第三代电力电子半导体SiC MOSFET：聚焦高效驱动方案相比传统的硅MOSFET，SiC
MOSFET可实现在高压下的高频开关。新能源、电动汽车、工业自动化等领域，SiC
MOSFET（碳化硅-金属氧化物半导体场效应晶体管）凭借高频、高功率、低损耗等卓越性能，SiC MOSFET驱动方案备受关注。然而，SiC
MOSFET的独特器件特性，也意味着它们对栅极驱动电路有特殊的要求。本文将围绕SiC MOSFET的驱动方案展开了解，其中包括驱动过电流、过电压保护以及如何为SiC MOSFET选择合
关键字：
第三代半导体 SiC MOSFET 高效驱动 电力电子
Nexperia近日宣布，公司现推出业界领先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7表面贴装器件(SMD)封装，有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供选择。这是继Nexperia于2023年底发布两款采用3引脚和4引脚TO-247封装的SiC MOSFET分立器件之后的又一新产品，它将使其SiC MOSFET产品组合迅速扩展到包括RDSon值为17、30、40、60和80 mΩ 且封装灵活的器件。随着NSF0xx120D7A0的发布，Nexperia正在满足市场对采用D2
关键字：
Nexperia SiC MOSFET D2PAK-7
Littelfuse公司是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司隆重宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。 这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）。IX4352NE的主要优势在于其独立的9A拉/灌电流输出，支持量身定制的导通和关断时序，同时将开关损耗降至最低。 内部负电荷调节器还能提供用户可选的负栅极驱动偏置，以实现更高的dV/dt抗扰度和更快的关断速度。 该驱动器
关键字：
SiC MOSFET IGBT 低侧栅极驱动器
根据合肥安赛思半导体有限公司（以下简称：安赛思）官方消息，5月18日，安赛思与新加坡三福半导体科技有限公司（以下简称：三福半导体）签署战略合作备忘录仪式暨安徽大学与三福半导体联合实验室揭牌仪式正式举行。据介绍，安赛思是一家致力于研发新一代半导体功率器件智能驱动技术及衍生产品的高新技术企业，目前已成功开发了IGBT和SiC智能驱动模块以及工业电力电子变换器、电力电子继电器等产品，应用领域涵盖电动汽车、智能制造、机电设备和航空航天等。三福半导体聚焦集成电路设计、制造和封装测试，致力于先进技术研发、成果转移转化
关键字：
碳化硅 化合物半导体
作为第三代半导体两大代表材料，SiC产业正在火热发展，频频传出各类利好消息；GaN产业热度也正在持续上涨中，围绕新品新技术、融资并购合作、项目建设等动作，不时有新动态披露。在关注度较高的扩产项目方面，上个月，能华半导体张家港制造中心（二期）项目在张家港经开区再制造基地正式开工建设。据悉，能华半导体张家港制造中心（二期）项目总投资6000万元，总建筑面积约10000平方米，将新建GaN外延片产线。项目投产后，将形成月产15000片6英寸GaN外延片的生产能力。而在近日，又有一个GaN外延片项目取得新进展。5
关键字：
碳化硅 氮化镓 化合物半导体
SiC技术似乎已成为蔚来旗下新车型标配。蔚来在去年12月发布的行政旗舰车型ET9，搭载了蔚来自研自产的1200V SiC功率模块，以及面向900V的46105大圆柱电芯和电池包，单颗电芯能量密度高达292Wh/kg，充电效率达到5C，呈现出来的效果就是充电5分钟，续航255公里。近日，蔚来旗下又一款搭载SiC技术的车型正式发布，这便是其全新品牌乐道的首款车型L60。据悉，乐道全域采用900V高压架构，包括电驱系统、热泵空调、辅助加热器（PTC）、车载充电机（OBC）、直流电压变换器（DC-DC）均为900
关键字：
Sic 新能源汽车 蔚来
Source:Getty Images/Natee Meepian英飞凌科技在5月6日发布的一篇新闻稿中表示，将为小米最近发布的SU7电动汽车供应碳化硅（SiC）功率模块HybridPACK Drive G2 CoolSiC和裸片产品直至2027年。英飞凌CoolSiC功率模块支持更高的工作温度。例如，基于该技术的牵引逆变器可以进一步增加电动汽车的续航里程。英飞凌为小米SU7 Max车型提供两颗HybridPACK Drive G2 CoolSiC 1200 V模块。此外，英飞凌还为小米电动汽车供应了一系
关键字：
英飞凌 小米 SU7 智能电动汽车 SiC
智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi)，将于5月至6月举办面向新能源和电动汽车应用领域的技术经理、工程师和渠道合作伙伴的2024“碳”路先锋技术日暨碳化硅(SiC) 和功率解决方案5城巡回研讨会。该系列研讨会将针对汽车电气化和智能化以及工业市场可持续性能源发展的广泛应用场景，共同探讨最新的能效设计挑战，展示针对更多纵深应用的SiC解决方案。安森美希望借此携手中国的“碳”路先锋们，加速先进功率半导体技术的落地，实现应用系统的最佳能效。在中国，市场对SiC的需求强劲，应用场景日益多样化。新能源
关键字：
安森美 碳化硅 功率解决方案
近日，河南中宜创芯发展有限公司（以下简称“中宜创芯”）SiC半导体粉体500吨生产线成功达产，产品纯度最高达到99.99999%，已在国内二十多家企业和研究机构开展试用和验证。资料显示，中宜创芯成立于2023年5月24日，由中国平煤神马控股集团和平顶山发展投资集团共同出资设立，总投资20亿元，分期建设年产2000吨碳化硅半导体粉体生产线。项目一期总投资6亿元，年产能500吨，占地12000平方米，2023年6月20日开工建设，9月20日项目建成并试生产，9月30日首批产品出炉。预计达产后年产值5亿元，据悉
关键字：
中宜创芯 SiC
德国顶级芯片制造商热衷于挖掘中国对特种半导体的需求。
关键字：
SiC 英飞凌
TrendForce集邦咨询最新《2024全球SiC Power
Device市场分析报告》显示，尽管纯电动汽车（BEV）销量增速的明显放缓已经开始影响到SiC供应链，但作为未来电力电子技术的重要发展方向，SiC在汽车、可再生能源等功率密度和效率极其重要的应用市场中仍然呈现加速渗透之势，未来几年整体市场需求将维持增长态势，预估2028年全球SiC
Power Device市场规模有望达到91.7亿美金。Tesla和比亚迪是两个备受瞩目的BEV品牌，近期均报告了令人失望的销售数据，其中Tesla在1
关键字：
SiC 功率器件 TrendForce
随着人工智能技术的飞速发展，越来越多的企业开始探索如何将人工智能技术融入业务流程中，以提升质量、降本增效。在高精尖制造业领域，人工智能、自动驾驶等新兴产业对碳化硅材料的需求日益增多，大力发展碳化硅产业，可带动原材料与设备2000亿级产业，加快我国向高端材料、高端设备制造业转型发展的步伐。广东天域联手浪潮信息，为MES关键业务打造稳定、高效、智能的数据存储底座，让数字机台、智能制造"有底有数"。广东天域半导体股份有限公司成立于2009年，是我国最早实现第三代半导体碳化硅外延片产业化的企业
关键字：
碳化硅 浪潮信息 MES 核心数据底座
电池组，无疑是电动汽车心脏般的存在，它不仅是车辆动力之源，更是决定车辆成本高低的关键因素。作为电动汽车中最昂贵的单个组件，电池组承载了车辆行驶所需的大部分能量，而其内部的每一个电池单元都需要经过精密的监测和控制，以维持其长久且安全的使用寿命。电池管理系统（BMS），作为电池组的“大脑”，其任务繁重且关键。它要实时监控每一个电池单元的健康状况，确保它们的平衡与稳定；还要负责操作电池组的加热和冷却系统，确保电池在各种环境条件下都能维持最佳的工作状态；此外，BMS还需实时报告电池的充电状态，以便驾驶员能够准确了
关键字：
BMS 电动汽车 碳化硅 Power Integrations
IGBT和碳化硅（SiC）模块的开关特性受到许多外部参数的影响，例如电压、电流、温度、栅极配置和杂散元件。本系列文章将重点讨论直流链路环路电感（DC−Link loop inductance）和栅极环路电感（Gate loop inductance）对VE‑Trac IGBT和EliteSiC Power功率模块开关特性的影响，本文为第一部分，将主要讨论直流链路环路电感影响分析。测试设置双脉冲测试
(Double Pulse Test ，DPT)
采用不同的设置来分析SiC和IGBT模块的开关特性
关键字：
杂散电感 SiC IGBT 开关特性
IGBT和碳化硅（SiC）模块的开关特性受到许多外部参数的影响，例如电压、电流、温度、栅极配置和杂散元件。本系列文章将重点讨论直流链路环路电感（DC−Link loop inductance）和栅极环路电感（Gate loop inductance）对VE‑Trac IGBT和EliteSiC Power功率模块开关特性的影响，本文为第二部分，将主要讨论栅极环路电感影响分析。（点击查看直流链路环路电感分析）测试设置双脉冲测试
(Double Pulse Test ，DPT)
采用不同的设置来分析S
关键字：
IGBT SiC 开关特性
碳化硅(sic)介绍
您好，目前还没有人创建词条碳化硅(sic)!
欢迎您创建该词条，阐述对碳化硅(sic)的理解，并与今后在此搜索碳化硅(sic)的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473