据“融中心”消息，大连市中韩经济文化交流协会、韩中文化协会及安徽钜芯半导体科技有限公司（以下简称：钜芯半导体）在安徽省池州市举行了一场签约仪式。此次签约标志着三方在碳化硅领域的合作正式开始。据悉，三方本次合作的核心内容围绕碳化硅衬底、碳化硅外延片及汽车空调关键零部件的生产展开，将共同打造高质量的碳化硅产品生产线。据了解，今年以来，部分韩国半导体厂商正在持续发力碳化硅产业，并不断取得新进展。据韩媒ETnews报道，今年3月26日，半导体设计公司Power Cube
Semi宣布，已在韩国首次成功开发出2
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碳化硅 钜芯半导体
全球 14 家 8 英寸 SiC 晶圆厂布局。
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SiC
国际能源署（IEA）今年发布的报告称，2023年全球与能源相关的二氧化碳排放量达到374亿吨，较2022年增加4.1亿吨，再创新的记录。其中，交通运输排放增长最为显著，激增近2.4亿吨，位居第一。轨道交通的温室气体排放约为航空出行的五分之一，对于由可再生能源发电驱动的电气化列车，这一比率则更低。因此，扩建轨道交通基础设施及电气化改造是减少CO2排放和实现气候目标的关键。与电动汽车不同的是，电力机车已被广泛使用了一百多年。然而，全球范围内的轨道交通电气化转型仍然方兴未艾，不同国家和地区的轨道交通电气化率存在
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碳化硅 功率模块 轨道交通
压缩机是汽车空调的一部分，它通过将制冷剂压缩成高温高压的气体，再流经冷凝器，节流阀和蒸发器换热，实现车内外的冷热交换。传统燃油车以发动机为动力，通过皮带带动压缩机转动。而新能源汽车脱离了发动机，以电池为动力，通过逆变电路驱动无刷直流电机，从而带动压缩机转动，实现空调的冷热交换功能。电动压缩机是电动汽车热管理的核心部件，除了可以提高车厢内的环境舒适度（制冷，制热）以外，对电驱动系统的温度控制发挥着重要作用，对电池的使用寿命、充电速度和续航里程都至关重要。图1.电动压缩机是电动汽车热管理的核心部件电动压缩机需
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压缩机 汽车空调 SiC
意法半导体（简称ST）推出第四代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET技术。第四代技术有望在能效、功率密度和稳健性三个方面成为新的市场标杆。在满足汽车和工业市场需求的同时，意法半导体还针对电动汽车电驱系统的关键部件逆变器特别优化了第四代技术。公司计划在2027年前推出更多先进的SiC技术创新成果，履行创新承诺。意法半导体模拟、功率与分立器件、MEMS和传感器产品部（APMS）总裁Marco Cassis表示：“意法半导体承诺为市场提供尖端的碳化硅技术，推动电动汽车和高能效工业的未来发展。我们将继续在器
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STPOWER SiC MOSFET 驱动逆变器
9月24日，Resonac（原昭和电工）在官网宣布，其与Soitec签署了一项合作协议，双方将共同开发用于功率半导体的8英寸碳化硅键合衬底。在这次共同开发中，Resonac将向Soitec提供碳化硅单晶，Soitec将使用这些单晶制造碳化硅键合衬底。键合技术加速碳化硅8英寸转型据悉，Soitec拥有一种独有的SmartSiC™技术，该技术通过处理高质量的碳化硅单晶衬底，将处理后的表面键合到多晶碳化硅晶圆作为支撑衬底，然后将单晶衬底分割成薄膜，从而从一个碳化硅单晶衬底生产出多个高质量的碳化硅晶圆，由此显著提
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8英寸 碳化硅 Resonac
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，最新推出第3代碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）产品线中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V产品，为其面向太阳能逆变器、电动汽车充电站和开关电源等工业设备降低功耗。东芝现已开始提供该系列的十款新产品，其中包括采用TO-247-2L封装的五款产品和采用TO-247封装的五款产品。最新TRSxxx120Hxx系列为1200 V产品，其采用东芝第3代650 V SiC SBD的改进型结势垒肖特基（JBS）结构[1]。在结势垒中使用新型金属，有
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东芝 SiC 肖特基势垒二极管 工业电源
美国和印度达成协议，将共同在印度建立一家半导体制造厂，助力印度总理莫迪加强该国制造业的雄心计划。据白宫消息人士称，拟建的工厂将生产红外、氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）半导体，这是美国总统拜登和莫迪在特拉华州会晤后发布的。消息人士称，该工厂的建立将得到印度半导体计划（ISM），以及Bharat Semi、3rdiTech和美国太空部队之间的战略技术伙伴关系的支持。印度在亚洲的战略地缘政治地位为该国及其在技术领域所能提供的机会提供了新的关注点。在过去十年中，莫迪曾多次表示，他将把印度定位为中国的替代品，并
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半导体 氮化镓 碳化硅
与Si材料相比，SiC半导体材料在物理特性上优势明显，比如击穿电场强度高、耐高温、热传导性好等，使其适合于制造高耐压、低损耗功率器件。本篇章带你详细了解SiC材料的物理特性。SiC作为半导体功率器件材料，具有许多优异的特性。4H-SiC与Si、GaN的物理特性对比见表1。与Si相比，4H-SiC拥有10倍的击穿电场强度，可实现高耐压。与另一种宽禁带半导体GaN相比，物理特性相似，但在p型器件导通控制和热氧化工艺形成栅极氧化膜方面存在较大差异，4H-SiC在多用途功率MOS晶体管的制备方面具有优势。此外，由
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三菱电机 SiC
SiC晶体中存在各种缺陷，对SiC器件性能有直接的影响。研究清楚各类缺陷的构成和生长机制非常重要。本文带你了解SiC的晶体缺陷及其如何影响SiC器件特性。在SiC晶体中存在各种缺陷，其中一些会影响器件的特性。SiC缺陷的主要类型包括微管、晶界、多型夹杂物、碳夹杂物等大型缺陷、以及堆垛层错（SF）、以及刃位错（TED）、螺旋位错（TSD）、基面位错（BPD）和这些复合体的混合位错。就密度而言，最近质量相对较好的SiC晶体中，微管是1〜10个/cm²，位错的密度约为10³～10⁴长达个/cm²。至今，与Si相
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三菱电机 SiC
几十年来，电网一直是电力生产单位和消费者之间可靠的桥梁，只需轻轻一按开关，便能畅通无阻地将电力源源不断地输送到千家万户。然而，随着太阳能和风能等可再生能源发电需求的不断增长，现有电网唯有成功应对新的挑战（包括整合储能系统），才能确保在用电高峰期电力供应充足。 EPC Power 作为一家提供尖端功率转换解决方案的知名地面电站逆变器制造商，现已携手 Wolfspeed 开发解决方案，共同应对储能挑战。此次强强联合，双方利用碳化硅的强大性能，打造出业界首款地面电站组串式逆变器“M”，使并网储能系统比以往任何时
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EPC Power Wolfspeed 碳化硅 模块化 电网级储能
几十年来，电网一直是电力生产单位和消费者之间可靠的桥梁，只需轻轻一按开关，便能畅通无阻地将电力源源不断地输送到千家万户。然而，随着太阳能和风能等可再生能源发电需求的不断增长，现有电网唯有成功应对新的挑战（包括整合储能系统），才能确保在用电高峰期电力供应充足。EPC Power 作为一家提供尖端功率转换解决方案的知名地面电站逆变器制造商，现已携手 Wolfspeed 开发解决方案，共同应对储能挑战。此次强强联合，双方利用碳化硅的强大性能，打造出业界首款地面电站组串式逆变器“M”，使并网储能系统比以往任何时候
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EPC Power Wolfspeed 碳化硅 电网级储能方案
近日，我国在8英寸碳化硅领域多番突破，中国电科48所8英寸碳化硅外延设备再升级，三义激光首批碳化硅激光设备正式交付，天岳先进8英寸碳化硅衬底批量销售，上海汉虹成功制备8英寸碳化硅晶体。8英寸碳化硅时代已呼啸而来，未来将会有更多厂商带来新的产品和技术，我们拭目以待。关键突破！中国电科48所8英寸碳化硅外延设备再升级近日，中国电科48所自主研发的8英寸碳化硅外延设备关键技术再获突破。图片来源：中国电科据中国电科官方消息，碳化硅外延炉是第三代半导体碳化硅器件制造的核心装备之一。此次“全新升级”的8英寸碳化硅外延
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8英寸 碳化硅
我们采用单全桥LLC拓扑结构，以获得高效率和合理的成本。它由U60和Q60、Q62、Q70、Q72等组成。NCV4390（U60）是一种电流模式高级LLC控制器。它是FAN7688的引脚到引脚兼容设备。如果您在网站上找不到该设备，可以参考FAN7688的说明。有关该零件的更多详细信息，请参阅数据表和应用说明。由于输出电压高（250−450
Vdc），同步整流器对整流器的帮助不大传导损失。因此，我们省略了NCV4390的SR功能。NCV57000是一款具有内部电隔离功能的大电流单通道IGBT驱动器。
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碳化硅(sic)介绍
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