3月28日消息，当地时间3月26日，Wolfspeed宣布第三座工厂——8英寸SiC衬底产线一期工程举行了封顶仪式。据了解，该工厂位于贝卡莱纳州查塔姆县，总投资50亿美元（约合人民币356亿元），占地面积445英亩，主要生产8英寸SiC单晶衬底。目前，该工厂已有一些长晶炉设备进场，预计2024年底将完成一期工程建设，2025年上半年开始生产，预计竣工达产后Wolfspeed的SiC衬底产量将扩大10倍。近期，Wolfspeed与瑞萨电子、英飞凌等公司签署了客户协议，查塔姆工厂的投建将为这些协议提供支持，同
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随着近年来对碳化硅（SiC）衬底需求的持续激增，市场研究公司TrendForce表示，对于SiC的成本降低呼声越来越高，因为最终产品价格仍然是消费者的关键决定因素。SiC衬底的成本占整个成本结构的比例最高，约占50%。因此，衬底部分的成本降低和利用率提高尤为关键。由于其成本优势，大尺寸衬底逐渐开始被采用，市场对其寄予了很高的期望。中国SiC衬底制造商天科蓝半导体计算，从4英寸升级到6英寸可以使单位成本降低50%，从6英寸升级到8英寸可以再次降低35%。与此同时，8英寸衬底可以生产更多的芯片，从而减少边缘浪
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SiC 碳化硅
3月20日，春分时期，万物复苏，SEMICON China 2024在上海新国际博览中心拉开了序幕。现场一片繁忙热闹，据悉本次展会面积达90000平方米，共有1100家展商、4500个展位和20多场会议及活动涉及了IC制造、功率及化合物半导体、先进材料、芯车会等多个专区。本次展会中，碳化硅、氮化镓等第三代半导体产业链格外亮眼，据全球半导体观察不完全统计，共有近70家相关企业带来了一众新品与最新技术，龙头企业颇多，材料方面包括Resonac、天域半导体、天岳先进、天科合达等企业，设备端则如晶盛机电、中微公司
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碳化硅 氮化镓 第三代半导体
电池可以用来储存太阳能和风能等可再生能源在高峰时段产生的能量，这样当环境条件不太有利于发电时，就可以利用这些储存的能量。本文回顾了住宅和商用电池储能系统 (BESS) 的拓扑结构，然后介绍了安森美 (onsemi) 的EliteSiC方案，可作为硅MOSFET或IGBT开关的替代方案，改善BESS的性能。图1：BESS 实施概览BESS 的优势最常用的储能方法有四种，分别是电化学储能、化学储能、热储能和机械储能。锂离子电池是家喻户晓的电化学储能系统，具有高功率密度、高效率、外形紧凑、模块化等特点
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安森美 SiC 电池储能
进入 2024 年，10 多家车企纷纷宣布降价。车企给供应商的降价压力更大，普遍要求降价 20%，过去一般是每年降 3%-5%。有观点认为，车市降价是由于新技术带来的成本下降，但从大背景来看，2 月销量下滑，或是更多企业加入价格战的不得已选择。但从另一个角度来看，成本的下降确实会缓解降价的压力，SiC（碳化硅）会不会是出路呢？降价风波始末2 月 19 日，可以说是一切的开始。降价潮是由比亚迪掀起的，从 2 月 19 日到 3 月 6 日，在春节假期结束后的 17 天里，比亚迪密集推出了 13 款主力车型的
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SiC
唯一全面专注的下一代功率半导体公司及氮化镓和碳化硅功率芯片行业领导者——纳微半导体近日宣布将参加于2024年3月20-22日在深圳福田会展中心举办的亚洲充电展，邀请观众造访由最新氮化镓和碳化硅技术打造，象征着全电气化未来的“纳微芯球”展台。纳微半导体将展出最新的GaNFast™和GeneSiC™应用及解决方案，包括：● 功率水平更高、以应用为导向的GaNSense™ Halfbridge半桥氮化镓技术● 高性能、速度快的第三代高速碳化硅技术● &
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纳微半导体 亚洲充电展 GaN+SiC 快充
受惠于下游应用市场的强劲需求，碳化硅产业正处于高速成长期。据TrendForce集邦咨询预期，至2026年SiC功率元件市场规模可望达53.3亿美元，其主流应用仍倚重电动汽车及可再生能源。近期，备受关注的碳化硅市场又有了新动态，涉及三菱电机、美尔森、芯粤能等企业。三菱电机SiC工厂预计4月开建据日经新闻近日报道，三菱电机将于今年4月，在日本熊本县开工建设新的8英寸SiC工厂，并计划于2026年4月投入运营。2023年3月，三菱电机宣布，计划在5年内投资约1000亿日元（折合人民币约48.56亿元）建设一个
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新能源汽车 碳化硅 第三代半导体
3月13日消息，日前，芯动半导体官微宣布，已与意法半导体签署战略合作协议，双方将就SiC芯片业务展开合作。此次与意法半导体就SiC芯片业务签署战略合作协议，也将进一步推动长城汽车垂直整合，稳定供应链发展。公开资料显示，芯动半导体于2022年11月成立于江苏无锡，由长城汽车与稳晟科技合资成立，以开发第三代功率半导体SiC模组及应用解决方案为目标。目前，芯动半导体位于无锡的第三代半导体模组封测制造基地项目已完成建设。该项目总投资8亿元，规划车规级模组年产能为120万套，预计本月正式量产。除了碳化硅模块外，芯动
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英飞凌科技股份公司近日推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，开启功率系统和能量转换的新篇章。与上一代产品相比， 英飞凌全新的CoolSiC™ MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技术在确保质量和可靠性的前提下，将MOSFET的主要性能指标（如能量和电荷储量）提高了20%，不仅提升了整体能效，更进一步推动了低碳化进程。CoolSiC™ MOSFET Generation 2 (G2) 技术继续发挥碳化硅的性能优势，通过降低能量损耗来提高功率转换过程
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纳芯微宣布推出基于其自研创新型振铃抑制专利的车规级CAN SIC（信号改善功能，Signal Improvement Capability）NCA1462-Q1。相比当前主流的CAN FD车载通信方案，NCA1462-Q1在满足ISO 11898-2:2016标准的前提下，进一步兼容CiA 601-4标准，可实现≥8Mbps的传输速率。凭借纳芯微专利的振铃抑制功能，即使在星型网络多节点连接的情况下，NCA1462-Q1仍具有良好的信号质量；此外，超高的EMC表现，更加灵活、低至1.8V的VIO可有效助力工
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近日，晶盛机电在接受机构调研时表示，目前公司已基本实现8-12英寸大硅片设备的全覆盖并批量销售，6英寸碳化硅外延设备实现批量销售且订单量快速增长，成功研发出具有国际先进水平的8英寸单片式碳化硅外延生长设备，实现了成熟稳定的8英寸碳化硅外延工艺。同时公司基于产业链延伸，开发出了应用于8-12英寸晶圆及封装端的减薄设备、外延设备、LPCVD设备、ALD设备等。晶盛机电自2017年开始碳化硅产业布局，聚焦碳化硅衬底片和碳化硅外延设备两大业务。公司已掌握行业领先的8英寸碳化硅衬底技术和工艺，量产晶片的核心位错达到
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先进电机应用（如高转速、高频、高功率密度、高温等）需要相匹配的逆变器支持，但业界一直为其开发难度所困扰。全球领先的高温半导体解决方案提供商CISSOID公司近期推出的基于碳化硅（SiC）功率器件的完整逆变器参考设计很好地解决了这一问题。该参考设计整合了CISSOID 公司的SiC高压功率模块和相匹配的集成化栅极驱动器，Silicon Mobility公司的控制板和软件，超低寄生电感的直流母线电容和EMI滤波器，直流和相电流传感器等其它附件。由此为先进电机应用提供了一个已全面集成的完整“傻瓜型”逆变器开发平
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中国 北京，2024 年 2 月 29 日——全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®（纳斯达克代码：QRVO）近日宣布推出四款采用紧凑型 E1B 封装的 1200V 碳化硅（SiC）模块，其中两款为半桥配置，两款为全桥配置，导通电阻 RDS(on) 最低为 9.4mΩ。全新的高效率 SiC 模块非常适合电动汽车充电站、储能、工业电源和太阳能等应用。Qorvo SiC 电源产品线市场总监 Ramanan Natarajan 表示：“该全新系列中的模块可以取代多达四个分立式 SiC FET，从而简化
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Qorvo 1200V SiC模块 SiC
本文的关键要点各行各业的工厂都在扩大生产线的智能化程度，在生产线上的装置和设备旁边导入先进信息通信设备的工厂越来越多。要将高压工业电源线的电力转换为信息通信设备用的电力，需要辅助设备用的高效率电源，而采用内置1700V耐压SiC MOSFET的AC-DC转换器IC可以轻松构建这种高效率的辅助电源。各行各业加速推进生产线的智能化如今，从汽车、半导体到食品、药品和化妆品等众多行业的工厂，既需要进一步提升生产效率和产品品质，还需要推进无碳生产（降低功耗和减少温室气体排放）。在以往的制造业中，提高工厂的生产效率和
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电力转换 SiC MOSFET
近几日，英飞凌在碳化硅合作与汽车半导体方面合作动态频频，再度引起业界对碳化硅材料关注。1月23日，英飞凌与Wolfspeed宣布扩大并延伸现有的长期150mm碳化硅晶圆供应协议（原先的协议签定于2018年2月）。延伸后的合作将包括一个多年期产能预留协议。这将有助于保证英飞凌整个供应链的稳定，同时满足汽车、太阳能、电动汽车充电应用、储能系统等领域对于碳化硅半导体不断增长的需求。据英飞凌科技首席执行官 JochenHanebeck 消息，为了满足不断增长的碳化硅器件需求，英飞凌正在落实一项多供应商战略，从而在
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碳化硅(sic)介绍
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