电传来扩增28nm产能的消息时,大部分人对此感到非常惊讶,在更多人眼中,台积电作为全球工艺最先进的芯片制造商,在全球都在冲刺2nm工艺的时候,它也应该大力投资3nm、2nm,甚至是更加先进的工艺,而却不曾想台积电居然选择斥巨资投资28nm这样成熟的工艺。事实上,投资28nm工艺只是台积电的计划之一,而其从始至终
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2nm 台积电 中芯国际
做为全球最大最先进的晶圆代工厂,台积电在7nm、5nm节点上领先三星等对手,明年面还会量产3nm工艺,接下来则是2nm工艺。台积电计划未来三年投资1000亿美元,其中先进工艺花费的资金最多,2nm工艺也是前所未有的新工艺,台积电去年称2nm工艺取得了重大进展,进度比预期的要好。实际上台积电的2nm工艺没有宣传的那么夸张,此前只是技术探索阶段,寻找到了可行的技术路径。现在2nm工艺才算是进入了研发阶段,重点转向了测试载具设计、光罩制作及硅试产等方向。根据台积电的说法,2nm工艺节点上,他们也会放弃FinFE
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近期台积电(TSMC)和苹果更紧密和高效的合作,使得研发上取得了多项突破。 目前手机开始大量使用基于5nm工艺制造的芯片,即将推出的A15 Bionic预计将使用更先进的N5P节点工艺制造,预计苹果将在2021年占据台积电80%的5nm产能。不过台积电很快将向3nm工艺推进,并且进一步到2nm工艺,这都只是时间问题。 据Wccftech报道,为了更好地达成这些目标,台积电和苹果已联手推动芯片的开发工作,将硅片发展推向极限。台积电和苹果都为了同一个目标而努力,不过受益者可能不只是苹果,还有英特尔。台
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这几年,天字一号代工厂台积电在新工艺进展上简直是开挂一般的存在,7nm工艺全面普及,5nm工艺一路领先,3nm工艺近在眼前,2nm工艺也进展神速。根据最新报道,台积电已经在2nm工艺上取得一项重大的内部突破,虽未披露细节,但是据此乐观预计,2nm工艺有望在2023年下半年进行风险性试产,2024年就能步入量产阶段。台积电还表示,2nm的突破将再次拉大与竞争对手的差距,同时延续摩尔定律,继续挺进1nm工艺的研发。台积电预计,苹果、高通、NVIDIA、AMD等客户都有望率先采纳其2nm工艺。2nm工艺上,台积
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台积电 2nm
一、台积电:第一家官宣2nm工艺,研发进度超前据台湾经济日报报道,台积电2nm工艺取得重大突破,研发进度超前,业界看好其2023年下半年风险试产良率就可以达到90%。据台媒透露,有别于3nm与5nm采用鳍式场效晶体管(FinFET)架构,台积电2nm改采全新的多桥通道场效晶体管(MBCFET)架构,研发进度超前。据悉,台积电去年成立了2nm专案研发团队,寻找可行路径进行开发。考量成本、设备相容、技术成熟及效能表现等多项条件,2nm采以环绕闸极(GAA)制程为基础的MBCFET架构,解决FinFET因制程微
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9 月 25 日消息 据 wccftech 报道,台湾半导体制造公司(TSMC)在 2nm 半导体制造节点的研发方面取得了重要突破:台积电有望在 2023 年中期进入 2nm 工艺的试生产阶段,并于一年后开始批量生产。目前,台积电的最新制造工艺是其第一代 5 纳米工艺,该工艺将用于为 iPhone 12 等设备构建处理器。台积电的 2nm 工艺将采用差分晶体管设计。该设计被称为多桥沟道场效应(MBCFET)晶体管,它是对先前 FinFET 设计的补充。台积电第一次作出将 MBCFET 设计用于其晶体管而不
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据台湾经济日报报道,台积电2nm工艺取得重大突破,研发进度超前,业界看好其2023年下半年风险试产良率就可以达到90%。供应链透露,有别于3nm和5nm采用鳍式场效应晶体管(FinFET),台积电的2nm工艺改用全新的多桥通道场效电晶体(MBCFET)架构。据悉,台积电去年成立了2nm专案研发团队,寻找可行路径进行开发。考量成本、设备相容、技术成熟及效能表现等多项条件,2nm采以环绕闸极(GAA)制程为基础的MBCFET架构,解决FinFET因制程微缩产生电流控制漏电的物理极限问题。极紫外光(EUV)微显
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据国外媒体报道,为苹果、AMD等众多公司代工芯片的台积电,近几年在芯片制程工艺方面走在行业前列,他们的5nm工艺已在今年一季度大规模量产,为苹果等客户代工最新的处理器。在5nm工艺投产之后,台积电下一步工艺研发的重点就将是更先进的3nm、2nm工艺,其中3nm工艺在最近两个季度的财报分析师电话会议上均有提及,台积电CEO魏哲家透露正在按计划推进,计划2021年风险试产,2022下半年大规模投产。此前鲜有提及的2nm工艺,也有了消息。外媒的报道显示,在昨日的台积电2020年度全球技术论坛上,他们透露正在同一
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