- 关于台积电 2nm 生产节点计划的更多详细信息。
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台积电 2nm
- 晶圆制造工具正变得更加专用于 Si/SiGe 堆栈、3D NAND 和键合晶圆对。
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2nm EUV
- 在今天的说法会上，台积电透露了新一代工艺的进展，3nm工艺已经开始量产，2023年放量，有多家客户下单，再下一代的是2nm工艺，台积电CEO重申会在2025年量产。与3nm工艺相比，台积电2nm工艺会有重大技术改进， 放弃FinFET晶体管，改用GAA晶体管， 后者是面向2nm甚至1nm节点的关键，可以进一步缩小尺寸。相比3nm工艺，在相同功耗下， 2nm速度快10~15%；相同速度下，功耗降低25~30%。不过2nm工艺的晶体管密度可能会挤牙膏了，相比3nm只提升了10%，
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台积电 工艺 2nm
- 日本Rapidus和IBM于今年12月13日宣布称，为量产2纳米逻辑半导体，双方建立了合作关系。IBM长年以来一直积极进行研发尖端半导体，且曾经在美国纽约州拥有自己的300毫米晶圆工厂（于2014年转给Global Foundries，后来，该工厂被安森美收购）。此外，IBM也在为自己品牌下的电脑生产所需半导体，同时也为客户提供尖端工艺的技术研发服务和晶圆代工服务。IBM的尖端工艺技术研发服务作为一项Common Platform，通过创建通用型工艺技术和生产产线，有效降低了研发成本、并确保了第二供应商资
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2nm
- 钛媒体App 12月29日消息，晶圆代工龙头台积电（TPE:2330/NYSE:TSM）今天在台南科学园区Fab 18厂新建工程基地举行3纳米（nm）量产暨扩厂典礼，正式宣布3nm芯片即日起开始量产。台积电表示，这是该公司在先进制程缔造的重要里程碑。台积电董事长刘德音（Mark Liu）在演讲中表示，今天3nm制程良率已经和5nm量产同期良率相当，台积电已经与客户开发新的产品，并开始量产，应用在超级电脑、云计算、数据中心、高速通讯网络以及许多智能设备，包括未来的AR/VR等。而相较于5nm，3nm制程逻辑
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台积电 2nm
- 20世纪80年代，日本是全球的半导体霸主，一度严重威胁了美国公司地位，之后被打压，现在只在个别领域还有优势，先进工艺上已经落后当前水平10到20年，不过日本已经制定复兴计划，联手欧洲IMEC之后又确定联手IBM。此前报道就指出，日本要想攻关2nm先进工艺，潜在的合作对象就是IBM公司，后者也在日前发布声明，确认跟日本Rapidus公司达成合作，双方将成立研发机构，IBM会派遣员工参与合作。Rapidus公司是前不久日本至少八大电子巨头联合成立的半导体公司，吸引了日本丰田、索尼、铠侠、NEC、软银、电装等8
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IBM 日本 Rapidus 2nm
- 都说芯片烧钱，但芯片到底有多烧钱大家还没有一个清晰的认知，尤其是芯片工艺越来越先进，其烧钱的规模可谓呈几何级增长。从研发成本端来看，其中28nm工艺只要4280万美元，22nm工艺需要6300万美元，16nm工艺需要8960万美元。然而3nm则飙升到5.8亿美元，而2nm工艺开发资金则要达7.2亿美元，约合人民币50亿。当然，这还只是研发层面的费用，而3nm、2nm工艺工厂建设则需要200亿美元以上的资金，而这还不包括生产费用，可见这简直是十分烧钱的行为。显然，照这样发展下去，未来2nm的CPU及显卡就算
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2nm
- IT之家 11 月 9 日消息，日本科技大厂富士通（Fujitsu）的高层表示，该公司计划自行设计 2 纳米制程的先进半导体，并打算委托台积电代工生产。据《日本经济新闻》报道，富士通首席技术官 Vivek Mahajan 周二在一场记者会上表示，该公司计划自行设计 2 纳米制程的先进半导体，打算委托晶圆代工龙头台积电代为生产。报道指出，富士通目标最快在 2026 年完成搭载该芯片的节能中央处理器 (CPU)。IT之家了解到，台积电目前计划在 2025 年量产 2 纳米的芯片，该公司的先进制程技术
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富士通 2nm 台积电
- 据国外媒体报道，AMD首席执行官（CEO）苏姿丰和公司其他C级高管希望在9月底或11月初前往台湾地区，探索与当地合作伙伴的合作。苏姿丰前往台湾地区的主要原因似乎是与台积电会面，与台积电CEO魏哲家讨论N3 Plus（N3P）和2nm级（N2）制造技术的使用以及未来的短期和长期订单，使AMD获得足够的基于3nm和2nm级等未来节点的晶圆分配。AMD近年来取得的显著成功很大程度上归功于台积电利用其极具竞争力的工艺技术大批量生产芯片的能力。AMD的CPU和GPU产品线才刚开始向5nm制程节点切换，并且台积电的2
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AMD 苏姿丰 台积电 2nm 3nm 芯片
- 据台媒《经济日报》报道，晶圆代工厂台积电2nm制程将于2025年量产，市场看好进度可望领先对手三星及英特尔。台积电先进制程进展顺利，搭配FINFLEX架构的3nm将在今年下半年量产，升级版3nm（N3E）制程将于3nm量产一年后量产，即2023年量产。先进封装部分，首座全自动化3DFabric晶圆厂预计于2022年下半年开始生产。虽然在3nm世代略有保守，但无论如何，FinFET宽度都已经接近实际极限，再向下就会遇到瓶颈。所以外资法人预估台积电2nm先进制程将采用环绕式闸极场效电晶体GAAFET高端架构生
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台积电 2nm
- 在6月最后一天，三星宣布3nm工艺正式量产，这一次三星终于领先台积电率先量产新一代工艺，而且是弯道超车，后者的3nm今年下半年才会量产。根据三星官方介绍，在3nm芯片上，其放弃了之前的FinFET架构，采用了新的GAA晶体管架构，大幅改善了芯片的功耗表现。与5nm相比，新开发的3nm GAE工艺能够降低45%的功耗，减少16%的面积，并同时提升23%的性能。第二代的3nm GAP工艺可以降低50%的功耗，提升30%的性能，同时面积减少35%，效果更好。再往后呢？三星也有了计划，3nm GAP工艺之后就会迎
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- 日前，台积电全面公开了旗下的3nm及2nm工艺技术指标，相比3nm工艺，在相同功耗下，2nm速度快10~15%；相同速度下，功耗降低25~30%。性能及功耗看着还不错，但台积电的2nm工艺在晶体管密度上挤牙膏，只提升了10%，按照摩尔定律来看的话，新一代工艺的密度提升是100%才行，实际中也能达到70-80%以上才能算新一代工艺。台积电没有解释为何2nm的密度提升如此低，很有可能跟使用的纳米片电晶体管（Nanosheet）技术有关，毕竟这是新一代晶体管结构，考验很多。
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台积电 2nm
- 据国外媒体报道，推进3nm制程工艺今年下半年量产的台积电，在更先进的2nm制程工艺的研发方面已取得重大进展，预计在明年年中就将开始风险试产 —— 也就意味着台积电2nm制程工艺距量产又更近了一步。业界估计，台积电2nm试产时间点最快在2024年，并于2025年量产，之后再进入1nm以及后续更新世代的“埃米”制程。台积电去年底正式提出中科扩建厂计划，设厂面积近95公顷，总投资金额达8000亿至10000亿元新台币，初期可创造4500个工作机会。以投资规模及近百公顷设厂土地面积研判，除了规划2nm厂
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- 6月6日消息，据台湾经济日报报道，台积电将砸1万亿新台币（约2290亿元人民币）在台中扩大2nm产能布局，有望在中清乙工建设半导体产业链园区。 台积电总裁魏哲家在4月14日召开的法说会上表示，台积电2nm预期会是最成熟与最适合技术来支持客户成长，台积电目标是在2025年量产。 台积电将在2nm的节点推出Nanosheet/Nanowire的晶体管架构，另外还将采用新的材料，包括High mobility channel，2D，CNT等，其中2D材料方面，台积电已挖掘石墨烯之外的其他材料，可以逐渐用
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- 由于半导体芯片产能紧缺，台积电此前宣布三年内投资1000亿美元，约合6300多亿人民币，主要用于建设新一代的3nm、2nm芯片厂，盖长的需求太高，现在连建筑用的砖块都要抢购了。据《财讯》报道，这两年芯片产能紧缺，但是比芯片产能更缺的还有一种建材——白砖，连台积电都得排队抢购。这种砖块是一种特殊的建材，具备隔音、轻量、隔热、防火、环保、便利等优点，重量只有传统红砖的一半左右，是很多工厂及房产建设中都需要的材料。对台积电来说，一方面它们自己建设晶圆厂需要大量白砖，另一方面它们在当地某个城市建设晶圆厂，往往还会
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台积电 3nm 2nm 晶圆厂
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