- 据南京发布近日消息，国家第三代半导体技术创新中心（南京）历时4年自主研发，成功攻关沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造关键技术，打破平面型碳化硅MOSFET芯片性能“天花板”。据悉这是我国在这一领域的首次突破。公开资料显示，碳化硅是第三代半导体材料的主要代表之一，具有宽禁带、高临界击穿电场、高电子饱和迁移速率和高导热率等优良特性。碳化硅MOS主要有平面结构和沟槽结构两种结构。目前业内应用主要以平面型碳化硅MOSFET芯片为主。平面碳化硅MOS结构的特点是工艺简单，元胞一致性较好、雪崩能量比较高；缺点是当电流被
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碳化硅 沟槽型碳化硅 MOSFET
- 8月29日上午，备受瞩目的2024年武汉铁人三项亚洲杯赛、2024年武汉全国铁人三项冠军杯系列赛暨U系列冠军杯赛、2024年中国·武汉铁人三项公开赛新闻发布会成功召开。发布会上，赛事组委会发布了赛事宣传片、赛事分组、竞赛距离、竞赛日程、公开赛标志、赛事奖牌等相关内容。武汉市体育局党组成员、副局长洪旭艳，江夏区人民政府党组成员、副区长梁爽出席此次发布会；武汉市社会体育指导中心副主任邱海防代表武汉市体育局发布赛事信息；江夏区文化和旅游局（体育局）局长缪璐进行江夏区文旅推介，向社会各界发出“跟着赛事游江夏”的邀
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- 梗概随着全球低碳化的进程，可再生能源发电占比及渗透率越来越高，此种背景下，储能系统的引入有效抑制了新能源发电的波动性，PCS作为储能系统的核心装置应用广泛。在工商业应用里，存在单相负载与三相不平衡负载，为了满足单相供电需求以及对三相不平衡电压的抑制，三相四线变流器拓扑是非常必要的，常见的拓扑形式有以下几种：a)三桥臂分裂电容式拓扑b) 平衡桥臂拓扑图一分裂电容式拓扑，由于N线电流流过母线电容，电容容量需求增大，且直流电压利用率较低，谐波畸变较大，抑制三相不平衡能力相对有限，平衡桥臂式拓扑通过硬件电路增强中
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- 正如业界预期的那样，目前碳化硅正迈入高速增长阶段。观察市场情况，碳化硅产业热闹不断：英飞凌、意法半导体、天岳先进、三安光电、罗姆等大厂加速扩充碳化硅产能；英国Alan
Anderson公司和印度大陆器件公司CDIL签署合作协议，安森美与Entegris已开展合作，PVA TePle已与Scientific
Visual建立合作伙伴关系；印度首家半导体芯片制造商Polymatech
Electronics收购美国碳化硅相关公司Nisene；长飞先进与怀柔实验室签署碳化硅功率器件成果合作转化意向协
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碳化硅
- 8月13日，新洁能发布公告称，拟将此前募投项目中的“第三代半导体 SiC/GaN
功率器件及封测的研发及产业化”项目达到预定可使用状态日期延期至2025年8月。此次延期是受宏观环境等不可控因素的影响，项目的工程建设、设备采购及人员安排等相关工作进度均受到一定程度的影响，无法在计划时间内完成。据悉，此次延期项目属新洁能二厂区扩建项目，项目总投资约2.23亿元，2022年开建，原计划2024年建设完成。项目建成后，将实现年产 SiC/GaN 功率器件2640万只。新洁能称，本次募投项目延期仅涉及项目进度的
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新洁能 SiC GaN 功率器件 封测
- 近日消息，全球最大8英寸碳化硅晶圆厂启动。功率半导体大厂英飞凌于8月8日宣布，已正式启动位于马来西亚新晶圆厂的第一阶段，该晶圆厂将成为全球最大、最具竞争力的200毫米（8英寸）碳化硅(SiC)功率半导体晶圆厂，预计2025年开始量产。碳化硅尺寸越大，单位芯片成本越低，故6英寸向8英寸转型升级是技术发展的必然趋势。业界人士称，预计从2026年至2027年开始，现在的6英寸碳化硅产品都将被8英寸产品替代。当前来看，第三代半导体碳化硅加速迈进8英寸时代，并引得“天下群雄”踊跃进军。据全球半导体观察不完全统计，英
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碳化硅
- 据外媒报道，8月5日，印度首家半导体芯片制造商Polymatech Electronics宣布已正式收购美国公司Nisene
Technology Group Inc。此次收购由Polymatech位于新加坡的全资子公司Artificial Electronics
Intelligent Materials Pte Ltd.执行。Nisene即将上任的首席执行官Ryan
Young表示，此次收购补充了Polymatech的尖端产品组合，并推动了新产品的开发。资料显示，Nisene自20世纪70
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- ● 马来西亚总理、吉打州州务大臣与英飞凌管理层共同出席了新晶圆厂一期项目的生产运营启动仪式。● 新晶圆厂将进一步巩固和增强英飞凌在全球功率半导体市场的领导地位。● 强有力的客户支持与承诺以及重要的设计订单为持续扩建提供了支撑。● 居林晶圆厂100%使用绿电并在运营实践中采取先进的节能和可持续举措。马来西亚总理拿督斯里安瓦尔·易卜拉欣、吉打州州务大臣拿督斯里莫哈末·沙努西与英飞凌科技首席执行官Jochen Han
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英飞凌 碳化硅 晶圆厂
- IT之家 8 月 8 日消息，英飞凌今日宣布，其位于马来西亚的居林第三厂区（Kulim 3）一期正式启用。该阶段聚焦碳化硅（SiC）功率半导体的生产，也将关注氮化镓（GaN）外围晶圆。▲ 英飞凌居林第三厂区英飞凌在 2022 年宣布了 Kulim 3 的一期建设计划，投资额达 20 亿美元（IT之家备注：当前约 143.43 亿元人民币），可创造 900 个高价值工作岗位。英飞凌此后又在 2023 年 8 月宣布了价值 50 亿美元（当前约 358.57 亿元人民币）的 Kulim 3 二期计划
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- Nexperia近日宣布，公司正在持续扩充其NextPower 80 V和100 V MOSFET产品组合，并推出了几款采用行业标准5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。这些新型NextPower 80/100 V MOSFET针对低RDS(on)和低Qrr进行了优化，可在服务器、电源、快速充电器和USB-PD等各种应用以及各种电信、电机控制和其他工业设备中提供高效率和低尖峰。设计人员可以从80 V和100 V器件中进行选择，RDS(on)选型从1.8 mΩ到15 mΩ不等。许多MOSFET
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Nexperia NextPower MOSFET
- ~符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101，有助于车载应用的高效运行和小型化~全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出具有低导通电阻*1优势的车载Nch MOSFET*2“RF9x120BKFRA”、“RQ3xxx0BxFRA”和“RD3x0xxBKHRB”。新产品非常适用于汽车门锁和座椅调节装置等所用的各种电机以及LED前照灯等应用。目前，3种封装10种型号的新产品已经开始销售，未来会继续扩大产品阵容。在汽车领域，随着安全性和便捷性的提高，电子产品逐渐增加，使得所安装的电子元器件数量也
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- 半导体三极管中参与导电的有两种极性的载流子，所以也称为双极型三极管。本文将介绍另一种三极管，这种三极管只有一种载流子参与导电，所以也称为单极型三极管，因为这种管子是利用电场效应控制电流的，所以也叫场效应三极管（FET），简称场效应管。场效应管可以分成两大类，一类是结型场效应管（JFET），另一类是绝缘栅场效应管（MOSFET）。在如果你在某宝里搜索“场效应管”你会发现，搜索出来的基本上是绝缘栅场效应管。即使搜索“结型场效应管”，出来的也只有几种，你是不是怀疑结型场效应管已经被人类抛弃了的感觉，没错，JFE
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三极管 MOSFET JFET
- 随着社会经济发展、能源结构变革，近几年全球对家用储能系统的需求量一直保持相当程度的增长。2023年，全球家用储能系统市场销售额达到了87.4亿美元，预计2029年将达到498.6亿美元，年复合增长率（CAGR）为33.68%（2023-2029）；便携储能市场经过了一轮爆发式增长的狂欢后，现在也迎来了稳定增长期，从未来看，预计在2027年便携储能市场将达到900亿元；AI
Server市场规模持续增长，带来了数字化、智能化服务器所需的高功率服务器电源的需求，现在单机3KW的Power也成为了标配。对于
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Infineon XMC1400 CoolSiC Mosfet 高功率密度 双向图腾柱 PFC 数字电源
- 毋庸置疑，从社会发展的角度，我们必须转向采用可持续的替代方案。日益加剧的气候异常和极地冰盖的不断缩小，清楚地证明了气候变化影响的日益加剧。但有一个不幸的事实是，摆脱化石燃料正被证明极其困难，向绿色技术的转变也带来了一系列技术挑战。无论是生产要跟上快速扩张的市场步伐，还是新解决方案努力达到现有系统产出水平，如果我们要让化石燃料成为过去，这些难题都必须被克服。对于电动汽车（EV）和太阳能电池板等应用，工程师面临着更多的挑战，因为敏感的电子元件必须在恶劣的环境中持续可靠地运行。为了进一步推动这些可持续解决方案，
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安森美 碳化硅
- 全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）将于8月28日～30日参加在深圳国际会展中心（宝安新馆）举办的2024深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会（以下简称PCIM Asia）（展位号：11号馆D14）。届时，将聚焦碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽禁带半导体，展示其面向工业设备和汽车领域的丰富产品阵容及解决方案。同时，罗姆工程师还将在现场举办的“宽禁带半导体器件— 氮化镓及碳化硅论坛”以及“电动汽车论坛”等同期论坛上发表演讲，分享罗姆最新的功率电子技术成果。展位效果图罗姆拥有世界先进的碳化硅
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碳化硅(sic)mosfet介绍
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