东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。该系列具有低导通电阻，可显著降低开关损耗。该系列10款产品包括5款1200V产品和5款650V产品，已于今日开始出货。 新产品的单位面积导通电阻（RDS(ON)A）下降了大约43%[3]，从而使“漏源导通电阻×栅漏电荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大约80%[4]，这是体现导通损耗与开关损耗间关系的重要指标。这样可以将开关损耗减少大约
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东芝 SiC MOSFET
领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，昨天美国时间举行了剪彩仪式，庆祝其位于新罕布什尔州哈德逊 (Hudson, New Hampshire) 的碳化硅 (SiC) 工厂的落成。该基地将使安森美到2022年底的SiC晶圆产能同比增加五倍，在哈德逊的员工人数几乎翻两番。此扩张使安森美能完全控制其SiC制造供应链，从SiC粉末和石墨原料的采购，到封装好的SiC器件的交付。这使安森美能为其客户提供必要的供应保证，以满足对基于SiC的方案迅速增长的需求。SiC对于提高电
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安森美 碳化硅工厂 SiC
移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®, Inc.（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布推出 7 款采用表贴 D2PAK-7L 封装的 750V 碳化硅 (SiC) FET。凭借该封装方案，Qorvo 的 SiC FET 针对快速增长的车载充电器、软开关 DC/DC 转换器、电池充电（快速 DC 和工业）和 IT/服务器电源应用实现量身定制。它们采用热性能增强型封装，为需求最大效率、低传导损失和高性价比的高功耗应用提供理想解决方案。在 650/750V 状态下，第四
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UnitedSiC Qorvo 750V SiC FET
Qorvo®今天宣布推出采用表面贴装 D2PAK-7L 封装的七款 750V 碳化硅 (SiC) FET，借助此封装选项，Qorvo 的 SiC FET可为车载充电器、软开关 DC/DC 转换器、电池充电（快速 DC 和工业）以及IT/服务器电源等快速增长的应用量身定制，能够为在热增强型封装中实现更高效率、低传导损耗和卓越成本效益的高功率应用提供更佳解决方案。Qorvo 的第四代 UJ4C/SC 系列在 650/750V 时具有9mΩ的业界更低 RDS(on)，其额定值分别为 9、11、18、23、33、
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UnitedSiC Qorvo 电源 SiC FET
功率半导体组件与电源、电力控制应用有关，特点是功率大、速度快，有助提高能源转换效率，多年来，功率半导体以硅（Si）为基础的芯片设计架构成为主流，碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等第三类半导体材料出现，让功率半导体组件的应用更为多元，效率更高。MOSFET与IGBT双主流各有痛点高功率组件应用研发联盟秘书长林若蓁博士（现职为台湾经济研究院研究一所副所长）指出，功率半导体组件是电源及电力控制应用的核心，具有降低导通电阻、提升电力转换效率等功用，其中又以MOSFET（金属氧化半导体场效晶体管）与IGBT（绝缘
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硅 碳化硅 氮化镓 功率半导体
与传统的硅器件相比，碳化硅（SiC）器件由于拥有低导通电阻特性以及出色的耐高温、高频和耐高压性能，已经成为下一代低损耗半导体可行的候选器件。此外，SiC 让设计人员能够减少元器件的使用，从而进一步降低了设计的复杂程度。SiC 元器件的低导通电阻特性有助于显著降低设备的能耗，从而有助于设计出能够减少 CO2 排放量
的环保型产品和系统。罗姆在 SiC 功率元器件和模块的
开发领域处于先进地位，这些器件和模块在许多行业的
应用中都实现了更佳的节能效果。水原德健, 罗姆半导体（北京）有限公司技术中心总经理
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202207 碳化硅 电动汽车 罗姆
由于 SiC 具有更快的开关速度，因此对于某些拓扑结构，可缩减无源元器件如电感器的尺寸以降低系统尺寸和成本。光伏发电和大规模储能变得越来越重要，最终将取代所有的污染性能源。由于可再生能源目前仅占全球总发电量的一小部分，因此 SiC 将有长远的发展路向。随着电动车采用率的增加，充电桩将大规模部署，另外，SiC 最终还将成为电动车主驱逆变器的首选材料，因为它可减少车辆的整体尺寸和重量，且能效更高，可延长电池使用寿命。安森美首席碳化硅专家，中国汽车OEM技术负责人 吴桐 博士安森美 (onsemi) 在收购上游
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202207 安森美 SiC
受访人：水原德健 罗姆半导体（北京）有限公司技术中心总经理1.氮化镓和碳化硅同属第三代半导体，在材料特性上有什么相似之处和不同之处？根据其不同的特性，分别适用在哪些应用领域？贵公司目前在SiC和GaN两种材料的半导体器件方面都有哪些主要的产品？ 目前，市场上基本按下图划分几种材料功率半导体器件的应用场景。当低频、高压的情况下适用硅基IGBT，如果稍稍高频但是电压不是很高，功率不是很高的情况下，使用硅基MOSFET。如果既是高频又是高压的情况下，适用碳化硅MOSFET。那么电压不需要很大，功率
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罗姆 电动汽车 碳化硅
受访人：安森美首席碳化硅专家，中国汽车OEM技术负责人吴桐博士1.氮化镓和碳化硅同属第三代半导体，在材料特性上有什么相似之处和不同之处？根据其不同的特性，分别适用在哪些应用领域？贵公司目前在SiC和GaN两种材料的半导体器件方面都有哪些主要的产品？ 氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)具有较高的电子迁移率和较高的能带隙，用它们制成的晶体管具有比硅基晶体管更高的击穿电压和更耐受高温，可以突破硅基器件的应用极限，开关速度更快，导通电阻更低，损耗更小，能效更高。 GaN的开关频率比SiC高得多，而SiC的可靠
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安森美 SiC
受访人：Robert Taylor是德州仪器(TI)系统工程营销组的应用经理，负责工业和个人电子市场的定制电源设计。他的团队每年负责500项设计，并在过去20年中设计了15000个电源。Robert于2002年加入TI，大部分时间都在担任各种应用的电源设计师。Robert拥有佛罗里达大学的电气工程学士学位和硕士学位。1.氮化镓和碳化硅同属第三代半导体，在材料特性上有什么相似之处和不同之处？根据其不同的特性，分别适用在哪些应用领域？贵公司目前在SiC和GaN两种材料的半导体器件方面都有哪些主要的产品？
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TI 第三代半导体 GaN SiC
为进一步提升电动车动力性能，全球各大车企已将目光锁定在新一代SiC（碳化硅）功率组件，并陆续推出了多款搭载相应产品的高性能车型。依TrendForce研究，随着越来越多车企开始在电驱系统中导入SiC技术，预估2022年车用SiC功率组件市场规模将达到10.7亿美元，2026年将攀升至39.4 亿美元。 随着越来越多车企开始在电驱系统中导入SiC技术，预估2022年车用SiC功率组件市场规模将达到10.7亿美元。TrendForce指出，目前车用SiC功率组件市场主要由欧美IDM大厂掌控，关键供货
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TrendForce SiC 功率组件
SEMIKRON和半导体制造商ROHM在开发碳化硅（SiC）功率模块方面已经有十多年的合作。本次ROHM的第4代SiC MOSFET正式被运用于SEMIKRON车规级功率模块「eMPack」，开启了双方合作的全新里程碑。 合作仪式留影，SEMIKRON CEO兼CTO Karl-Heinz Gaubatz先生（左），ROHM德国公司社长 Wolfram Harnack（中），SEMIKRON CSO Peter Sontheimer先生（右）此外，SEMIKRON宣布已与德国一家大型汽车制造商签
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ROHM SiC SEMIKRON 功率模块
赛米控（总部位于德国纽伦堡）和全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）在开发碳化硅（SiC）功率模块方面已经开展了十多年的合作。合作仪式剪影：赛米控CEO兼CTO Karl-Heinz Gaubatz先生（左）罗姆德国公司社长 Wolfram Harnack（中）赛米控CSO Peter Sontheimer先生（右） 此次，罗姆的第4代SiC MOSFET正式被用于赛米控的车规级功率模块“eMPack®”，开启了双方合作的新征程。此外，赛米控宣布已与德国一家大型汽车制造商签署
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罗姆 碳化硅 SiC 无线宽带
使用宽带隙半导体作为高频开关为实现更高的功率转换效率提供了有力支持。一个示例是，碳化硅开关可以实施为SiC MOSFET或以共源共栅结构实施为SiC FET。本白皮书追溯了SiC FET的起源和发展，直至最新一代产品，并将其性能与替代技术进行了比较。白皮书当然，接近完美的电子开关已经存在很长一段时间了，但是我们这里要谈的不是机械开关。现代功率转换依赖的是半导体开关，它们最好在打开时没有电阻，在关闭时电阻和耐受电压无限大，并能在简单驱动下以任意快的速度在开关状态间切换且没有瞬时功率损耗。在这个重视能源与成本
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UnitedSiC SiC
SiC、GaN 作为最新一代功率半导体器件具有远优于传统 Si 器件的特性，能够使得功率变换器获得更高的效率、更高的功率密度和更低的系统成本。但同时，SiC、GaN极快的开关速度也给工程师带来了使用和测量的挑战，稍有不慎就无法获得正确的波形，从而严重影响到器件评估的准确、电路设计的性能和安全、项目完成的速度。SiC、GaN动态特性测量中，最难的部分就是对半桥电路中上桥臂器件驱动电压VGS的测量，包括两个部分：开关过程和Crosstalk。此时是无法使用无源探头进行测量的，这会导致设备和人员危险，同时还会由
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SiC GaN 栅极动态测试 光隔离探头
碳化硅(sic)介绍
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