- ● 意法半导体与雷诺集团签署长期供货协议，保证安培碳化硅功率模块的供应安全● 合作开发逆变器电源控制系统和散热系统，进一步提高安培新一代电机的能效水平● 该协议符合安培与供应链上游企业合作，为其每一项电动汽车技术设计最佳解决方案的策略雷诺集团旗下纯智能电动汽车制造公司安培 (Ampere) 与服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体 (STMicroelectronics，简称ST)近日宣布了下一步战略合作行动，雷诺集
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雷诺 安培 意法半导体 碳化硅 电动汽车电源 电源控制系统
- 安森美（onsemi）宣布已与Qorvo达成协议，以1.15亿美元现金收购其碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET) 技术业务及其子公司United Silicon Carbide。该收购将补足安森美广泛的EliteSiC电源产品组合，使其能应对人工智能（AI）数据中心电源AC-DC段对高能效和高功率密度的需求，还将加速安森美在电动汽车断路器和固态断路器(SSCB) 等新兴市场的部署。SiC JFET的单位面积导通电阻超低，低于任何其他技术的一半。它们还支持使用硅基晶体管几十年来常用的现成驱动器。综合这
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安森美 碳化硅JFET SiC JFET 数据中心电源
- 据安森美官微消息，近日，安森美（onsemi）宣布已与Qorvo达成协议，以1.15亿美元现金收购其碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET) 技术业务及其子公司 United Silicon Carbide。该交易需满足惯例成交条件，预计将于2025年第一季度完成。据悉，该收购将补足安森美广泛的EliteSiC电源产品组合，使其能应对人工智能（AI）数据中心电源AC-DC段对高能效和高功率密度的需求，还将加速安森美在电动汽车断路器和固态断路器(SSCB)等新兴市场的部署。安森美电源方案事业群总裁兼总经理
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安森美 收购 Qorvo SiC JFET
- 从MOSFET 、二极管到功率模块，功率半导体产品是我们生活中无数电子设备的核心。从医疗设备和可再生能源基础设施，到个人电子产品和电动汽车(EV)，它们的性能和可靠性确保了各种设备的持续运行。第三代宽禁带（WBG）解决方案是半导体技术的前沿，如使用碳化硅（SiC）。与传统的硅（Si）晶体管相比，SiC的优异物理特性使基于SiC的系统能够在更小的外形尺寸内显著减少损耗并加快开关速度。由于SiC在市场上相对较新，一些工程师在尚未确定该技术可靠性水平之前，对从Si到SiC的转换犹豫不决。但是，等待本身也会带来风
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WBG SiC 半导体
- 随着清洁能源的快速增长，作为光伏系统心脏的太阳能逆变器俨然已经成为能源革命浪潮中的超级赛道。高效的光伏系统，离不开功率器件。全IGBT方案、混合SiC方案和全SiC方案以其在成本、性能、空间、可靠性等方面不同的优势，均在市场上有广泛应用。但随着SiC成本下降，全SiC方案被越来越多的厂家采用。未来10年，光伏逆变器市场狂飙目前，风能和太阳能的总发电量已经超过了水力发电。预计到2028年，清洁能源的比重将达到42%。中国市场增长势头强劲，已成为全球清洁能源增长的主要驱动力。光伏逆变器承载着将太阳能光伏组件产
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功率模块 SiC 逆变器
- 据采埃孚官微消息，采埃孚又一电驱动工厂—采埃孚电驱动系统（沈阳）有限公司近日开业。作为采埃孚在华的第3家电驱动工厂，沈阳工厂将生产和销售新能源汽车电驱动桥三合一总成等产品。据介绍，沈阳电驱动工厂的主打产品为新能源汽车的电驱动系统，涵盖前桥及后桥总成，包含电机、控制器及减速器。其中，控制器搭载了采埃孚High 2.0 SiC技术，围绕800伏平台持续升级，既可以提升安全等级又可以优化成本。截至目前，采埃孚在中国共有3家电驱动工厂。2022年9月，采埃孚电驱动技术（杭州）有限公司二期项目投产，主要生产800伏
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碳化硅 采埃孚 电驱动
- 栅极氧化层可靠性是SiC器件应用的一个关注点。本节介绍SiC栅极绝缘层加工工艺，重点介绍其与Si的不同之处。SiC可以通过与Si类似的热氧化过程，在晶圆表面形成优质的SiO2绝缘膜。这在制造SiC器件方面具有非常大的优势。在平面栅SiC MOSFET中，这种热氧化形成的SiO2通常被用作栅极绝缘膜，并已实现产品化。然而，SiC的热氧化与Si的热氧化存在一些差异，在将热氧化工艺应用于SiC器件时必须考虑到这一点。首先，与Si相比，SiC的热氧化速率低。因此，该过程需要很长时间，而且还需要高温。在SiC的热氧
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三菱电机 SiC 栅极绝缘层
- 做了一个3KW碳化硅电源！(全称：碳化硅3KW图腾柱PFC)它能起到什么作用？具体参数是（第1章）？怎么设计出来的（第2章）？实测情况（第3章）？原理是（第4章）？开源网址入口（第5章）？下文一一为你解答！1.基础参数双主控设计：CW32+IVCC1102输入：AC 110V~270V 20Amax输出：DC 350V-430V 20Amax功率：3000W设计功率：3500W效率：98.5%能用在哪些地方？① 可以作为3KW LLC电源或者全桥可调电源的前级PFC环节；②
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碳化硅 3KW 电源 电路设计
- 离子注入是SiC器件制造的重要工艺之一。通过离子注入，可以实现对n型区域和p型区域导电性控制。本文简要介绍离子注入工艺及其注意事项。SiC的杂质原子扩散系数非常小，因此无法利用热扩散工艺制造施主和受主等掺杂原子的器件结构（形成pn结）。因此，SiC器件的制造采用了基于离子注入工艺的掺杂技术：在SiC中进行离子注入时，对于n型区域通常使用氮（N）或磷（P），这是容易低电阻化的施主元素，而对于p型区域则通常使用铝（Al）作为受主元素。另外，用于Al离子注入的原料通常是固体，要稳定地进行高浓度的Al离子注入，需
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三菱电机 SiC
- 为适应公司战略发展需要，经深圳市市场监督管理局核准，深圳基本半导体有限公司于2024年11月15日成功完成股份改制及工商变更登记手续，公司名称正式变更为“深圳基本半导体股份有限公司”。此次股份改制是基本半导体发展的重要里程碑，标志着公司治理结构、经营机制和组织形式得到全方位重塑，将迈入全新的发展阶段。从即日起，公司所有业务经营活动将统一采用新名称“深圳基本半导体股份有限公司”。公司注册地址变更至青铜剑科技集团总部大楼，详细地址为：深圳市坪山区龙田街道老坑社区光科一路6号青铜剑科技大厦1栋801。股改完成后
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基本半导体 铜烧结 碳化硅 功率芯片
- SiC 功率器件市场规模逐年扩大，并将保持高速增长。
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SiC 功率器件
- 意法半导体的STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率开关栅极驱动器集成了意法半导体最新的稳健的电隔离技术、优化的去饱和保护功能和灵活的米勒钳位架构。STGAP3S 在栅极驱动通道与低压控制和接口电路之间采用增强型电容隔离，瞬态隔离电压 (VIOTM)耐压9.6kV，共模瞬态抗扰度 (CMTI)达到 200V/ns。通过采用这种的先进的电隔离技术，STGAP3S提高了空调、工厂自动化、家电等工业电机驱动装置的可靠性。新驱动器还适合电源和能源应用，包括充电站、储能系统、功率因数校正 (PFC)、
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意法半导体 电隔离栅极驱动器 IGBT SiC MOSFET
- 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，最新开发出一款用于车载牵引逆变器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其创新的结构可实现低导通电阻和高可靠性。X5M007E120现已开始提供测试样品，供客户评估。当典型SiC MOSFET的体二极管在反向传导操作[3]期间双极通电时，其可靠性会因导通电阻增加而降低。东芝SiC MOSFET通过在MOSFET中嵌入SBD（肖特基势垒二极管）以弱化体二极管工作的器件结构来缓解上述问题，但如若将SBD布置在芯片上
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东芝 低导通电阻 牵引逆变器 SiC MOSFET 驱动逆变器
- Littelfuse公司是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极管，这是市场上首款非对称瞬态抑制解决方案，专为保护碳化硅（SiC）MOSFET栅极免受过压事件影响而设计。与传统的硅MOSFET和IGBT相比，SiC MOSFET的开关速度更快、效率更高，因此越来越受到欢迎，对稳健栅极保护的需求也越来越大。SMFA非对称系列提供了一种创新的单元件解决方案，在简化设计的同时显著提高了电路的可靠性。SMFA非对称系列是市场
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SiC MOSFET栅极保护 非对称瞬态抑制二极管 Littelfuse
- 碳化硅（SiC）6吋基板新产能大量开出，严重供过于求，报价几乎季季跳水，2024年年中每片低于500美元（约中国大陆制造成本价），第四季价格已有喊到450、400美元（9月400～600美元），甚至更低。产业人士指出，价格崩盘已让绝大多数业者陷入赔钱销售，而买家不敢轻易出手捡便宜，因为买方预期SiC价格还会再下降。而明日之星的8吋SiC基板，虽未到真正量产，但2024年报价已快速下滑，尤其是中国大陆价格直落，彷佛坐上溜滑梯，下修速度甚快。业者分析，8吋SiC基板并没有标准价格，供应链端仍属于试产阶段，供给
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碳化硅 基板
碳化硅(sic)介绍
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