压缩机是汽车空调的一部分，它通过将制冷剂压缩成高温高压的气体，再流经冷凝器，节流阀和蒸发器换热，实现车内外的冷热交换。传统燃油车以发动机为动力，通过皮带带动压缩机转动。而新能源汽车脱离了发动机，以电池为动力，通过逆变电路驱动无刷直流电机，从而带动压缩机转动，实现空调的冷热交换功能。电动压缩机是电动汽车热管理的核心部件，除了可以提高车厢内的环境舒适度（制冷，制热）以外，对电驱动系统的温度控制发挥着重要作用，对电池的使用寿命、充电速度和续航里程都至关重要。图1.电动压缩机是电动汽车热管理的核心部件电动压缩机需
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压缩机 汽车空调 SiC
意法半导体（简称ST）推出第四代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET技术。第四代技术有望在能效、功率密度和稳健性三个方面成为新的市场标杆。在满足汽车和工业市场需求的同时，意法半导体还针对电动汽车电驱系统的关键部件逆变器特别优化了第四代技术。公司计划在2027年前推出更多先进的SiC技术创新成果，履行创新承诺。意法半导体模拟、功率与分立器件、MEMS和传感器产品部（APMS）总裁Marco Cassis表示：“意法半导体承诺为市场提供尖端的碳化硅技术，推动电动汽车和高能效工业的未来发展。我们将继续在器
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STPOWER SiC MOSFET 驱动逆变器
9月24日，Resonac（原昭和电工）在官网宣布，其与Soitec签署了一项合作协议，双方将共同开发用于功率半导体的8英寸碳化硅键合衬底。在这次共同开发中，Resonac将向Soitec提供碳化硅单晶，Soitec将使用这些单晶制造碳化硅键合衬底。键合技术加速碳化硅8英寸转型据悉，Soitec拥有一种独有的SmartSiC™技术，该技术通过处理高质量的碳化硅单晶衬底，将处理后的表面键合到多晶碳化硅晶圆作为支撑衬底，然后将单晶衬底分割成薄膜，从而从一个碳化硅单晶衬底生产出多个高质量的碳化硅晶圆，由此显著提
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8英寸 碳化硅 Resonac
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，最新推出第3代碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）产品线中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V产品，为其面向太阳能逆变器、电动汽车充电站和开关电源等工业设备降低功耗。东芝现已开始提供该系列的十款新产品，其中包括采用TO-247-2L封装的五款产品和采用TO-247封装的五款产品。最新TRSxxx120Hxx系列为1200 V产品，其采用东芝第3代650 V SiC SBD的改进型结势垒肖特基（JBS）结构[1]。在结势垒中使用新型金属，有
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东芝 SiC 肖特基势垒二极管 工业电源
随着MOSFET栅极长度的减小，热载流子诱发的退化已成为重要的可靠性问题之一。在热载流子效应中，载流子被通道电场加速并被困在氧化物中。这些被捕获的电荷会引起测量器件参数的时间相关位移，例如阈值电压 (VTH)、跨导 (GM)以及线性 (IDLIN) 和饱和 (IDSAT) 漏极电流。随着时间的推移，可能会发生实质性的器件参数退化，从而导致器件失效。用于测量HCI的仪器必须提供以下三个关键功能：自动提取设备参数创建具有各种应力时间的应力测量序列轻松导出测量数据进行高级分析本文说明描述了如何在Kei
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202410 泰克科技 MOSFET
美国和印度达成协议，将共同在印度建立一家半导体制造厂，助力印度总理莫迪加强该国制造业的雄心计划。据白宫消息人士称，拟建的工厂将生产红外、氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）半导体，这是美国总统拜登和莫迪在特拉华州会晤后发布的。消息人士称，该工厂的建立将得到印度半导体计划（ISM），以及Bharat Semi、3rdiTech和美国太空部队之间的战略技术伙伴关系的支持。印度在亚洲的战略地缘政治地位为该国及其在技术领域所能提供的机会提供了新的关注点。在过去十年中，莫迪曾多次表示，他将把印度定位为中国的替代品，并
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半导体 氮化镓 碳化硅
芝加哥，2024年9月19日--Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司荣幸地宣布推出IX4341和IX4342双5安培低压侧MOSFET栅极驱动器。这些栅极驱动器专为驱动MOSFET而设计，通过增加其余两个逻辑输入版本完善了现有的IX434x驱动器系列。IX434x系列现在包括双路同相、双路反相以及同相和反相输入版本，为客户提供了全面的选择。IX4341和IX4342驱动器具有16纳秒的短传播延迟时间和7纳秒的短暂
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littlefuseli MOSFET
与Si材料相比，SiC半导体材料在物理特性上优势明显，比如击穿电场强度高、耐高温、热传导性好等，使其适合于制造高耐压、低损耗功率器件。本篇章带你详细了解SiC材料的物理特性。SiC作为半导体功率器件材料，具有许多优异的特性。4H-SiC与Si、GaN的物理特性对比见表1。与Si相比，4H-SiC拥有10倍的击穿电场强度，可实现高耐压。与另一种宽禁带半导体GaN相比，物理特性相似，但在p型器件导通控制和热氧化工艺形成栅极氧化膜方面存在较大差异，4H-SiC在多用途功率MOS晶体管的制备方面具有优势。此外，由
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三菱电机 SiC
SiC晶体中存在各种缺陷，对SiC器件性能有直接的影响。研究清楚各类缺陷的构成和生长机制非常重要。本文带你了解SiC的晶体缺陷及其如何影响SiC器件特性。在SiC晶体中存在各种缺陷，其中一些会影响器件的特性。SiC缺陷的主要类型包括微管、晶界、多型夹杂物、碳夹杂物等大型缺陷、以及堆垛层错（SF）、以及刃位错（TED）、螺旋位错（TSD）、基面位错（BPD）和这些复合体的混合位错。就密度而言，最近质量相对较好的SiC晶体中，微管是1〜10个/cm²，位错的密度约为10³～10⁴长达个/cm²。至今，与Si相
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三菱电机 SiC
几十年来，电网一直是电力生产单位和消费者之间可靠的桥梁，只需轻轻一按开关，便能畅通无阻地将电力源源不断地输送到千家万户。然而，随着太阳能和风能等可再生能源发电需求的不断增长，现有电网唯有成功应对新的挑战（包括整合储能系统），才能确保在用电高峰期电力供应充足。 EPC Power 作为一家提供尖端功率转换解决方案的知名地面电站逆变器制造商，现已携手 Wolfspeed 开发解决方案，共同应对储能挑战。此次强强联合，双方利用碳化硅的强大性能，打造出业界首款地面电站组串式逆变器“M”，使并网储能系统比以往任何时
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EPC Power Wolfspeed 碳化硅 模块化 电网级储能
几十年来，电网一直是电力生产单位和消费者之间可靠的桥梁，只需轻轻一按开关，便能畅通无阻地将电力源源不断地输送到千家万户。然而，随着太阳能和风能等可再生能源发电需求的不断增长，现有电网唯有成功应对新的挑战（包括整合储能系统），才能确保在用电高峰期电力供应充足。EPC Power 作为一家提供尖端功率转换解决方案的知名地面电站逆变器制造商，现已携手 Wolfspeed 开发解决方案，共同应对储能挑战。此次强强联合，双方利用碳化硅的强大性能，打造出业界首款地面电站组串式逆变器“M”，使并网储能系统比以往任何时候
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EPC Power Wolfspeed 碳化硅 电网级储能方案
近日，我国在8英寸碳化硅领域多番突破，中国电科48所8英寸碳化硅外延设备再升级，三义激光首批碳化硅激光设备正式交付，天岳先进8英寸碳化硅衬底批量销售，上海汉虹成功制备8英寸碳化硅晶体。8英寸碳化硅时代已呼啸而来，未来将会有更多厂商带来新的产品和技术，我们拭目以待。关键突破！中国电科48所8英寸碳化硅外延设备再升级近日，中国电科48所自主研发的8英寸碳化硅外延设备关键技术再获突破。图片来源：中国电科据中国电科官方消息，碳化硅外延炉是第三代半导体碳化硅器件制造的核心装备之一。此次“全新升级”的8英寸碳化硅外延
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8英寸 碳化硅
高频率开关的MOSFET和IGBT栅极驱动器，可能会产生大量的耗散功率。因此，需要确认驱动器功率耗散和由此产生的结温，确保器件在可接受的温度范围内工作。高压栅极驱动集成电路（HVIC）是专为半桥开关应用设计的高边和低边栅极驱动集成电路，驱动高压、高速MOSFET 而设计。《高压栅极驱动器的功率耗散和散热分析》白皮书从静态功率损耗分析、动态功率损耗分析、栅极驱动损耗分析等方面进行了全面介绍。图 1 显示了 HVIC 的典型内部框图。主要功能模块包括输入级、欠压锁定保护、电平转换器和输出驱动级。栅极驱动器损耗
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MOSFET IGBT 栅极驱动器 功率耗散
我们采用单全桥LLC拓扑结构，以获得高效率和合理的成本。它由U60和Q60、Q62、Q70、Q72等组成。NCV4390（U60）是一种电流模式高级LLC控制器。它是FAN7688的引脚到引脚兼容设备。如果您在网站上找不到该设备，可以参考FAN7688的说明。有关该零件的更多详细信息，请参阅数据表和应用说明。由于输出电压高（250−450
Vdc），同步整流器对整流器的帮助不大传导损失。因此，我们省略了NCV4390的SR功能。NCV57000是一款具有内部电隔离功能的大电流单通道IGBT驱动器。
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车载电动汽车充电器 NVHL060N090SC1 SiC
9 月 3 日消息，“南京发布”官方公众号于 9 月 1 日发布博文，报道称国家第三代半导体技术创新中心（南京）历时 4 年自主研发，成功攻关沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造关键技术，打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”，实现我国在该领域的首次突破。项目背景碳化硅是第三代半导体材料的主要代表之一，具有宽禁带、高临界击穿电场、高电子饱和迁移速率和高导热率等优良特性。碳化硅 MOS 主要有平面结构和沟槽结构两种结构，目前业内应用主要以平面型碳化硅 MOSFET 芯片为主。平面碳化硅 MOS
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碳化硅 mosfet 第三代半导体 宽禁带
碳化硅(sic)mosfet介绍
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