美印宣布将在印度建立半导体工厂，生产氮化镓、碳化硅等芯片

美国和印度达成协议，将共同在印度建立一家半导体制造厂，助力印度总理莫迪加强该国制造业的雄心计划。

据白宫消息人士称，拟建的工厂将生产红外、氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）半导体，这是美国总统拜登和莫迪在特拉华州会晤后发布的。消息人士称，该工厂的建立将得到印度半导体计划（ISM），以及Bharat Semi、3rdiTech和美国太空部队之间的战略技术伙伴关系的支持。

印度在亚洲的战略地缘政治地位为该国及其在技术领域所能提供的机会提供了新的关注点。在过去十年中，莫迪曾多次表示，他将把印度定位为中国的替代品，并且已经开始吸引苹果和三星转移部分制造业。

9月初，印度科技部长Ashwini Vaishnaw表示，该国正试图发展整个芯片价值链。印度的目标是在本世纪末将其电子行业规模扩大到5000亿美元。

莫迪正在美国参加美日印澳“四方峰会”，在为期三天的访问中，他将与美国领导人举行双边会晤，还将会见印度侨民和美国科技行业高管。