安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列专注于提高开关性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定电阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，还针对工业电源系统中的高功率应用进行了优化。此前我们描述了M3S的一些关键特性以及与第一代相比的显著性能提升，本文则将重点介绍M3S产品的设计注意事项和使用技巧。寄生导通问题由于NTH4L022N120M3S的阈值电压具有 NTC，因此在最高结温TJ(MAX) = 175°C时具有最低值。即使数据表中的典型V
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SiC MOSFET RSP
800V车型刷屏，高压SiC车载应用加速普及。实际上，近期有越来越多的国内外车企开始加速800V电压架构车型的量产，多款20-25万元价格段的标配SiC车型上市。2024年，随着车企卷价格卷性能战略推进，将进一步拉动SiC渗透。SiC迎来800V高压平台风口◆ 800V架构成为电动汽车主流电动化进程持续推进，安森美（onsemi）电源方案事业部汽车主驱方案部门产品总监Jonathan
Liao指出预计到2030年将有1.5亿辆新能源汽车驶上道路。但从消费者角度看购买电动车的两大顾虑是续航里程和充电便利性
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SiC 逆变器 功率模块
在技术进步和低碳化日益受到重视的推动下，电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用PCB主板和子卡，同时兼顾系统的散热要求和空间限制。目前，英飞凌正在通过采用 Thin-TOLL 8x8 和 TOLT 封装的两个全新产品系列，扩展其 CoolSiC™ MOSFET分立式半导体器件 650 V产品组合。这两个产品系列基于Coo
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英飞凌 CoolSiC MOSFET
6月7日，苏州优晶半导体科技股份有限公司（以下简称“优晶科技”）宣布8英寸电阻法SiC单晶生长设备获行业专家认可，成功通过技术鉴定评审。鉴定委员会认为，优晶科技8英寸电阻法SiC晶体生长设备及工艺成果技术难度大，创新性强，突破了国内大尺寸晶体生长技术瓶颈，拥有自主知识产权，经济效益显著。资料显示，优晶科技成立于2010年12月，专注于大尺寸（6英寸及以上）导电型SiC晶体生长设备研发、生产及销售。该公司于2019年成功研制出6英寸电阻法SiC单晶生长设备，经持续工艺优化，目前已推出至第四代机型——UKIN
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优晶科技 8英寸 SiC 单晶生长设备
本文提出一个用尺寸紧凑、高成本效益的DC/AC逆变器分析碳化硅功率模块内并联裸片之间的热失衡问题的解决方案，该分析方法是采用红外热像仪直接测量每颗裸片在连续工作时的温度，分析两个电驱逆变模块验证，该测温系统的验证方法是，根据栅源电压阈值选择每个模块内的裸片。我们将从实验数据中提取一个数学模型，根据Vth选择标准，预测当逆变器工作在电动汽车常用的电压和功率范围内时的热不平衡现象。此外，我们还能够延长测试时间，以便分析在电动汽车生命周期典型电流负荷下的芯片行为。
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电驱逆变器 碳化硅 电动汽车 大功率
作为天岳先进三大SiC材料生产基地之一，与其位于山东济南和济宁的两大基地相比，其上海基地项目似乎更受关注。近日，天岳先进上海基地项目披露了最新进展，再次成为焦点。2024年5月，天岳先进位于上海临港重装备产业区的生产基地第一个项目完成验收，意味着该生产基地由此进入新的发展阶段。01天岳先进“疯狂”扩产据悉，天岳先进上海基地项目最初于2021年第二季度备案和申报，规划投资25亿元，项目全部达产后，SiC衬底的产能约为30万片/年。从投资规模和产能规划来看，上海基地项目有望让天岳先进的市场地位再进一步。近年来
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天岳先进 碳化硅
服务器电源主要用在数据中心场景中，主要应用于服务器、存储器等设备。它和PC电源一样，都是一种开关电源。服务器电源按照标准可以分为ATX电源和SSI电源两种。ATX标准是Intel在1997年推出的一个规范，使用较为普遍，输出功率一般在125瓦～350瓦之间主要用于台式机、工作站和低端服务器。SSI（Server System Infrastructure）规范是Intel联合一些主要的IA架构服务器生产商推出的新型服务器电源规范，SSI规范的推出是为了规范服务器电源技术，降低开发成本，延长服务器的使用寿命
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MOSFET 服务器电源
● ST将在意大利卡塔尼亚新建8英寸碳化硅功率器件和模块大规模制造及封测综合基地● 这项多年长期投资计划预计投资总额达50亿欧元，包括意大利政府按照《欧盟芯片法案》框架提供的20亿欧元资金● 卡塔尼亚碳化硅产业园将实现ST的碳化硅制造全面垂直整合计划，在一个园区内完成从芯片研发到制造、从晶圆衬底到模块的碳化硅功率器件全部生产，赋能汽车和工业客户的电气化进程和高能效转型服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体
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意法半导体 碳化硅
PANJIT 推出最新的60V、100V 和 150V 车规级 MOSFET，此系列通过先进的沟槽技术设计达到优异性能和效率。此系列 MOSFET 专为汽车和工业电力系统设计，提供优异的品质因数（FOM），显著降低 RDS(ON) 和电容。这确保了最低的导通和开关损耗，从而提升了整体性能。新系列 MOSFET 提供多种封装，包括DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、T
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PANJIT MOSFET
6月4日，NXP Semiconductors NV（恩智浦半导体）在官网披露，其与ZF Friedrichshafen AG（采埃孚）公司合作，为电动汽车（EV）开发基于碳化硅（SiC）的下一代牵引逆变器解决方案。通过利用恩智浦GD316x高压（HV）隔离栅极驱动器，该解决方案旨在加速800V平台和SiC功率器件的推广应用。据介绍，GD316x产品系列支持安全、高效和高性能的牵引逆变器，可延长电动汽车的续航里程、减少充电停车次数、同时降低OEM厂商的系统级成本。据了解，牵引逆变器是电动汽车电力传动系统的
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恩智浦 SiC 逆变器
● 意法半导体第三代SiC MOSFET助力吉利相关品牌纯电车型提高电驱能效● 双方成立创新联合实验室，共同推动节能智能化电动汽车发展服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)近日与全球汽车及新能源汽车龙头制造商吉利汽车集团(香港交易所代码: HK0175)宣布，双方签署碳化硅(SiC)器件长期供应协议，在原有合作基础上进一步加速碳化硅器件的合作。按照协议规定，意法半导体将为吉利汽车旗下多个品牌
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吉利汽车 ST SiC 意法半导体
6月4日，意法半导体（ST）与吉利汽车集团宣布，双方签署碳化硅（SiC）器件长期供应协议，在原有合作基础上进一步加速碳化硅器件的合作。按照协议规定，意法半导体将为吉利汽车旗下多个品牌的中高端纯电动汽车提供SiC功率器件，帮助吉利提高电动车性能，加快充电速度，延长续航里程，深化新能源汽车转型。此外，吉利和ST还在多个汽车应用领域的长期合作基础上，建立创新联合实验室，交流与探索在汽车电子/电气（E/E）架构（如车载信息娱乐、智能座舱系统）、高级驾驶辅助（ADAS）和新能源汽车等相关领域的创新解决方案。据数据显
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ST 吉利汽车 SiC
服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体（简称ST）与全球汽车及新能源汽车龙头制造商吉利汽车集团宣布，双方签署碳化硅（SiC）器件长期供应协议，在原有合作基础上进一步加速碳化硅器件的合作。按照协议规定，意法半导体将为吉利汽车旗下多个品牌的中高端纯电动汽车提供SiC功率器件，帮助吉利提高电动车性能，加快充电速度，延长续航里程，深化新能源汽车转型。此外，吉利和ST还在多个汽车应用领域的长期合作基础上，建立创新联合实验室，交流与探索在汽车电子/电气（E/E）架构（如车载信息娱乐、智能座舱系统）、
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SiC ADAS 新能源汽车
自意法半导体（STMicroelectronics）官方获悉，当地时间5月31日，意法半导体宣布，将在意大利卡塔尼亚新建一座大批量200mm碳化硅（SiC）工厂，用于功率器件和模块以及测试和封装。新碳化硅工厂的建设是支持汽车、工业和云基础设施应用中碳化硅器件客户向电气化过渡并寻求更高效率的关键里程碑。据悉，该项目预计总投资约为50亿欧元（约合人民币392.61亿元），意大利政府将提供约20亿欧元的补助支持。新工厂的目标是在2026年投入生产，到2033年达到满负荷生产，满产状态下每周可生产多达15,000
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ST 意大利 碳化硅
能源是人类生存和发展的重要物质基础，能源转型则是当今国际社会关注的焦点问题，随着全球对环境保护意识的增强和能源危机的担忧，新能源市场的需求正在快速增长。 当前全球汽车产业电动化正在深度推进，在新能源革命浪潮下，新能源汽车产业成为各国重点发力方向。随着新能源汽车技术的日趋成熟，充电基础设施快速发展。近年来，我国已建成世界上数量最多、服务范围最广、品种类型最全的充电基础设施体系。目前按照1公桩=3个私桩的测算，中国2023年增量市场的纯电动车的车桩比已经1：1，领先世界其它国家数倍
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充电桩 新能源汽车 SIC
碳化硅(sic)mosfet介绍
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