之前两篇文章我们分别介绍了CoolSiC™ MOSFET G2的产品特点及导通特性 （参考阅读： CoolSiC™ MOSFET Gen2性能综述 ， CoolSiC™ MOSFET G2导通特性解析 ） ，今天我们分析一下在软开关和硬开关两种场景下，如何进行CoolSiC™ MOSFET G2的选型。G2在硬开关拓扑中的应用除了R DS(on) ，开关损耗在SiC MOSFET的选型中也扮演着非常重要的角色。因为SiC往往工
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英飞凌 MOSFET
近日，深圳基本半导体股份有限公司（简称“基本半导体”）宣布完成D轮融资，融资金额达1.5亿元人民币。本轮融资由中山火炬开发区科创产业母基金与中山金控联合投资，资金将主要用于碳化硅功率器件的技术研发、产能扩张以及市场拓展。基本半导体成立于2016年，是一家专注于碳化硅功率器件研发与制造的高新技术企业。其核心产品包括1200V/20A JBS碳化硅二极管、1200V平面栅碳化硅器件以及10kV/2A SiC PiN二极管等。这些产品以低损耗、高频率等优势，广泛应用于电动汽车、轨道交通、光伏逆变器和航空航天等领
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基本半导体 碳化硅
全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）今日宣布，搭载了罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块，已应用于丰田汽车公司（TOYOTA MOTOR CORPORATION.，以下简称“丰田”）面向中国市场的全新跨界纯电动汽车（BEV)“bZ5”的牵引逆变器中。“bZ5”作为丰田与比亚迪丰田电动车科技有限公司（以下简称“BTET”）、一汽丰田汽车有限公司（以下简称“一汽丰田”）联合开发的跨界纯电动汽车，由一汽丰田于2025年6月正式发售。此次采用的功率模块由罗姆与正海集团的合资企业——上海海姆希科
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罗姆 SiC MOSFET 丰田 纯电车型
在10kW-50kW中高功率应用领域，SiC MOSFET分立器件与功率模块呈现并存趋势。分立方案凭借更高设计自由度和灵活并联扩容能力突围——当单管功率不足时，只需并联一颗MOSFET即可实现功率跃升，为工业电源、新能源系统提供模块之外的革新选择。然而，功率并非是选用并联MOSFET的唯一原因。正如本文所提到的，并联还可以降低开关能耗，改善导热性能。考虑到热效应对导通损耗的影响，并联功率开关管是降低损耗、改善散热性能和提高输出功率的有效办法。然而，并非所有器件都适合并联， 因为参数差异会影响均流特性。本文
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意法半导体 SiC MOSFET
就在去年，「抢占 SiC，谁是电动汽车市场的赢家？」「第三代半导体，来势汹汹」「碳化硅:渗透新能源车半壁江山 第三代半导体百亿级市场拉开帷幕」……这样的形容是 SiC 的专属标签，市场利好，一片光明。好景没有一直延续下去。「消息称 2025 年中国 SiC 芯片价格将下降高达 30%」「SiC 价格跳水, 开启下半场战役」……新能源车爆火，那 SiC 怎么了？核心矛盾：需求增长 VS 产能狂飙根据预测 2025 年全球 SiC 衬底产能预计达 400 万片，需求预测仅 250 万片。从需求侧来看
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SiC
据路透社援引彭博社报道，在关于即将破产的传闻出现近一个月后，Wolfspeed 现在正面临一次重大动荡。由 Apollo 全球管理公司领导的债权人正准备根据破产计划接管公司。报道称，这家陷入困境的碳化硅巨头预计将在几天内公布一项预包装破产计划——旨在迅速削减数十亿美元的债务。在锁定重组协议后，Wolfspeed 将要求债权人就计划进行投票，然后正式申请第 11 章保护，报道补充道。由意法半导体领导的对头将受益根据 TrendForce 的观察，由于破产程序的不确定性，Wolfspeed 的 Si
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碳化硅 意法半导体 功率器件
在功率半导体领域，碳化硅（SiC）MOSFET因其低功耗、高临界电场强度和优异的热导率，被广泛应用于新能源汽车、智能电网和轨道交通等高压高频场景。然而，如何在确保击穿电压（BV）的同时优化导通电阻（Ron），一直是行业亟待解决的难题。近日，复旦大学研究团队在这一领域取得重要突破。据复旦大学研究团队透露，他们基于电荷平衡理论，通过对离子注入工艺的深度优化，成功设计并制备出正交结构和平行结构两种布局的1.7kV 4H-SiC电荷平衡辅助SiC MOSFET器件。实验数据显示，这两种新型器件在维持约2.0kV击
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复旦大学 SiC MOSFET器件
安森美 (onsemi) cascode FET （碳化硅共源共栅场效应晶体管）在硬开关和软开关应用中有诸多优势，本文将重点介绍Cascode结构。Cascode简介碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）相比其他竞争技术具有一些显著的优势，特别是在给定芯片面积下的低导通电阻（称为RDS.A）。为了实现最低的RDS.A，需要权衡的一点是其常开特性，这意味着如果没有栅源电压，或者JFET的栅极处于悬空状态，那么JFET将完全导通。然而，开关模式在应用中通常需要常关状态。因此，将SiC JFET与低电压硅M
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SiC 共源共栅 cascode 安森美
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”，该模型提升了收敛性和仿真速度。功率半导体的损耗对系统整体效率有重大影响，因此在设计阶段的仿真验证中，模型的精度至关重要。ROHM以往提供的SiC MOSFET用SPICE模型“ROHM Level 1（L1）”，通过提高每种特性的复现性，满足了高精度仿真的需求。然而另一方面，该模型存在仿真收敛性问题和运算时间较长等问题，亟待改进。新模型“ROHM Level 3（L3）”通过采用简化的模型
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ROHM SPICE模型 ROHM Level 3 SiC MOSFET模型
安森美推出了具有卓越 R DS（on） *A 性能的 SiC JFET。 该器件特别适用于需要大电流处理能力和较低开关速度的应用，如固态断路器和大电流开关系统。得益于碳化硅（SiC）优异的材料特性和 JFET 的高效结构，可实现更低的导通电阻和更佳的热性能，非常适合需要多个器件并联以高效管理大电流负载的应用场景。本文为第一部分，将介绍SiC Combo JFET 技术概览、产品介绍等。SiC Combo JFET 技术概览对于需要常关器件的应用，可以将低压硅（Si） MOSFET与常开
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安森美 SiC Combo JFET
根据 MoneyDJ 援引日经新闻的一份报告，电动汽车 （EV） 市场增长放缓，加上中国制造商增产导致供应过剩，导致价格下跌，据报道，这促使日本半导体巨头瑞萨电子放弃了生产电动汽车碳化硅功率半导体的计划。日经新闻指出，瑞萨电子最初计划于 2025 年初在其位于群马县的高崎工厂开始生产用于电动汽车的 SiC 功率芯片。然而，该公司此后解散了高崎工厂的 SiC 团队。日经新闻补充说，预计与中国竞争对手的价格竞争将在中长期内加剧，这使得瑞萨电子作为后来者很难从 SiC 芯片生产中快速获利。根
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价格战 Wolfspeed 瑞萨电子 SiC
据当地媒体《一财全球》和IT之家报道，据报道，美国碳化硅 （SiC） 巨头 Wolfspeed 在与快速崛起的中国竞争对手的激烈竞争中徘徊在破产边缘，中国最大的碳化硅晶圆厂已在武汉正式投产，旨在供应该国国内产量的 30%。YiCai 报告称，一个 SiC 晶圆模型的车载测试最快将于下个月开始，而另外近 10 个模型已经在验证中。不久之后将进行大规模生产和交付。IT Home 表示，该工厂的一期重点是功率器件，计划年产 360,000 片 6 英寸 SiC 晶圆。另一方面，益财国际补充说，这足以支持超过 1
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碳化硅 Wolfspeed
据日本媒体《日刊工业新闻》报道，据报道，总部位于美国的碳化硅晶圆生产商 Wolfspeed 正在申请第 11 章破产保护。报告指出，这一发展促使日本公司（包括与 Wolfspeed 签订了 10 年供应协议的瑞萨电子以及 Rohm）重新评估其战略计划。正如日刊工业新闻所说，瑞萨电子可能会受到影响，因为其与 Wolfspeed 于 2023 年签署了 20 亿美元的预付款 10 年碳化硅晶圆供应协议。报告指出，如果 Wolfspeed 根据美国破产法第 11 章申请破产保护，瑞萨电子可能
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Wolfspeed 破产 瑞萨电子 SiC
功率半导体研究实验室 Silicon Austria Labs （SAL） 完成了将电流传感器集成到电源模块中的概念验证，该模块旨在用于电动汽车牵引逆变器和 DC-DC 转换器。该实验室表示，这项技术可以提高效率，同时减小牵引逆变器和其他基于下一代碳化硅 （SiC） 功率器件的超大电流电力电子设备的尺寸和重量。新功率模块的核心是由 Asahi Kasei Microdevices 设计的非接触式、无磁芯电流传感器。新芯片取代了当今许多电动汽车中部署的基于磁芯的电流传
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电流传感器 EV SiC 功率模块
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。这些器件配备其最新的[1]第3代SiC MOSFET技术，并采用紧凑型DFN8×8封装，适用于开关电源、光伏发电机功率调节器等工业设备。四款器件于今日开始支持批量出货。四款新器件是首批采用小型表贴DFN8×8封装的第3代SiC MOSFET的器件，与TO-247和TO-247-4L(X)等通孔型封装相比，其体
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东芝 DFN8×8 650V SiC MOSFET
碳化硅(sic)mosfet介绍
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