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详谈碳化硅蚀刻工艺——干法蚀刻

• 碳化硅（SiC）作为一种高性能材料，在大功率器件、高温器件和发光二极管等领域有着广泛的应用。其中，基于等离子体的干法蚀刻在SiC的图案化及电子器件制造中起到了关键作用，现分述如下:干法蚀刻概述碳化硅反应离子蚀刻碳化硅反应离子蚀刻案例ICP的应用与优化1、干法蚀刻概述干法蚀刻的重要性精确控制线宽：当器件尺寸进入亚微米级（<1μm）时，等离子体蚀刻因其相对各向异性的特性，能够精确地控制线宽，成为SiC蚀刻的首选方法。化学稳定性挑战：SiC的化学稳定性极高（Si-C键合强度大），使得湿法蚀刻变得困难。湿法
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