据当地媒体《一财全球》和IT之家报道，据报道，美国碳化硅 （SiC） 巨头 Wolfspeed 在与快速崛起的中国竞争对手的激烈竞争中徘徊在破产边缘，中国最大的碳化硅晶圆厂已在武汉正式投产，旨在供应该国国内产量的 30%。YiCai 报告称，一个 SiC 晶圆模型的车载测试最快将于下个月开始，而另外近 10 个模型已经在验证中。不久之后将进行大规模生产和交付。IT Home 表示，该工厂的一期重点是功率器件，计划年产 360,000 片 6 英寸 SiC 晶圆。另一方面，益财国际补充说，这足以支持超过 1
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碳化硅 Wolfspeed
据日本媒体《日刊工业新闻》报道，据报道，总部位于美国的碳化硅晶圆生产商 Wolfspeed 正在申请第 11 章破产保护。报告指出，这一发展促使日本公司（包括与 Wolfspeed 签订了 10 年供应协议的瑞萨电子以及 Rohm）重新评估其战略计划。正如日刊工业新闻所说，瑞萨电子可能会受到影响，因为其与 Wolfspeed 于 2023 年签署了 20 亿美元的预付款 10 年碳化硅晶圆供应协议。报告指出，如果 Wolfspeed 根据美国破产法第 11 章申请破产保护，瑞萨电子可能
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Wolfspeed 破产 瑞萨电子 SiC
功率半导体研究实验室 Silicon Austria Labs （SAL） 完成了将电流传感器集成到电源模块中的概念验证，该模块旨在用于电动汽车牵引逆变器和 DC-DC 转换器。该实验室表示，这项技术可以提高效率，同时减小牵引逆变器和其他基于下一代碳化硅 （SiC） 功率器件的超大电流电力电子设备的尺寸和重量。新功率模块的核心是由 Asahi Kasei Microdevices 设计的非接触式、无磁芯电流传感器。新芯片取代了当今许多电动汽车中部署的基于磁芯的电流传
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电流传感器 EV SiC 功率模块
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。这些器件配备其最新的[1]第3代SiC MOSFET技术，并采用紧凑型DFN8×8封装，适用于开关电源、光伏发电机功率调节器等工业设备。四款器件于今日开始支持批量出货。四款新器件是首批采用小型表贴DFN8×8封装的第3代SiC MOSFET的器件，与TO-247和TO-247-4L(X)等通孔型封装相比，其体
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东芝 DFN8×8 650V SiC MOSFET
中国功率芯片开发商泰克天润（Global Power Technology） 在碳化硅 （SiC） 功率技术专利申请排名中面临东芝的挑战。法国分析机构 KnowMade 的最新数据显示，2025 年第一季度全球申请了 840 多个新专利族。本季度的专利申请活动以东芝在 SiC 功率器件专利领域的加速发展为标志，以匹配 Global Power Technology的专利数量。这家中国公司在过去四个季度一直是排名靠前的专利申请人，几乎完全专注于 SiC MOSFET 结构的设计。第一季度授予了 420 多个
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东芝 SiC 专利申请 泰科天润
在特朗普政府缩减美国《芯片法案》并提升汽车关税后，Wolfspeed（欧胜）的新任首席执行官需要面临更为严峻的现金危机。作为车用碳化硅行业的领导厂商，Wolfspeed近年来投入数十亿美元在美国建立SiC制造能力，可惜备受汽车经济低迷和关税前景的打击陷入持续亏损中，现在公司转向提供AI数据中心电源以促进增长，不过该公司正在寻求第11章法规的债权保护。“作为我们贷方谈判的一部分，我们可能会选择在法庭内或庭外寻求选择，”两周前接任首席执行官的罗伯特·费尔 （Robert Feurle） 说。据报道，资产管理公
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CHIPS Wolfspeed SiC
在新能源汽车技术的演进历程中，碳化硅（SiC）技术已成为推动行业发展的关键力量。作为第三代半导体的代表材料，SiC 凭借其卓越的性能优势，已深度融入新能源汽车的核心系统，开启了新能源汽车性能提升与技术创新的新篇章。从高端豪华车型到大众普及款，从纯电动到混合动力，SiC 技术的应用范围不断拓展，正以前所未有的速度实现批量上车，重塑新能源汽车的技术格局与市场竞争态势。碳化硅实现多价格区间车型覆盖SiC 技术已成为车企在新能源汽车赛道上差异化竞争的核心要素，如今已广泛覆盖 10 万至 150 万元价格区间的车型
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SiC
TrendForce最新研究，2024年汽车、工业需求走弱，SiC基板出货量成长放缓，与此同时，市场竞争加剧，产品价格大幅下跌，导致2024年全球N-type（导电型）SiC基板产业营收年减9%，为10.4亿美元。进入2025年，即便SiC基板市场持续面临需求疲软、供给过剩的双重压力，然而，长期成长趋势依旧不变，随着成本逐渐下降、半导体元件技术不断提升，未来SiC应用将更为广泛，特别是在工业领域的多样化。 同时，市场竞争激烈的环境下，加速企业整合，重新塑造产业发展格局。TrendForce分析各供应商营收
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SiC 衬底 TrendForce
全球先进的太阳能发电及储能系统技术的专业企业SMA Solar Technology AG（以下简称“SMA”）在其太阳能系统新产品“Sunny Central FLEX”中采用了内置罗姆新型2kV SiC MOSFETs的赛米控丹佛斯功率模块。“Sunny Central FLEX”是为大规模太阳能发电设施、储能系统以及下一代技术设计的模块化平台，旨在进一步提高电网的效率和稳定性。罗姆半导体欧洲总裁Wolfram Harnack表示：“罗姆新型2kV耐压SiC MOSFETs是为1,500V DC链路实
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罗姆 ROHM SiC MOSFET 功率模块 太阳能
Infineon Technologies 开发了用于固态保护和配电设计的新型碳化硅 JFET 系列。这是继 2012 年推出的 1200V 4mΩ SiC JFET 系列之后的又一产品。JFET 通过反向偏置 PN 结上的电场来控制电导率，而不是 MOSFET 中使用的绝缘层上的横向电场。G1“第一代”CoolSiC JFET 具有 1.5 mΩ （750 V BDss） 和 2.3 mΩ （1200 V BDss） 的超低 R DS（ON），可显著降低导通损耗。大体通道优化的 SiC JFET 在短路
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英飞凌 SiC JFET 固态配电
引言碳化硅（ SiC）MOSFET在电源和电力电子领域的应用越来越广泛。随着功率半导体领域的发展，开关损耗也在不断降低。随着开关速度的不断提高，设计人员应更加关注MOSFET的栅极驱动电路，确保对MOSFET的安全控制，防止寄生导通，避免损坏功率半导体。必须保护敏感的MOSFET栅极结构免受过高电压的影响。Littelfuse提供高效的保护解决方案，有助于最大限度地延长电源的使用寿命、可靠性和鲁棒性。 栅极驱动器设计措施关于SiC-MOSFET驱动器电路的稳健性，有几个问题值得考虑。除了驱动器安全切换半导
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碳化硅 MOSFET 电源 功率半导体
ROHM宣称其新型SiC模块已「达到业界顶级水平」，这使得安装面积显著减少。
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SiC 功率器件 ROHM
4月22日下午，格力电器召开2025年第一次临时股东大会，相比过往历次股东大会都被安排在格力地产总部办公楼，本次股东大会首次被安排在格力电器珠海碳化硅芯片工厂举行。据悉，该工厂自2024年投产以来，其碳化硅功率芯片在家用空调中的装机量已经突破100万台。SiC材料具有高耐压、高频率、高效率等优势，能够显著提升空调的能效。搭载SiC芯片后，空调的电能转换效率得到优化，制冷制热效果增强，实现能耗降低，同时可以提升产品性能、降低能耗，增强格力空调的市场竞争力。格力该工厂是全球第二座、亚洲首座全自动化6英寸碳化硅
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格力 家用空调 SiC
全社会都在积极推动低碳化转型，而低碳化的背后其实是电气化。在 新型电气能源架构 中，相比于从前，一次能源到终端用户的 能源转换次数增多 。虽然可再生能源是免费的，但是这种多层级的能源转换，每一步都会带来一定的能耗损失，因此 追求更高效的能源转化效率至关重要 。SiC正是功率半导体的 能效提升技术 ，它的出现满足了低碳化时代两大全新的市场需求：1能效创新： SiC技术在光伏、储能、数据中心等大功率电源管理领域，能够显著
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英飞凌 碳化硅 沟槽栅技
近日，清纯半导体和VBsemi（微碧半导体）分别推出了其第三代碳化硅（SiC）MOSFET产品平台，标志着功率半导体技术在快充效率、高功率密度应用等领域取得了重大突破。01清纯半导体推出第3代SiC MOSFET产品平台4月21日，清纯半导体官微宣布，推出第3代碳化硅（SiC）MOSFET技术平台，该平台首款主驱芯片（型号：S3M008120BK）的常温导通电阻低至8mΩ，比导通电阻系数Rsp达到2.1
mΩ·cm²，处于国际领先水平。source：清纯半导体（图为清纯半导体1、2、3代产品比电阻Rs
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清纯半导体 微碧半导体 第3代 SiC MOSFET
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