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激光剥离 文章 进入激光剥离技术社区

深圳平湖实验室在SiC衬底激光剥离技术领域取得重要进展

  • 据深圳平湖实验室官微消息,为降低材料损耗,深圳平湖实验室新技术研究部开发激光剥离工艺来替代传统的多线切割工艺,其工艺过程示意图如下所示:激光剥离工艺与多线切割工对照:有益效果:使用激光剥离工艺,得到6/8 inch SiC衬底500μm和350μm产品单片材料损耗≤120 μm,出片率提升40%,单片成本降低约22%。激光剥离技术在提高生产效率、降低成本方面具有显著效果,该工艺的推广,对于快速促进8 inch SiC衬底产业化进程有着重要意义。不仅为SiC衬底产业带来了轻资产、高效益的新模式,也为其他硬质
  • 关键字: 激光剥离  碳化硅  
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激光剥离介绍

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