JFET 与 MOSFET的区别JFET 和 MOSTFET 之间的主要区别在于，通过 JFET 的电流通过反向偏置 PN 结上的电场引导，而在 MOSFET 中，导电性是由于嵌入在半导体上的金属氧化物绝缘体中的横向电场。JFET 与 MOSFET的区别两者之间的下一个关键区别是，JFET 允许的输入阻抗比 MOSFET 小，因为后者嵌入了绝缘体，因此漏电流更少。JFET 通常被称为“ON 器件”是一种耗尽型工具，具有低漏极电阻，而 MOSFET 通常被称为“OFF 器件”，
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结型场效应管 jfet MOSFET 电路设计
潮流就是即便你放弃了我，也不妨碍我越来越火。距离特斯拉宣布放弃碳化硅已经过去了一年，这个市场非但没有被抛弃，反而以 GaN、SiC 为代表的第三代半导体发展备受关注：Yole 数据显示，2026 年 GaN 市场规模预计可达 6.72 亿美元。SiC 碳化硅 2027 年全球 SiC 功率半导体市场规模有望突破 60 亿美元。预测是人算不如天算，第三代半导体优势已经被讲的翻来覆去了，市场的反馈是最真实和残酷的—很火但不是主流。碳化硅与新能源车能不能齐飞？新能源是第三代半导体应用的重要驱动力。新能源车的最大
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GaN SiC
7月22日，苏州悉智科技有限公司（以下简称“悉智科技”）宣布，其首批车规级功率模块量产产品正式下线投产。悉智科技表示，此次下线的首批量产模块，是悉智科技自研的高端电驱SiC塑封功率模块产品。在SiC DCM塑封功率模块的定制化开发上，悉智科技取得了显著进展，目前该产品已获取到客户的量产订单，并会在今年四季度实现大规模量产。资料显示，悉智科技自2022年1月1日正式运营以来，始终专注于车规级功率与电源模块的研发与生产，致力于为智能电动汽车、光储新能源等客户提供深度定制化的解决方案。目前，该公司已在苏州建成具
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悉智科技 DCM封装 8并 SiC
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碳化硅
专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开售英飞凌公司的CoolSiC™ G2 MOSFET。CoolSiC™ G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅 (SiC) MOSFET沟槽技术，开启了电力系统和能量转换的新篇章，适用于光伏逆变器、能量储存系统、电动汽车充电、电源和电机驱动应用。贸泽供货的英飞凌CoolSiC™ G2 MOSFET可在所有常见电源方案组合（AC-DC、DC-DC和DC-A
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贸泽 英飞凌 CoolSiC G2 MOSFET
图1 半导体对许多新兴绿色科技至关重要毋庸置疑，从社会发展的角度，我们必须转向采用可持续的替代方案。日益加剧的气候异常和极地冰盖的不断缩小，清楚地证明了气候变化影响的日益加剧。但有一个不幸的事实是，摆脱化石燃料正被证明极其困难，向绿色技术的转变也带来了一系列技术挑战。无论是生产要跟上快速扩张的市场步伐，还是新解决方案努力达到现有系统产出水平，如果我们要让化石燃料成为过去，这些难题都必须被克服。对于电动汽车（EV）和太阳能电池板等应用，工程师面临着更多的挑战，因为敏感的电子元件必须在恶劣的环境中持续可靠地运
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电动汽车 光伏逆变器 SiC
新闻要点● 最新一代EliteSiC M3e MOSFET能将电气化应用的关断损耗降低多达 50%● 该平台采用经过实际验证的平面架构，以独特方式降低了导通损耗和开关损耗● 与安森美(onsemi) 智能电源产品组合搭配使用时，EliteSiC M3e 可以提供更优化的系统方案并缩短产品上市时间● 安森美宣布计划在 2030 年前加速推出多款新一代碳化硅产品 面对不断升级
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安森美 碳化硅 电气化转型
当地时间7月17日，美国商务部宣布与全球第三大半导体晶圆供应商环球晶圆（GlobalWafers）签署了不具约束力的初步备忘录（PMT）。环球晶圆承诺在美国投资约40亿美元（约合人民币290亿元）建设两座12英寸晶圆制造工厂。美国政府将向环球晶圆提供至多4亿美元（约合人民币29亿元）的《芯片法案》直接补助，以加强半导体元件供应链。据悉，环球晶圆将在德克萨斯州谢尔曼建立第一家用于先进芯片的300mm硅晶圆制造厂，在密苏里州圣彼得斯建立生产300mm绝缘体上硅（“SOI”）晶圆的新工厂。环球晶圆董事长徐秀兰表
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环球晶圆 晶圆厂 碳化硅
OptiMOS™ 7 40V 车规MOSFET概况采用OptiMOS™ 7 技术的40V车规MOSFET产品系列，进一步提升比导通电阻，减小RDSON*A，即在同样的晶圆面积下实现更低的RDSON，或者说在更小的晶圆面积下实现相同的RDSON。如下图所示，英飞凌40V MOSFET不同代际产品在比导通电阻的演进。英飞凌40V MOSFET比导通电阻代际演进英飞凌OptiMOS™
7
技术是英飞凌开发的第五代沟槽技术，是当今领先的双多晶硅沟槽技术。无引脚封装结合铜夹技术的使用，大幅提高了产品的电流能
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OptiMOS MOSFET 英飞凌
引言：随着新能源汽车产业的蓬勃发展，功率密度的不断提升与服役条件的日趋苛刻给车载功率模块封装技术带来了更严峻的挑战。碳化硅凭借其优异的材料特性，成为了下一代车载功率芯片的理想选择。同时，高温、高压、高频、大电流的工作环境对碳化硅模块内部封装材料的互连可靠性提出了更高要求，开发与碳化硅功率芯片匹配的新型互连材料和工艺亟需同步推进。传统互连材料的局限传统的高温锡基焊料和银烧结技术已在功率模块行业中活跃多年，但它们各自存在一定短板。例如，锡基焊料耐高温性能不足，热导率、电导率偏低，在高温下存在蠕变失效的风险，在
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基本半导体 铜烧结 碳化硅 功率模块
作为第三代半导体材料的典型代表，碳化硅（SiC）与硅（Si）相比，拥有更加优异的物理和化学特性，使得 SiC 器件能降低能耗 20% 以上，减少体积和重量 30%~50%，可满足中低压、高压、超高压功率器件制备要求。SiC 器件可广泛应用于电动汽车、轨道交通、智能电网、通信雷达和航空航天等领域。SiC 主要用于功率器件制造，与传统硅功率器件制造工艺不同，SiC 器件不能直接在 SiC 单晶材料上制造，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，在外延层上制造器件。在 SiC 产业链上，关键部分主要集中
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碳化硅
碳化硅场效应晶体管(SiC FET)接近于理想的开关，具有低损耗、宽带隙技术和易于集成设计等优势。Qorvo的SiC FET技术如今以高效模块化产品的形式呈现;本文探讨了这种产品形态如何使SiC FET成为太阳能逆变器应用的理想之选。
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202407 太阳能 PV SiC FET 宽带隙 碳化硅 光伏
在本文中，我们使用90nm CMOS的SPICE模型来绘制NMOS晶体管的关键电学关系。在前一篇文章中，我解释了如何获得集成电路MOSFET的高级SPICE模型，并将其纳入LTspice仿真中。然后，我们使用这个模型来研究NMOS晶体管的阈值电压。在本文中，我们将使用相同的模型来生成直观地传达晶体管电气行为的图。绘制漏极电流与漏极电压我们将从生成漏极电流（ID）与漏极-源极电压（VDS）的基本图开始。为此，我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值，然后执行直流扫描模拟，其中VDD的值逐渐增加。图1显示了
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LTspice MOSFET NMOS
据日经中文网报道，日本中央硝子（Central Glass）开发出了用于功率半导体材料“碳化硅（SiC）”衬底的新制造技术。据介绍，中央硝子开发出了利用含有硅和碳的溶液（液相法）来制造SiC衬底的技术。与使用高温下升华的SiC使单晶生长（升华法）的传统技术相比，液相法在增大衬底尺寸以及提高品质方面更具优势。该技术可使衬底的制造成本降低10%以上，良率也会大幅度提升。由于利用液相法制备SiC衬底较为复杂，此前该技术一直未应用在实际生产中。中央硝子运用基于计算机的计算化学，通过推算溶液的动态等，成功量产出了6
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碳化硅 衬底
6月28日，据韩媒报道，意法半导体（ST）将从明年第三季度开始将其碳化硅（SiC）功率半导体生产工艺从6英寸升级为8英寸。该计划旨在提高产量和生产率，以具有竞争力的价格向市场供应SiC功率半导体。意法半导体功率分立与模拟产品部副总裁Francesco Muggeri近日接受记者采访时表示：“目前，生产SiC功率半导体的主流尺寸为6英寸，但我们计划从明年第三季度开始逐步转向8英寸。”随着晶圆尺寸的增加，每片可以生产更多的芯片，每颗芯片的生产成本降低。SiC晶圆正在从6英寸逐步转变到8英寸。意法半导体计划明年
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碳化硅 意法半导体
碳化硅(sic)mosfet介绍
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