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强茂 文章 进入强茂技术社区

强茂SGT MOSFET第一代系列:创新槽沟技术车规级60 V N通道 突破车用电子的高效表现

  • 随着汽车产业加速朝向智慧化以及互联系统的发展,强茂推出最新车规级60 V N通道MOSFETs系列,采用屏蔽栅槽沟技术(SGT)来支持汽车电力装置。此系列产品具备卓越的性能指标(FOM)、超低导通电阻(RDS(ON))以及最小化的电容,能有效提升汽车电子系统的性能与能源效率,降低导通与切换的损耗,提供更卓越的电气性能。强茂的60 V N通道SGT-MOSFETs提供多种紧密且高效的封装选择,包括DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、TO-252AA以及TO-220AB-L,为
  • 关键字: 强茂  SGT  MOSFET  车用电子  

电源应用再创新:强茂全新电池充电器解决方案

  • 强茂的1.16 kW 电池充电器为综合性的解决方案,提供高效的电池充电,强调设计的精密性、成本效益和扩展性。此方案精选了强茂高品质、高效能的电子组件,包括零功耗X电容放电IC、PFC控制器、LLC SR谐振组合控制器、桥式整流器、通用二极体整流器、超级结面MOSFET和萧特基二极体。 强茂的电池充电器集成了多个在终端应用中常见的功能模块,例如无人机、两轮车、机器人、不断电系统(UPS)以及其他需要稳定电池充电解决方案的系统。此产品专为单级功率因数校正(PFC)而设计,使功率因数超过 0.98并采
  • 关键字: 电源应用  强茂  电池充电器  

强茂新一代ESD系列 为高速应用保驾护航 性能突破低耗损与低电容极限

  • 强茂推出最新一代的静电保护组件——第二代ESD保护二极管,结合了高效率和低漏电流的特点。经10 GHz频率测试,此系列产品的插入损耗数值为-0.25 dB至-0.38 dB之间。此外,第二代ESD保护二极管具有超低的结电容值 (Cj),范围从0.09 pF到1 pF,并拥有2.6 V到11.6 V的低静电钳位电压,能够有效降低静电放电对电子设备的损害与能量消耗。 为满足现代电子产品的小型化需求,此新系列产品采用多种封装形式,包括节省空间的DFN0603-2L、DFN1006-2L、DFN1006
  • 关键字: 强茂  ESD  高速应用  低耗损  低电容极限  

强茂推出全新GBJA及KBJB本体矮化型桥式整流器系列

  • 强茂推出最新桥式整流器封装系列:GBJA及KBJB本体矮化型封装。在电子组件不断演进的世界中,对于电源供应器设计的轻薄短小需求逐渐增加,我们的矮化型封装为桥式整流器在这方面提供了更多的选择。GBJA与GBJ相比可减少在PCB上的整体高度约34%,而KBJB与KBJ相比则可减少PCB整体高度约36%,显著高度减少使它们适用于空间被压缩的应用中,为体积较小或有高度限制的电源设计带来解决方案。 主要特点本体矮化设计:GBJA和KBJB封装只减少本体高度而不改变引脚间距及本体宽度。GBJA与GBJ相比,
  • 关键字: 强茂  GBJA  KBJB  本体矮化型  桥式整流器  
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强茂介绍

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