SiC MOSFET 在功率半导体市场中正迅速普及，因为它最初的一些可靠性问题已得到解决，并且价位已达到非常有吸引力的水平。随着市场上的器件越来越多，必须了解 SiC MOSFET 与 IGBT 之间的共性和差异，以便用户充分利用每种器件。本系列文章概述了安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的关键特性及驱动条件对它的影响，作为安森美提供的全方位宽禁带生态系统的一部分，还将提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔离栅极驱动器）的使用指南。本文为第三部分，将重点介绍NCP517
在高功率应用中，碳化硅（SiC）的许多方面都优于硅，包括更高的工作温度以及更高效的高频开关性能。但是，与硅快速恢复二极管相比，纯 SiC 肖特基二极管的一些特性仍有待提高。本博客介绍Nexperia（安世半导体）如何将先进的器件结构与创新工艺技术结合在一起，以进一步提高 SiC 肖特基二极管的性能。在高功率应用中，碳化硅（SiC）的许多方面都优于硅，包括更高的工作温度以及更高效的高频开关性能。但是，与硅快速恢复二极管相比，纯 SiC 肖特基二极管的一些特性仍有待提高。本博客介绍Nexperia（安世半导体
如今，碳化硅用于要求苛刻的半导体应用，如火车、涡轮机、电动汽车和智能电网。由于其物理和电气特性，基于SiC的器件适用于高温、高功率密度和高工作频率是常见要求的应用。尽管 SiC 功率器件推动了电动汽车、5G 和物联网技术等要求苛刻领域的进步，但高质量 SiC 基板的生产给晶圆制造商带来了多重挑战。如今，碳化硅用于要求苛刻的半导体应用，如火车、涡轮机、电动汽车和智能电网。由于其物理和电气特性，基于SiC的器件适用于高温、高功率密度和高工作频率是常见要求的应用。尽管 SiC 功率器件推动了电动汽车、5G 和物
2018 年，特斯拉在 Model 3 中首次将 IGBT 模块换成了 SiC 模块，成为第一家在量产汽车中使用 SiC 芯片的电动汽车公司。特斯拉的使用结果表明，在相同功率等级下，SiC 模块的封装尺寸明显小于硅模块，并且开关损耗降低了 75％。换算下来，采用 SiC 模块替代 IGBT 模块，其系统效率可以提高 5％左右。一场特斯拉的大风，引燃了 SiC。然而，就在刚刚过去的 3 月份，特斯拉却突然宣布，下一代的电动车传动系统 SiC 用量大减 75%，因借创新技术找到下一代电动车动力系统减少使用 S
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