据外媒，1月23日，英飞凌与美国半导体制造商Wolfspeed发布声明，宣布扩大并延长双方2018年2月签署的现有150mm碳化硅晶圆长期供应协议。根据声明，双方延长的的合作关系中包括一项多年期产能预留协议。新协议有助于提高英飞凌总体供应链的稳定性，同时满足汽车、太阳能和电动汽车应用以及储能系统对碳化硅晶圆产品日益增长的需求。英飞凌科技首席执行官Jochen Hanebeck表示，希望在全球范围内保障对于150mm和200mm碳化硅晶圆的高品质、长期供应优质货源。
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英飞凌 碳化硅 晶圆 Wolfspeed
众所周知，提高 SiC 晶圆质量对制造商来说非常重要，因为它直接决定了 SiC 器件的性能，从而决定了生产成本。然而，具有低缺陷密度的 SiC 晶圆的生长仍然非常具有挑战性。SiC 晶圆制造的发展已经完成了从100毫米（4英寸）到150毫米（6英寸）晶圆的艰难过渡，正在向8英寸迈进。SiC 需要在高温环境下生长，同时具有高刚性和化学稳定性，这导致生长的 SiC 晶片中晶体和表面缺陷的密度很高，导致衬底质量和随后制造的外延层质量差 。本篇文章主要总结了 SiC 生长过程及各步骤造成的缺陷
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SiC 晶圆
2024年1月18日，中国--服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM) 宣布，与聚焦于碳化硅(SiC)半导体功率模块和先进电力电子变换系统的中国高科技公司致瞻科技合作，为致瞻科技电动汽车车载空调中的压缩机控制器提供意法半导体第三代碳化硅 (SiC) MOSFET 技术。采用高能效的控制器可为新能源汽车带来诸多益处，以动力电池容量60kWh~90kWh的中型电动汽车为例，续航里程可延长5到10公里，在夏冬
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加利福尼亚州戈莱塔 – 2024 年 1 月 17 日 — 全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商 Transphorm, Inc.（纳斯达克：TGAN）今日宣布推出两款采用 4 引脚 TO-247 封装（TO-247-4L）的新型 SuperGaN® 器件。新发布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分别具有 35 毫欧和 50 毫欧的导通电阻，并配有一个开尔文源极端子，以更低的能量损耗为客户实现更全面的开关功能。新
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据英飞凌官网消息，近日，英飞凌已与碳化硅 (SiC) 供应商 SK Siltron CSS 正式达成协议。据悉，SK Siltron CSS将为英飞凌提供具有竞争力的高质量150mm SiC晶圆，支持SiC半导体的生产。在后续阶段，SK Siltron CSS将在协助英飞凌向200 mm 晶圆直径过渡方面发挥重要作用。据了解，英飞凌首席采购官 Angelique van der Burg 表示：“对于英飞凌来说，供应链弹性意味着实施多供应商战略，并在逆境中蓬勃发展，创造新的增长机会并推
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1 转型成功的2023得益于成功的战略转型，在汽车和工业市场增长的
推动下，安森美在 2023 年前 3 季度的业绩都超预期。
其中，第一季度由先进驾驶辅助系统 (ADAS) 和能源基
础设施终端市场带来的收入均同比增长约 50%，在第
二季度汽车业务收入超 10 亿美元，同比增长 35%，创
历史新高，第三季度汽车和工业终端市场都实现创纪录
收入。安森美大中华区销售副总裁Roy Chia2 深入布局碳化硅领域在第三代半导体领域，安森美专注于 SiC，重点聚
焦于汽车、能源、电网基础设施等应
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意法半导体与理想汽车签署碳化硅长期供货协议。
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SiC
工业电源的作用是将交流电转换为直流电，在工业领域为设备提供稳定的电力供应，在工业自动化、通讯、医疗、数据中心、新能源储能等领域广泛使用。与普通的电源相比，工业电源应用环境苛刻复杂，对电源的稳定性要求更高，需满足一些特殊要求，如低功耗、高功率密度、高可靠性和高耐用性，同时，它对EMI和稳定性的要求也比其它应用更为严格。按在电能转换过程中的位置做分类，电源可分为一次电源和二次电源。模块电源属于二次电源，是采用优化的电路和结构设计，利用先进的工艺和封装技术制造， 形成的一个结构紧凑、体积小、高可靠的电子稳压电源
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第三代半导体材料是指以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体材料。与前两代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度，更高的击穿电场、热导率以及电子饱和速率，并且在抗辐射能力方面也具有优势。这些特性使得第三代半导体材料制备的半导体器件适用于高电压、高频率场景，并且能够以较少的电能消耗获得更高的运行能力。因此，第三代半导体材料在5G基站、新能源车、光伏、风电、高铁等领域具有广泛的应用潜力。其中，碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，在汽车电子领域具有广泛的应用前景。在新能源汽车领域，
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12月29日消息，昨日，在小米汽车技术发布会上，小米集团董事长雷军宣布，发布CTB一体化电池技术，全球最高体积效率达77.8%，采用小米800V碳化硅高压平台，最高电压达871V，与宁德时代历时两年共同研发。据雷军介绍，小米电池通过全球最严苛的热失效安全标准，采用17层高压绝缘防护，7.8m²同级最大冷却面积，并使用165片气凝胶隔热。同时，采用行业首创电芯倒置技术，最大程度保证乘员舱安全。同时，该项技术可以达到低温环境下“续航保持率同级更高、空调升温速度同级更快、充电速度同级更快”，雷军表示，小米汽车立
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过去，仿真的基础是行为和具有基本结构的模型。这些模型使用的公式我们在学校都学过，它们主要适用于简单集成电路技术中使用的器件。但是，当涉及到功率器件时，这些简单的模型通常无法预测与为优化器件所做的改变相关的现象。当今大多数功率器件不是横向结构，而是垂直结构，它们使用多个掺杂层来处理大电场。栅极从平面型变为沟槽型，引入了更复杂的结构，如超级结，并极大地改变了MOSFET的行为。基本Spice模型中提供的简单器件结构没有考虑所有这些非线性因素。现在，通过引入物理和可扩展建模技术，安森美(onsemi)使仿真精度
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12月22日消息，据报道，Adroit Market Research预计，全球汽车半导体行业将以每年10%的速度增长，到2032年将达到1530亿美元，2023年至2032年复合年增长率 (CAGR) 为10.3%。报告显示，半导体器件市场将从2022年的$43B增长到2028年的$84.3B，复合年增长率高达11.9%。目前的市场表明，到2022年，每辆汽车的半导体器件价值约为540美元，在ADAS、电气化等汽车行业大趋势下，到2028年，该数字将增长至约912美元。电动化和ADAS是技术变革的主要驱
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低电感电机有许多不同应用，包括大气隙电机、无槽电机和低泄露感应电机。它们也可被用在使用PCB定子而非绕组定子的新电机类型中。这些电机需要高开关频率（50-100kHz）来维持所需的纹波电流。然而，对于50kHz以上的调制频率使用绝缘栅双极晶体管（IGBT）无法满足这些需求，如果是380V系统，硅MOSFET耐压又不够，这就为宽禁带器件开创了新的机会。在我们的传统印象中，电机驱动系统往往采用IGBT作为开关器件，而SiC MOSFET作为高速器件往往与光伏和电动汽车充电等需要高频变换的应用相关联。但在特定的
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英飞凌 SiC MOSFET
2023年12月22日，中国北京-服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)，与设计、研发、制造和销售豪华智能电动车的中国新能源汽车龙头厂商理想汽车（纽约证券交易所代码: LI) 签署了一项碳化硅（SiC）长期供货协议。按照协议, 意法半导体将为理想汽车提供碳化硅MOSFET，支持理想汽车进军高压纯电动车市场的战略部署。随着汽车行业电动化和绿色低碳转型的持续深入，高压纯电动车因其能效更高、续航里程更远，已成为汽车制
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据通用智能官微消息，日前，通用智能装备有限公司SiC晶锭8寸剥离产线正式交付客户。目前，SiC晶锭主要通过砂浆线/金刚石线切割，效率低和损耗高。据悉，通用智能采用激光隐切技术完成SiC晶锭分割工艺过程，并成功实现8寸碳化硅晶锭剥离设备的量产。
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碳化硅(sic)介绍
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