为了满足AI服务器和电信领域的安全热插拔操作要求，MOSFET必须具有稳健的线性工作模式和较低的 RDS(on) 。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出的新型OptiMOS™ 5 Linear FET 2解决了这一难题，这款MOSFET专为实现沟槽 MOSFET的RDS(on)与经典平面 MOSFET 的宽安全工作区（SOA）之间的理想平衡而设计。该半导体器件通过限制高浪涌电流防止对负载造成损害，并因其低RDS(on
关键字：
英飞凌 OptiMOS MOSFET 热插拔
做了一个3KW碳化硅电源！(全称：碳化硅3KW图腾柱PFC)它能起到什么作用？具体参数是（第1章）？怎么设计出来的（第2章）？实测情况（第3章）？原理是（第4章）？开源网址入口（第5章）？下文一一为你解答！1.基础参数双主控设计：CW32+IVCC1102输入：AC 110V~270V 20Amax输出：DC 350V-430V 20Amax功率：3000W设计功率：3500W效率：98.5%能用在哪些地方？① 可以作为3KW LLC电源或者全桥可调电源的前级PFC环节；②
关键字：
碳化硅 3KW 电源 电路设计
随着汽车产业加速朝向智慧化以及互联系统的发展，强茂推出最新车规级60 V N通道MOSFETs系列，采用屏蔽栅槽沟技术(SGT)来支持汽车电力装置。此系列产品具备卓越的性能指标(FOM)、超低导通电阻(RDS(ON))以及最小化的电容，能有效提升汽车电子系统的性能与能源效率，降低导通与切换的损耗，提供更卓越的电气性能。强茂的60 V N通道SGT-MOSFETs提供多种紧密且高效的封装选择，包括DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、TO-252AA以及TO-220AB-L，为
关键字：
强茂 SGT MOSFET 车用电子
离子注入是SiC器件制造的重要工艺之一。通过离子注入，可以实现对n型区域和p型区域导电性控制。本文简要介绍离子注入工艺及其注意事项。SiC的杂质原子扩散系数非常小，因此无法利用热扩散工艺制造施主和受主等掺杂原子的器件结构（形成pn结）。因此，SiC器件的制造采用了基于离子注入工艺的掺杂技术：在SiC中进行离子注入时，对于n型区域通常使用氮（N）或磷（P），这是容易低电阻化的施主元素，而对于p型区域则通常使用铝（Al）作为受主元素。另外，用于Al离子注入的原料通常是固体，要稳定地进行高浓度的Al离子注入，需
关键字：
三菱电机 SiC
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用PowerPAK® SO-8S（QFN 6x5）封装的全新150 V TrenchFET® Gen V N沟道功率MOSFET---SiRS5700DP，旨在提高通信、工业和计算应用领域的效率和功率密度。与上一代采用PowerPAK SO-8封装的器件相比，Vishay Siliconix SiRS5700DP的总导通电阻降低了68.3 %，导通电阻和栅极电荷乘积（功率转换应用中MOSFET的关键品质因数（FOM）降低了1
关键字：
Vishay MOSFET
为适应公司战略发展需要，经深圳市市场监督管理局核准，深圳基本半导体有限公司于2024年11月15日成功完成股份改制及工商变更登记手续，公司名称正式变更为“深圳基本半导体股份有限公司”。此次股份改制是基本半导体发展的重要里程碑，标志着公司治理结构、经营机制和组织形式得到全方位重塑，将迈入全新的发展阶段。从即日起，公司所有业务经营活动将统一采用新名称“深圳基本半导体股份有限公司”。公司注册地址变更至青铜剑科技集团总部大楼，详细地址为：深圳市坪山区龙田街道老坑社区光科一路6号青铜剑科技大厦1栋801。股改完成后
关键字：
基本半导体 铜烧结 碳化硅 功率芯片
SiC 功率器件市场规模逐年扩大，并将保持高速增长。
关键字：
SiC 功率器件
意法半导体的STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率开关栅极驱动器集成了意法半导体最新的稳健的电隔离技术、优化的去饱和保护功能和灵活的米勒钳位架构。STGAP3S 在栅极驱动通道与低压控制和接口电路之间采用增强型电容隔离，瞬态隔离电压 (VIOTM)耐压9.6kV，共模瞬态抗扰度 (CMTI)达到 200V/ns。通过采用这种的先进的电隔离技术，STGAP3S提高了空调、工厂自动化、家电等工业电机驱动装置的可靠性。新驱动器还适合电源和能源应用，包括充电站、储能系统、功率因数校正 (PFC)、
关键字：
意法半导体 电隔离栅极驱动器 IGBT SiC MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，最新开发出一款用于车载牵引逆变器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其创新的结构可实现低导通电阻和高可靠性。X5M007E120现已开始提供测试样品，供客户评估。当典型SiC MOSFET的体二极管在反向传导操作[3]期间双极通电时，其可靠性会因导通电阻增加而降低。东芝SiC MOSFET通过在MOSFET中嵌入SBD（肖特基势垒二极管）以弱化体二极管工作的器件结构来缓解上述问题，但如若将SBD布置在芯片上
关键字：
东芝 低导通电阻 牵引逆变器 SiC MOSFET 驱动逆变器
Littelfuse公司是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极管，这是市场上首款非对称瞬态抑制解决方案，专为保护碳化硅（SiC）MOSFET栅极免受过压事件影响而设计。与传统的硅MOSFET和IGBT相比，SiC MOSFET的开关速度更快、效率更高，因此越来越受到欢迎，对稳健栅极保护的需求也越来越大。SMFA非对称系列提供了一种创新的单元件解决方案，在简化设计的同时显著提高了电路的可靠性。SMFA非对称系列是市场
关键字：
SiC MOSFET栅极保护 非对称瞬态抑制二极管 Littelfuse
碳化硅（SiC）6吋基板新产能大量开出，严重供过于求，报价几乎季季跳水，2024年年中每片低于500美元（约中国大陆制造成本价），第四季价格已有喊到450、400美元（9月400～600美元），甚至更低。产业人士指出，价格崩盘已让绝大多数业者陷入赔钱销售，而买家不敢轻易出手捡便宜，因为买方预期SiC价格还会再下降。而明日之星的8吋SiC基板，虽未到真正量产，但2024年报价已快速下滑，尤其是中国大陆价格直落，彷佛坐上溜滑梯，下修速度甚快。业者分析，8吋SiC基板并没有标准价格，供应链端仍属于试产阶段，供给
关键字：
碳化硅 基板
据“融中心”消息，大连市中韩经济文化交流协会、韩中文化协会及安徽钜芯半导体科技有限公司（以下简称：钜芯半导体）在安徽省池州市举行了一场签约仪式。此次签约标志着三方在碳化硅领域的合作正式开始。据悉，三方本次合作的核心内容围绕碳化硅衬底、碳化硅外延片及汽车空调关键零部件的生产展开，将共同打造高质量的碳化硅产品生产线。据了解，今年以来，部分韩国半导体厂商正在持续发力碳化硅产业，并不断取得新进展。据韩媒ETnews报道，今年3月26日，半导体设计公司Power Cube
Semi宣布，已在韩国首次成功开发出2
关键字：
碳化硅 钜芯半导体
全球 14 家 8 英寸 SiC 晶圆厂布局。
关键字：
SiC
国际能源署（IEA）今年发布的报告称，2023年全球与能源相关的二氧化碳排放量达到374亿吨，较2022年增加4.1亿吨，再创新的记录。其中，交通运输排放增长最为显著，激增近2.4亿吨，位居第一。轨道交通的温室气体排放约为航空出行的五分之一，对于由可再生能源发电驱动的电气化列车，这一比率则更低。因此，扩建轨道交通基础设施及电气化改造是减少CO2排放和实现气候目标的关键。与电动汽车不同的是，电力机车已被广泛使用了一百多年。然而，全球范围内的轨道交通电气化转型仍然方兴未艾，不同国家和地区的轨道交通电气化率存在
关键字：
碳化硅 功率模块 轨道交通
碳化硅(sic)mosfet介绍
您好，目前还没有人创建词条碳化硅(sic)mosfet!
欢迎您创建该词条，阐述对碳化硅(sic)mosfet的理解，并与今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473